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公开(公告)号：CN112488975B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202011453614.7
申请日：2020-12-12
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种非均匀阵列探测激光光斑图像的复原显示方法，采用分层次插值的方法对非均匀像素的图像按照密度的差异分成三层区域，然后分别计算三层区域图像中图像各个方向的梯度值，再根据梯度值计算出扩散梯度值，接着采用Lanczos插值法求出高分辨率图像的梯度扩散值，之后根据扩散梯度值，判断是否为边缘点，如果该点是非边缘点，则采用Lanczos插值法，利用周围已知像素点插值出高分辨图像的未知点，如果该点是边缘点则利用下列公式，进行边缘融合插值算法，插出高分辨图像的未知像素点，最后将三个层次的图像合并成一幅图像。本发明降低了复原光斑的误差，对探测点的布放位置不敏感，从而更为准确地复原光斑图像。
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公开(公告)号：CN110379866B
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN201910568118.7
申请日：2019-06-27
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01L31/0224
Abstract: 本发明提供了基于真空分离式p‑n结n型变掺杂GaN基阳极的太阳能电池，包括GaAs光电阴极、真空腔和阳极，所述阳极采用GaN基材料，所述阳极从最表层到靠近真空腔依次为衬底层、AlN缓冲层、n型变掺杂GaN接收层，其中AlN缓冲层生长在衬底层上；n型变掺杂GaN基接收层生长在AlN缓冲层上。本发明采用n型变掺杂GaN基接收层，在阳极内部形成一个内建电场，增大了电子在阳极内部的输运速率，提高了电子收集能力，抑制阳极材料的噪声电流，实现的真空分离式p‑n结太阳能电池较高的能量转换。
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公开(公告)号：CN112488975A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011453614.7
申请日：2020-12-12
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种非均匀阵列探测激光光斑图像的复原显示方法，采用分层次插值的方法对非均匀像素的图像按照密度的差异分成三层区域，然后分别计算三层区域图像中图像各个方向的梯度值，再根据梯度值计算出扩散梯度值，接着采用Lanczos插值法求出高分辨率图像的梯度扩散值，之后根据扩散梯度值，判断是否为边缘点，如果该点是非边缘点，则采用Lanczos插值法，利用周围已知像素点插值出高分辨图像的未知点，如果该点是边缘点则利用下列公式，进行边缘融合插值算法，插出高分辨图像的未知像素点，最后将三个层次的图像合并成一幅图像。本发明降低了复原光斑的误差，对探测点的布放位置不敏感，从而更为准确地复原光斑图像。
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公开(公告)号：CN110379866A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910568118.7
申请日：2019-06-27
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01L31/0224
Abstract: 本发明提供了基于真空分离式p-n结n型变掺杂GaN基阳极的太阳能电池，包括GaAs光电阴极、真空腔和阳极，所述阳极采用GaN基材料，所述阳极从最表层到靠近真空腔依次为衬底层、AlN缓冲层、n型变掺杂GaN接收层，其中AlN缓冲层生长在衬底层上；n型变掺杂GaN基接收层生长在AlN缓冲层上。本发明采用n型变掺杂GaN基接收层，在阳极内部形成一个内建电场，增大了电子在阳极内部的输运速率，提高了电子收集能力，抑制阳极材料的噪声电流，实现的真空分离式p-n结太阳能电池较高的能量转换。
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