公开(公告)号：CN105470103A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201410456627.8

申请日：2014-09-09

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 常本康 ,  郝广辉 ,  张益军 ,  金睦淳 ,  冯琤 ,  陈鑫龙 ,  杨明珠

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种高性能AlGaN光电阴极化学清洗方法。所述方法包括将AlGaN光电阴极分别经有机溶剂、去离子水超声波清洗，然后经氢氧化钾溶液刻蚀清洗，硫酸混合溶液刻蚀清洗，最后经去离子水冲洗刻蚀，并在超声清洗仪中超声清洗。经本发明清洗方法制备的AlGaN光电阴极的量子效率比经传统的清洗方法制备的AlGaN光电阴极量子效率提高了35.48％。

公开(公告)号：CN119993804A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202510004068.5

申请日：2025-01-02

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 张益军 ,  刘晓荣 ,  郭涛 ,  韩允锋 ,  金睦淳 ,  钱芸生

IPC: H01J9/12 ,  H01J43/08

Abstract: 本发明公开了光电倍增管透射式三碱光电阴极制备系统及制备方法，属于光电倍增管技术领域，制备该阴极的碱源包括两种，分别为K源、Rb/Cs混合源。阴极制备过程中，首先在玻璃衬底上蒸镀一层增透膜，随后依次对K、Sb、K、Rb/Cs进行四步激活，通过调整Rb/Cs混合源中Rb、Cs的比例可以精确的控制阴极中Rb和Cs的占比，从而使制备的三碱光电阴极在不影响高量子效率的基础上达到低噪声的特性。

公开(公告)号：CN117577495A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202311633298.5

申请日：2023-12-01

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 张益军 ,  王麒铭 ,  刘晓荣 ,  钱芸生 ,  王兴超 ,  金睦淳 ,  王亮

IPC: H01J1/34 ,  H01J9/12

Abstract: 本发明公开了一种反射式多碱光电阴极及其制备方法，属于光电倍增管技术领域，该阴极包括镍基铝膜衬底层、石墨烯薄层和多碱发射层。首先在镍基铝膜衬底层上生长一层石墨烯薄层，其次以石墨烯为基底镀金属锑膜层，最后对金属锑进行Na、K、K‑Na、Cs四步碱金属激活，由此制得反射式多碱光电阴极。石墨烯的高热稳定特性可有效隔离衬底层与发射层，避免高温环境镍、铝与锑合金化造成的发射层损耗；石墨烯与多碱阴极具有较高兼容性，可以增强衬底对光的反射，提高发射层的长波响应。本发明能获得高阴极灵敏度，热稳定性强的反射式多碱光电阴极。

公开(公告)号：CN105405727A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201410459222.X

申请日：2014-09-10

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 常本康 ,  郝广辉 ,  金睦淳 ,  陈鑫龙 ,  张益军 ,  杨明珠

IPC: H01J9/12

Abstract: 本发明公开了一种紫外AlGaN光电阴极热清洗方法。所述方法为AlGaN光电阴极热清洗温度自室温(约20℃)加热到阴极热清洗所需的最高温度，升温过程采取温度梯度升高的方式，然后持续加热并保持最高温度不变，最后加热温度线性降低。与传统的热清洗方法制备的AlGaN光电阴极的光电发射性能相比，本发明中热清洗方法制备的AlGaN光电阴极的光电发射性能提高了11.61％。

公开(公告)号：CN105470103B

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201410456627.8

申请日：2014-09-09

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 常本康 ,  郝广辉 ,  张益军 ,  金睦淳 ,  冯琤 ,  陈鑫龙 ,  杨明珠

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种高性能AlGaN光电阴极化学清洗方法。所述方法包括将AlGaN光电阴极分别经有机溶剂、去离子水超声波清洗，然后经氢氧化钾溶液刻蚀清洗，硫酸混合溶液刻蚀清洗，最后经去离子水冲洗刻蚀，并在超声清洗仪中超声清洗。经本发明清洗方法制备的AlGaN光电阴极的量子效率比经传统的清洗方法制备的AlGaN光电阴极量子效率提高了35.48％。

公开(公告)号：CN103295855A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201310211048.2

申请日：2013-05-29

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 张益军 ,  常本康 ,  赵静 ,  陈鑫龙 ,  钱芸生 ,  任玲 ,  徐源 ,  郝广辉 ,  金睦淳 ,  鱼晓华

IPC: H01J1/34 ,  H01J9/12

Abstract: 本发明提供一种指数掺杂反射式GaAs光电阴极及其制备方法，该阴极自下而上由高质量的n型GaAs衬底、p型GaAs过渡层、p型Ga1-xAlxAs缓冲层、p型指数掺杂的GaAs发射层以及Cs/O激活层组成；其中，p型Ga1-xAlxAs缓冲层中x取值范围为0.5～0.8，厚度在500～1000nm，采用均匀掺杂方式；p型指数掺杂GaAs发射层为3个以上单元分层结构，掺杂浓度按内建电场减小型指数掺杂分布，从后界面处单元分层的1.0×1019cm-3下降到发射表面处单元分层的1.0×1018cm-3，总厚度为1000～3000nm。本发明中充当后界面电子壁垒的p型Ga1-xAlxAs缓冲层以及具有减小型内建电场的p型指数掺杂GaAs发射层，提高了在后界面处吸收近红外光产生电子的发射效率，使反射式GaAs光电阴极具有更高的近红外响应和积分灵敏度。

公开(公告)号：CN102610472B

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201210094925.8

申请日：2012-04-01

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 常本康 ,  陈鑫龙 ,  张益军 ,  赵静 ,  金睦淳 ,  钱芸生

IPC: H01J29/04 ,  H01J9/02

Abstract: 本发明公开了一种峰值响应在532nm敏感的反射式GaAlAs光电阴极及其制备方法，该阴极自下而上依此由GaAs衬底（1）、Ga1-x1Alx1As缓冲层（2）、Ga1-x2Alx2As掺杂浓度渐变发射层（3）以及Cs/O激活层（4）叠加而成。对生长好的GaAlAs光电阴极组件进行化学清洗、加热净化和（Cs，O）激活，最终在Ga1-x2Alx2As掺杂浓度渐变发射层表面形成Cs/O激活层。本发明解决了现有GaAs光电阴极响应波段宽、在532nm处噪声大、不能全天候使用的问题。

公开(公告)号：CN102610472A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201210094925.8

申请日：2012-04-01

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 常本康 ,  陈鑫龙 ,  张益军 ,  赵静 ,  金睦淳 ,  钱芸生

IPC: H01J29/04 ,  H01J9/02

Abstract: 本发明公开了一种峰值响应在532nm敏感的反射式GaAlAs光电阴极及其制备方法，该阴极自下而上依此由GaAs衬底（1）、Ga1-x1Alx1As缓冲层（2）、Ga1-x2Alx2As掺杂浓度渐变发射层（3）以及Cs/O激活层（4）叠加而成。对生长好的GaAlAs光电阴极组件进行化学清洗、加热净化和（Cs，O）激活，最终在Ga1-x2Alx2As掺杂浓度渐变发射层表面形成Cs/O激活层。本发明解决了现有GaAs光电阴极响应波段宽、在532nm处噪声大、不能全天候使用的问题。