公开(公告)号：CN106158615A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201510202692.2

申请日：2015-04-24

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 刘洪刚 ,  杨旭 ,  王盛凯 ,  龚著靖 ,  孙兵 ,  常虎东 ,  赵威

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28211

Abstract: 本发明提供一种臭氧钝化高k/Ge界面及改善高k栅介质的制造方法，该方法包括以下步骤：提供一个衬底，其中所述衬底为Ge衬底或者含有Ge薄膜表面的晶片；对所述衬底交替进行高k栅介质生长与臭氧处理，在所述衬底上形成高k/GeOx/Ge栅叠层结构；对所述高k栅介质进行低温氧气退火，以增强所述高k介质质量。利用臭氧钝化高k/Ge界面及改善高k栅介质的方法。不仅在Ge表面得到一层极薄的GeOx层，进而降低EOT，改善了高k/Ge界面质量，起到良好的高k/Ge界面钝化效果。

公开(公告)号：CN103681245A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310737833.1

申请日：2013-12-26

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 王盛凯 ,  杨旭 ,  刘洪刚 ,  孙兵 ,  常虎东 ,  赵威

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02096 ,  H01L21/0209

Abstract: 本发明公开了一种对锗片进行清洗及表面钝化的方法，包括：选择锗片，将锗片置于丙酮和乙醇溶液中分别进行超声清洗，去除锗片表面的有机污染物；采用盐酸溶液和去离子水对锗片进行清洗，去掉残留在锗片表面的不规整的本征氧化锗薄膜和金属离子；将锗片置于双氧水和氨水混合溶液中进行清洗，使得在锗片表面产生一层锗的氧化物薄膜作为牺牲层，从而去除锗片表面的缺陷；采用盐酸溶液对锗片进行钝化处理，从而用氯原子修饰锗表面的悬挂键，获得稳定的锗表面。本发明提供的锗表面清洗与钝化的方法，具有操作简单、使用方便、成本低廉、钝化效果明显等优点。

公开(公告)号：CN103700620A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201310733672.9

申请日：2013-12-26

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 刘洪刚 ,  龚著靖 ,  王盛凯 ,  韩乐 ,  杨旭 ,  常虎东 ,  孙兵 ,  赵威 ,  刘桂明

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/28512 ,  H01L21/2855 ,  H01L29/45

Abstract: 本发明公开了一种制作金属与n型半导体锗源漏接触的方法，该方法包括：清洗n型半导体单晶锗片；在该清洗后的锗片上沉积NiSn合金；以及在氮气的氛围下进行退火合金化，形成NiSnGe合金，从而得到NiSnGe与n型半导体锗的源漏接触。本发明提供的制作金属与半导体锗源漏接触的方法，是在金属与n型锗接触之间引入应变元素Sn，降低了接触的势垒高度，使得在n型锗上能实现较低电阻率的接触，解决了采用锗作为沟道材料的器件的源漏接触问题，从而进一步提高半导体锗MOS器件的性能。

公开(公告)号：CN103700581A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201310737885.9

申请日：2013-12-26

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 刘洪刚 ,  龚著靖 ,  王盛凯 ,  韩乐 ,  杨旭 ,  常虎东 ,  孙兵 ,  赵威 ,  刘桂明

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28 ,  H01L21/28512 ,  H01L29/45

Abstract: 本发明公开了一种制作金属与n型半导体锗源漏接触的方法，该方法包括：清洗n型半导体单晶锗片；利用含硫的钝化液对该n型半导体单晶锗片的表面进行钝化；以及在该钝化后的n型半导体单晶锗片表面沉积金属作为源漏接触。本发明提供的制作金属与半导体锗源漏接触的方法，是在金属与n型锗接触之间引入钝化层，使得在n型锗上能实现较低电阻率的接触，能解决采用锗作为沟道材料的器件的源漏问题，从而进一步提高半导体锗MOS器件的性能。