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公开(公告)号：CN102051179B
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN200910237097.7
申请日：2009-11-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液，该化学腐蚀液的配比为1g固体柠檬酸与3～4ml的双氧水，实现了对Al组分为0.8～0.9的砷化镓太阳电池帽层Al0.8～0.9GaAs/GaAs的选择性腐蚀。本发明提供的这种对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液，具有高的选择性腐蚀，能够实现GaAs太阳电池帽层选择腐蚀的目的，并且腐蚀液配制方便，具有很好的重复性。
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公开(公告)号：CN103219411A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310121413.0
申请日：2013-04-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/055 , H01L31/18 , H01L31/0216
CPC classification number: Y02E10/52 , Y02P70/521
Abstract: 一种纳米孔与金属颗粒复合陷光结构太阳能电池及制备方法，其中太阳能电池，包括：一P型硅基材料薄膜；一N+型硅纳米孔二维阵列层，其制作在P型硅基材料薄膜的上表面，该N+型硅纳米孔二维阵列层上有纳米孔；Ti/Pd/Ag条形欧姆金属电极，该Ti/Pd/Ag条形欧姆金属电极为条状，其间隔交叉地制作在N+型硅纳米孔二维阵列层的表面，并覆盖部分纳米孔；一P+型背电极接触层，其制作在P型硅基材料薄膜的下表面；一钝化层，其制作在P+型背电极接触层的表面，该钝化层形成有条形窗口区；Al金属欧姆电极，其制作在钝化层条形窗口区内；一金属颗粒层，其制作在钝化层的表面。本发明可以提高太阳能电池的光吸收和光电转换效率。
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公开(公告)号：CN103198997A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310093590.2
申请日：2013-03-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01J49/04
Abstract: 一种具有角度调节功能的样品托，包括：一基台，在圆心的直径方向有一条V形固定槽；一角度调节杆，为矩形结构，与角度调节杆纵向垂直的该角度调节杆下面有一条三角凸起，该三角凸起与基台上的V形固定槽配合；一弹簧，其一端位于基台上的通孔内，另一端位于角度调节杆上的第一通孔内，该弹簧的两端分别与第一小孔及第二小孔中的顶针固定；一螺杆，穿过角度调节杆上的第二通孔与基台上的螺纹通孔螺接。本发明具有一维调节角度功能的样品托，从而与厂家标配的样品台进行配合，实现样品的6维调节功能。
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公开(公告)号：CN103105325A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201310038944.3
申请日：2013-01-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种水平全限制相变量子点相变机理的检测方法。该方法在多种相变材料在水平金属电极间的高精度自对准制备的基础上，通过加电脉冲控制全限制量子点的相变，并且采用TEM对相变过程进行实时监测、记录，从而能够实时检测各量子点的相变，近似地模拟相同尺寸下垂直结构PCRAM的相变过程。
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公开(公告)号：CN102916048A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210408617.8
申请日：2012-10-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种基于体硅材料的无结硅纳米线晶体管及其制备方法。该无结硅纳米线晶体管包括：一体硅衬底，在体硅衬底上制作一P型或N型掺杂层，在该P型或N型掺杂层上制作一掺杂类型与之相反的N型或P型掺杂层，不同类型的掺杂层构成PN结起到电学隔离的作用；在N型或P型掺杂层上制作晶体管的源区、漏区和硅纳米线，硅纳米线连接源区与漏区构成导电沟道；一绝缘介质层制作在整个硅纳米线以及源、漏区表面；一多晶硅栅条，制作在源区与漏区之间，并完全包裹硅纳米线；一漏电极，该漏电极制作在硅的漏区上；一源电极，该源电极制作在硅的源区上；一栅电极，该栅电极制作在多晶硅栅条上。利用本发明，能够在体硅衬底上实现无结硅纳米线晶体管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102280454B
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201110241106.7
