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公开(公告)号：CN101997538B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN200910091405.X
申请日：2009-08-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H03K19/094 , H01L27/02
Abstract: 本发明公开了一种基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路，该电路由树突电路、积分求和器和脉冲发生电路三部分依次连接构成。该脉冲耦合神经元电路的特点是输出和输入均为脉冲序列串，该电路的器件均为硅纳米线CMOS晶体管。树突电路由一组并联的P型纳米线MOS晶体管与一N型纳米线MOS晶体管通过漏端节点相串联而构成CMOS电路，P型纳米线MOS晶体管的源端输入脉冲电压信号；积分求和器由一电容C∑构成，该电容与树突电路中的P型与N型纳米线MOS晶体管的漏端节点相连接，积累加权电流形成触发电压信号；脉冲发生电路由偶数个串联的CMOS反相器与树突CMOS电路形成反馈回路，产生脉冲序列串输出，输出脉冲序列串的频率受到输入电压脉冲信号的调制。
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公开(公告)号：CN101860357A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN201010201589.3
申请日：2010-06-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H03K19/094
Abstract: 本发明公开了一种利用时间编码控制权重和信息整合的方法，该方法包括：利用树突电路实现权值的空间分布控制；利用树突电路实现特征参量与权值的对应关系；以及利用树突电路实现权值的时间分布控制。本发明利用输入信号在时间与空间分配的有机组合，实现了权重的动态分布控制，利用CMOS反相器的噪声容限特性来改变神经元电路的输出脉冲频率，使数字信号增加了模拟变化参量。利用本发明，有助于理解和模拟生物学神经元的信息处理的方式。
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公开(公告)号：CN102201483B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201110124310.0
申请日：2011-05-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/105 , H01L31/0352 , H01L31/18 , B81C1/00
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器，包括：一硅衬底；一氧化硅层，该氧化硅层制作在硅衬底上；一工形台面结构，该工形台面结构制作在氧化硅层上，该工形台面结构的两端为P型电极和N型电极，该P型电极和N型电极之间连接有硅纳米线光栅共振腔结构；一保护层，该保护层制作在工形台面结构的表面和侧面，在工形台面结构的两端的P型电极和N型电极上开有电极窗口；一金属栅电极，该金属栅电极制作在硅纳米线共振腔结构的保护层上，并靠近N型电极的一侧；两光电流输出金属电极，该光电流输出金属电极制作在工形台面结构的P型电极和N型电极上保护层的电极窗口内。
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公开(公告)号：CN101860357B
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201010201589.3
申请日：2010-06-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H03K19/094
Abstract: 本发明公开了一种利用时间编码控制权重和信息整合的方法，该方法包括：利用树突电路实现权值的空间分布控制；利用树突电路实现特征参量与权值的对应关系；以及利用树突电路实现权值的时间分布控制。本发明利用输入信号在时间与空间分配的有机组合，实现了权重的动态分布控制，利用CMOS反相器的噪声容限特性来改变神经元电路的输出脉冲频率，使数字信号增加了模拟变化参量。利用本发明，有助于理解和模拟生物学神经元的信息处理的方式。
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公开(公告)号：CN102280454A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110241106.7
申请日：2011-08-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/78 , H01L21/84 , H01L21/336
Abstract: 一种半导体晶体管结构，包括：一绝缘体上硅，该绝缘体上硅包括埋氧层和顶层硅，该顶层硅的中间有一凹部，该凹部两侧分别为顶层硅的源区和漏区，该源区和漏区之间通过多个硅鳍状结构连接形成沟道，该顶层硅的源区、漏区和硅鳍状结构为同一掺杂类型；一栅极导电条制作在凹部内，并包裹硅鳍状结构；一漏电极，该漏电极制作在顶层硅的漏区上；一源电极，该源电极制作在顶层硅的源区上；一栅电极，该栅电极制作在栅极导电条上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102437182A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110392863.4
