-
公开(公告)号：CN109427518A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201710782391.0
申请日：2017-09-02
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01J9/12
Abstract: 本发明公开了一种提高GaAs光电阴极量子效率和寿命的激活方法，即在超高真空激活系统中，采用波长为532nm的单色光源替代传统的卤坞灯光源进行激活。其激活步骤包括：1.对待激活的GaAs样品进行化学清洗；2.对化学清洗后的样品进行高温净化；3.采用波长为532nm的单色光源照射阴极表面，通过Cs源持续，氧源断续的工艺对样品进行激活。通过上述方法所获得的GaAs光电阴极在量子效应和稳定性上都有了明显提高。
-
-
公开(公告)号：CN109427517A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201710782382.1
申请日：2017-09-02
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01J9/12
Abstract: 本发明公开了一种提高GaAs光电阴极光谱响应和稳定性的单色光照射条件激活方法，即在超高真空激活系统中，采用在红光波段的单色光光照下进行激活。包括如下步骤：1、对GaAs光电阴极进行脱脂清洗；2、对GaAs光电阴极进行化学刻蚀；3、在超高真空系统中对GaAs光电阴极进行高温净化；4、对净化后的GaAs光电阴极在红光波段的单色光光照下进行(Cs，O)激活。通过上述方式，本发明可以得到光谱响应更高、稳定性更好的GaAs光电阴极。
-
-
公开(公告)号：CN107123582A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710324608.3
申请日：2017-05-10
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开一种GaAs光电阴极的化学清洗方法，包括如下步骤：(10)脱脂清洗：将GaAs光电阴极置入有机溶剂，进行超声波脱脂清洗；(20)刻蚀清洗：将经过脱脂清洗的GaAs光电阴极置入刻蚀液，进行刻蚀清洗；(30)去离子水冲洗：将经过刻蚀清洗的GaAs光电阴极用离子水进行冲洗，得到清洁的GaAs光电阴极。本发明的GaAs光电阴极的化学清洗方法，净化效果好，光谱响应高。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106383302A
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201610699684.8
申请日：2016-08-22
Applicant: 南京理工大学
IPC: G01R31/26
CPC classification number: G01R31/2648
Abstract: 本发明公开了一种紫外发射材料的表面光电压谱测试装置，包括氘灯光源、斩光器、光栅单色仪、紫外分光光纤、光功率计、光电压池、锁相放大器和计算机；氘灯光源与光栅单色仪之间放置斩光器；紫外分光光纤入射端与光栅单色仪出光口相连，出射端分别与光电压池和光功率计相连；光电压池信号输出端与锁相放大器信号输入端相连；光功率计和锁相放大器通信端口与计算机串口相连。本发明采用完全密闭的紫外分光光纤，可有效降低外界杂散光对表面光电压信号的干扰；光电压池内导电玻璃采用深紫外透明导电玻璃，能够获得强度高、稳定性好的紫外发射材料表面光电压信号。
-
公开(公告)号：CN107230606B
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201610168591.2
申请日：2016-03-23
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01J9/12
Abstract: 本发明公开了一种提高砷化镓光电阴极稳定性的激活方法，包括铯源激活和氧源激活，其激活步骤如下：1、开启铯源，光电流逐渐上升，光电流达到峰值后下降；2、当光电流下降速率小于0.2μA/min时，开启氧源，并保持铯源开启状态，光电流转为上升；3、当光电流再次到达峰值时关闭氧源，光电流先小幅上升然后立刻下降；4、重复步骤2和3，直到光电流的峰值电流不再增加时，先后关闭氧源和铯源，结束激活过程。通过上述方式，本发明可以得到稳定性更好、量子效率更高的砷化镓光电阴极，同时由于操作步骤简单，为实现计算机自动控制激活提供了一种更好的激活方法。
-
公开(公告)号：CN107230606A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201610168591.2
申请日：2016-03-23
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01J9/12
CPC classification number: H01J9/12
Abstract: 本发明公开了一种提高砷化镓光电阴极稳定性的激活方法，包括铯源激活和氧源激活，其激活步骤如下：1、开启铯源，光电流逐渐上升，光电流达到峰值后下降；2、当光电流下降速率小于0.2μA/min时，开启氧源，并保持铯源开启状态，光电流转为上升；3、当光电流再次到达峰值时关闭氧源，光电流先小幅上升然后立刻下降；4、重复步骤2和3，直到光电流的峰值电流不再增加时，先后关闭氧源和铯源，结束激活过程。通过上述方式，本发明可以得到稳定性更好、量子效率更高的砷化镓光电阴极，同时由于操作步骤简单，为实现计算机自动控制激活提供了一种更好的激活方法。
-
公开(公告)号：CN109427518B
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201710782391.0
申请日：2017-09-02
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01J9/12
Abstract: 本发明公开了一种提高GaAs光电阴极量子效率和寿命的激活方法，即在超高真空激活系统中，采用波长为532nm的单色光源替代传统的卤坞灯光源进行激活。其激活步骤包括：1.对待激活的GaAs样品进行化学清洗；2.对化学清洗后的样品进行高温净化；3.采用波长为532nm的单色光源照射阴极表面，通过Cs源持续，氧源断续的工艺对样品进行激活。通过上述方法所获得的GaAs光电阴极在量子效应和稳定性上都有了明显提高。
-
公开(公告)号：CN107919256A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201610880304.0
申请日：2016-10-09
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种提高532nm波长处量子效率的反射式AlGaAs光电阴极及制备方法，该光电阴极由下而上由GaAs衬底层、分布式布拉格反射镜结构的缓冲层、AlGaAs发射层以及Cs/O激活层组成；所述的分布式布拉格反射镜结构的缓冲层由10-30对的Alx1Ga1-x1As/Alx2Ga1-x2As交叠层组成。本发明通过在缓冲层中引入分布式布拉格反射镜结构，通过设置Alx1Ga1-x1As/Alx2Ga1-x2As交叠层的厚度、层数以及Al组分值x1和x2，可降低532nm波长处的反射率，提高吸收率，最终提高532nm波长处的光电发射量子效率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
13
records
(took 0.018 seconds)