申请日：2011-08-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/78 , H01L21/84 , H01L21/336
Abstract: 一种半导体晶体管结构，包括：一绝缘体上硅，该绝缘体上硅包括埋氧层和顶层硅，该顶层硅的中间有一凹部，该凹部两侧分别为顶层硅的源区和漏区，该源区和漏区之间通过多个硅鳍状结构连接形成沟道，该顶层硅的源区、漏区和硅鳍状结构为同一掺杂类型；一栅极导电条制作在凹部内，并包裹硅鳍状结构；一漏电极，该漏电极制作在顶层硅的漏区上；一源电极，该源电极制作在顶层硅的源区上；一栅电极，该栅电极制作在栅极导电条上。
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公开(公告)号：CN102723357A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201210110576.4
申请日：2012-04-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/10 , H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 一种沟道型碳化硅肖特基二极管，包括：一外延片，具有上、下表面，该外延片的上面向下开有一沟道，该沟道内的底部注入有P型离子，在该沟道的底部形成P+区；一氧化膜层，制作在外延片沟道的内壁面上，该氧化膜层的厚度为10纳米-10微米；一多晶硅层，制作在氧化膜层上，并充满外延片的沟道内；一肖特基金属电极，制作在外延片上，并覆盖该外延片的沟道；一欧姆接触电极，制作在外延片的下表面。本发明改进了沟道型肖特基器件的结构，使反向承压时最高场强从沟道金属和氧化硅膜界面处转移到碳化硅外延片中，从而避免破坏性击穿。
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公开(公告)号：CN102623253A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210105187.2
申请日：2012-04-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01H59/00
Abstract: 本发明公开了一种快速射频微机械开关，包括复合悬臂梁、驱动下电极、射频传输线和高阻硅衬底，复合悬臂梁是由上下两层介质层和中间的金属层构成的三明治结构，该快速射频微机械开关采用inline排布，复合悬臂梁位于驱动下电极的正上方，平行于射频传输线；复合悬臂梁结构中的金属层作为驱动上电极，在开关导通时复合悬臂梁成为信号线的一部分；在复合悬臂梁的自由端形成金属接触头，在复合悬臂梁两侧有一对支撑小臂；三明治结构的复合悬臂梁通过锚点固定于射频传输线上。本发明在保持较低驱动电压的前提下实现了μs级的开关时间，通过调节三明治结构上下介质层的生长条件改善了应力问题，提高了开关的可靠性。
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公开(公告)号：CN101997029B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200910091632.2
申请日：2009-08-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L21/78
Abstract: 一种高迁移率量子点场效应晶体管，包括：一衬底；一第一应力缓冲层制作在衬底上；一第二应力缓冲层制作在第一应力缓冲层上；一掺杂层制作在第二应力缓冲层上；一间隔层制作在掺杂层上；一沟道层制作在间隔层上；一下势垒层制作在沟道层上；一量子点层制作在下势垒层上；一上势垒层制作在量子点层上，该上势垒层上面的中间有一凹形台面，该凹形台面的一侧为源区，另一侧为漏区；两帽层，该两帽层分别制作在上势垒层两侧的源区和漏区上；一第一电极制作在一帽层的上面；一第二电极制作在另一帽层的上面；一第三电极制作在上势垒层上面的凹形台面上。
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公开(公告)号：CN102593356A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210088406.0
申请日：2012-03-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种与光刻分辨率无关的水平相变存储器的制备方法，包括：在衬底上依次生长电热绝缘材料层、相变材料层和牺牲材料层；通过光刻和干法刻蚀的方法，形成制备侧墙的台阶；淀积侧墙材料层保形覆盖样品上表面；干法回刻侧墙材料层，去除侧墙材料层，形成高和宽均为纳米尺度的侧墙；湿法腐蚀去除牺牲材料层；干法刻蚀相变材料层，形成相变材料的纳米线；在侧墙材料层的一条边上，制备一条抗腐蚀的电极材料层，横向跨置由牺牲材料层和侧墙材料层构造的纵向叠层纳米线结构；湿法腐蚀去除侧墙材料层；通过金属电极材料层掩膜，干法刻蚀去除电极材料层下方以外的相变材料层；剥离，形成相变材料层全限制在电极材料层间的结构，钝化并引出测试电极，完成器件的制备。
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