申请日：2011-12-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/423 , H01L21/335 , H01L21/28
Abstract: 一种SiO2/SiN双层钝化T型栅AlGaN/GaN HEMT，包括：一衬底，在衬底上依次生长GaN缓冲层、GaN本征层和AlGaN势垒层；源漏电极，该源漏电极制作在势垒层上面的两侧；一下钝化层，制作在源漏电极之间及势垒层的上面；一上钝化层，制作在源漏电极之间及下钝化层的上面；其中该下钝化层和上钝化层的中间有一条形栅槽；一栅电极，其断面为T形，制作在该下钝化层和上钝化层的条形栅槽内，栅电极上部高于上钝化层的表面。
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公开(公告)号：CN102916048A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210408617.8
申请日：2012-10-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种基于体硅材料的无结硅纳米线晶体管及其制备方法。该无结硅纳米线晶体管包括：一体硅衬底，在体硅衬底上制作一P型或N型掺杂层，在该P型或N型掺杂层上制作一掺杂类型与之相反的N型或P型掺杂层，不同类型的掺杂层构成PN结起到电学隔离的作用；在N型或P型掺杂层上制作晶体管的源区、漏区和硅纳米线，硅纳米线连接源区与漏区构成导电沟道；一绝缘介质层制作在整个硅纳米线以及源、漏区表面；一多晶硅栅条，制作在源区与漏区之间，并完全包裹硅纳米线；一漏电极，该漏电极制作在硅的漏区上；一源电极，该源电极制作在硅的源区上；一栅电极，该栅电极制作在多晶硅栅条上。利用本发明，能够在体硅衬底上实现无结硅纳米线晶体管。
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公开(公告)号：CN102280454B
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201110241106.7
申请日：2011-08-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/78 , H01L21/84 , H01L21/336
Abstract: 一种半导体晶体管结构，包括：一绝缘体上硅，该绝缘体上硅包括埋氧层和顶层硅，该顶层硅的中间有一凹部，该凹部两侧分别为顶层硅的源区和漏区，该源区和漏区之间通过多个硅鳍状结构连接形成沟道，该顶层硅的源区、漏区和硅鳍状结构为同一掺杂类型；一栅极导电条制作在凹部内，并包裹硅鳍状结构；一漏电极，该漏电极制作在顶层硅的漏区上；一源电极，该源电极制作在顶层硅的源区上；一栅电极，该栅电极制作在栅极导电条上。
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公开(公告)号：CN102201483A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201110124310.0
申请日：2011-05-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/105 , H01L31/0352 , H01L31/18 , B81C1/00
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器，包括：一硅衬底；一氧化硅层，该氧化硅层制作在硅衬底上；一工形台面结构，该工形台面结构制作在氧化硅层上，该工形台面结构的两端为P型电极和N型电极，该P型电极和N型电极之间连接有硅纳米线光栅共振腔结构；一保护层，该保护层制作在工形台面结构的表面和侧面，在工形台面结构的两端的P型电极和N型电极上开有电极窗口；一金属栅电极，该金属栅电极制作在硅纳米线共振腔结构的保护层上，并靠近N型电极的一侧；两光电流输出金属电极，该光电流输出金属电极制作在工形台面结构的P型电极和N型电极上保护层的电极窗口内。
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公开(公告)号：CN101997538A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200910091405.X
申请日：2009-08-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H03K19/094 , H01L27/02
Abstract: 本发明公开了一种基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路，该电路由树突电路、积分求和器和脉冲发生电路三部分依次连接构成。该脉冲耦合神经元电路的特点是输出和输入均为脉冲序列串，该电路的器件均为硅纳米线CMOS晶体管。树突电路由一组并联的P型纳米线MOS晶体管与一N型纳米线MOS晶体管通过漏端节点相串联而构成CMOS电路，P型纳米线MOS晶体管的源端输入脉冲电压信号；积分求和器由一电容C∑构成，该电容与树突电路中的P型与N型纳米线MOS晶体管的漏端节点相连接，积累加权电流形成触发电压信号；脉冲发生电路由偶数个串联的CMOS反相器与树突CMOS电路形成反馈回路，产生脉冲序列串输出，输出脉冲序列串的频率受到输入电压脉冲信号的调制。
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