公开(公告)号：CN103779436A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201410012850.3

申请日：2014-01-13

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 常本康 ,  郝广辉 ,  金睦辉 ,  陈鑫龙 ,  张益军 ,  杨明珠 ,  石峰 ,  程宏昌 ,  任彬

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/102 ,  H01L31/03048 ,  H01L31/1848

Abstract: 本发明提供一种透射式AlGaN紫外光电阴极及其制备方法。该阴极组件自下而上由高质量的蓝宝石衬底、p型均匀掺杂AlN缓冲层、p型变组分AlxGa1-xN发射层组成。其中，AlN缓冲层的厚度在50~500nm之间，采用p型均匀掺杂方式，掺杂原子为Mg；变组分的AlxGa1-xN发射层由N个AlxGa1-xN子层组成，其中N≥1，从上至下p型AlxGa1-xN子层的Al组分为x1、x2、···、xn-1、xn，且满足0.24≤x1≤x2≤···≤xn-1≤xn≤1，变组分的AlxGa1-xN发射层总厚度在20~150nm之间，掺杂原子为Mg，Mg掺杂浓度满足1×1014cm-3≤Nc≤1×1018cm-3。采用超高真空高温净化和Cs/O激活技术获得负电子亲和势表面。得到的透射式AlGaN紫外光电阴极。

公开(公告)号：CN103779436B

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201410012850.3

申请日：2014-01-13

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 常本康 ,  郝广辉 ,  金睦辉 ,  陈鑫龙 ,  张益军 ,  杨明珠 ,  石峰 ,  程宏昌 ,  任彬

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种透射式AlGaN紫外光电阴极及其制备方法。该阴极组件自下而上由高质量的蓝宝石衬底、p型均匀掺杂AlN缓冲层、p型变组分AlxGa1-xN发射层组成。其中，AlN缓冲层的厚度在50~500 nm之间，采用p型均匀掺杂方式，掺杂原子为Mg；变组分的AlxGa1-xN发射层由N个AlxGa1-xN子层组成，其中N≥1，从上至下p型AlxGa1-xN子层的Al组分为x1、x2、···、xn-1、xn，且满足0.24≤x1≤x2≤···≤xn-1≤xn≤1，变组分的AlxGa1-xN发射层总厚度在20~150 nm之间，掺杂原子为Mg，Mg掺杂浓度满足1×1014cm-3≤Nc≤1×1018cm-3。采用超高真空高温净化和Cs/O激活技术获得负电子亲和势表面。得到的透射式AlGaN紫外光电阴极。