公开(公告)号：CN110379866A

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201910568118.7

申请日：2019-06-27

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 富容国 ,  张嘎 ,  何苗 ,  宁传旺 ,  陈浩 ,  周岗 ,  钱芸生 ,  刘磊 ,  张俊举 ,  张益军 ,  邱亚峰

IPC: H01L31/0224

Abstract: 本发明提供了基于真空分离式p-n结n型变掺杂GaN基阳极的太阳能电池，包括GaAs光电阴极、真空腔和阳极，所述阳极采用GaN基材料，所述阳极从最表层到靠近真空腔依次为衬底层、AlN缓冲层、n型变掺杂GaN接收层，其中AlN缓冲层生长在衬底层上；n型变掺杂GaN基接收层生长在AlN缓冲层上。本发明采用n型变掺杂GaN基接收层，在阳极内部形成一个内建电场，增大了电子在阳极内部的输运速率，提高了电子收集能力，抑制阳极材料的噪声电流，实现的真空分离式p-n结太阳能电池较高的能量转换。

公开(公告)号：CN110379866B

公开(公告)日：2021-04-06

申请号：CN201910568118.7

申请日：2019-06-27

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 富容国 ,  张嘎 ,  何苗 ,  宁传旺 ,  陈浩 ,  周岗 ,  钱芸生 ,  刘磊 ,  张俊举 ,  张益军 ,  邱亚峰

IPC: H01L31/0224

Abstract: 本发明提供了基于真空分离式p‑n结n型变掺杂GaN基阳极的太阳能电池，包括GaAs光电阴极、真空腔和阳极，所述阳极采用GaN基材料，所述阳极从最表层到靠近真空腔依次为衬底层、AlN缓冲层、n型变掺杂GaN接收层，其中AlN缓冲层生长在衬底层上；n型变掺杂GaN基接收层生长在AlN缓冲层上。本发明采用n型变掺杂GaN基接收层，在阳极内部形成一个内建电场，增大了电子在阳极内部的输运速率，提高了电子收集能力，抑制阳极材料的噪声电流，实现的真空分离式p‑n结太阳能电池较高的能量转换。