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公开(公告)号：CN103693615B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201310741573.5
申请日：2013-12-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种锗纳米线结构的制作方法，该方法包括：将锗衬底或沉积有锗薄膜的衬底洗净，对其表面进行光刻和刻蚀，获得锗线条结构；在锗线条结构表面沉积覆盖氧化物或者氮化物侧墙材料；利用各向异性刻蚀方法，去除掉锗线条间覆盖的侧墙材料，得到三面包覆侧墙材料的锗线条；以及将该三面包覆侧墙材料的锗线条置于纯氧气或含有氧气的混合气体中，通过调节气体流量比进而控制氧气分压以及反应温度，得到锗纳米线结构。本发明提供的锗纳米线结构的制作方法，具有可大面积生长、工艺简便、纳米线直径可控以及制备成本低等优点。
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公开(公告)号：CN103700620A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201310733672.9
申请日：2013-12-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/768 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L21/28512 , H01L21/2855 , H01L29/45
Abstract: 本发明公开了一种制作金属与n型半导体锗源漏接触的方法，该方法包括：清洗n型半导体单晶锗片；在该清洗后的锗片上沉积NiSn合金；以及在氮气的氛围下进行退火合金化，形成NiSnGe合金，从而得到NiSnGe与n型半导体锗的源漏接触。本发明提供的制作金属与半导体锗源漏接触的方法，是在金属与n型锗接触之间引入应变元素Sn，降低了接触的势垒高度，使得在n型锗上能实现较低电阻率的接触，解决了采用锗作为沟道材料的器件的源漏接触问题，从而进一步提高半导体锗MOS器件的性能。
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公开(公告)号：CN103700581A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201310737885.9
申请日：2013-12-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/28 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/28 , H01L21/28512 , H01L29/45
Abstract: 本发明公开了一种制作金属与n型半导体锗源漏接触的方法，该方法包括：清洗n型半导体单晶锗片；利用含硫的钝化液对该n型半导体单晶锗片的表面进行钝化；以及在该钝化后的n型半导体单晶锗片表面沉积金属作为源漏接触。本发明提供的制作金属与半导体锗源漏接触的方法，是在金属与n型锗接触之间引入钝化层，使得在n型锗上能实现较低电阻率的接触，能解决采用锗作为沟道材料的器件的源漏问题，从而进一步提高半导体锗MOS器件的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103693615A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201310741573.5
申请日：2013-12-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种锗纳米线结构的制作方法，该方法包括：将锗衬底或沉积有锗薄膜的衬底洗净，对其表面进行光刻和刻蚀，获得锗线条结构；在锗线条结构表面沉积覆盖氧化物或者氮化物侧墙材料；利用各向异性刻蚀方法，去除掉锗线条间覆盖的侧墙材料，得到三面包覆侧墙材料的锗线条；以及将该三面包覆侧墙材料的锗线条置于纯氧气或含有氧气的混合气体中，通过调节气体流量比进而控制氧气分压以及反应温度，得到锗纳米线结构。本发明提供的锗纳米线结构的制作方法，具有可大面积生长、工艺简便、纳米线直径可控以及制备成本低等优点。
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公开(公告)号：CN103633123A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310670650.2
申请日：2013-12-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所
CPC classification number: H01L29/205 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L21/02546 , H01L21/02603 , H01L29/0669
Abstract: 本发明公开了一种纳米线衬底结构及其制备方法，该纳米线衬底结构包括：单晶衬底；形成于单晶衬底上的缓冲层；形成于缓冲层上的牺牲层；以及形成于牺牲层上的纳米线结构层。本发明是在磷化铟和砷化镓衬底上形成铟镓砷纳米线结构，为铟镓砷沟道纳米线环栅MOSFET提供基础，可应用于CMOS集成技术中，采用铟镓砷来替代硅作为沟道材料有利于提高NMOSFET的电学特性，而纳米线环栅场效应晶体管结构的栅控能力强，可以有效抑制MOSFET的短沟效应，提高器件电学特性。
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公开(公告)号：CN103022215A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210576570.6
申请日：2012-12-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种基于硅基锗外延的非波导近红外探测器及其制备方法，该非波导近红外探测器包括：n型Si衬底；于该n型Si衬底上沉积的SiO2层中制备的空气孔型或介质柱型光子晶体；在该光子晶体上形成的Ge基外延薄膜；在该Ge基外延薄膜上形成的P型Si；在该P型Si上形成的减反层；于刻蚀该减反层的外侧直至该n型Si衬底中而形成的台阶上制备的n型Si接触电极Al；于刻蚀该减反层的内侧直至该P型Si上表面而形成的台阶上制备的P型Si接触电极；以及在被刻蚀后的该减反层上形成的钝化层。利用本发明，解决了现有近红外探测器中二维光子晶体光子禁带效应的应用，以及Ge与Si晶格失配所产生的应力的释放等问题。
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公开(公告)号：CN102938380A
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：CN201210495451.8
申请日：2012-11-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/18
Abstract: 本发明公开了一种在Ⅲ-Ⅴ化合物半导体衬底制作超浅结的方法，包括：清洗具有外延层的单晶衬底；在该外延层用硫化铵或其他液体的表面钝化，在该钝化表面沉积介质作为阻挡层，以借助低温退火工艺将硫或其他元素扩散到单晶衬底以形成超浅结；或者，在单晶衬底上沉积大原子难熔金属作为扩散阻挡层将Ni、Ti以及它们的组合，以借助低温退火工艺扩散到单晶衬底以形成超浅结；或者，在钝化表面沉积大原子难熔金属作为扩散阻挡层将扩散金属Ni、Ti以及它们的组合和钝化元素，以借助低温退火工艺扩散到单晶衬底以形成具有混合相的超浅结。本发明提供的制作超浅结的方法，解决了在栅长到90nm以下时器件的源/漏问题，进而提高Ⅲ-Ⅴ化合物半导体MOS器件的性能。
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公开(公告)号：CN102931193A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210480455.9
申请日：2012-11-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L27/092 , H01L29/201
Abstract: 本发明涉及半导体集成技术领域，公开了一种高迁移率CMOS集成单元，该CMOS集成单元是将NMOSFET和PMOSFET集成于同一基底之上，且NMOSFET和PMOSFET以隔离区相隔离。该高迁移率CMOS集成单元采用高电子和空穴迁移率的铟镓锑作为沟道材料，将铟镓锑沟道CMOS集成单元平面集成到砷化镓衬底上，具有取代传统硅基CMOS器件的潜力，在后摩尔时代具有实际的应用价值。
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