公开(公告)号：CN102136492B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201010520266.0

申请日：2010-10-20

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 李越强 ,  王晓东 ,  徐晓娜 ,  刘雯 ,  陈燕玲 ,  杨富华

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种基于自组织量子点的存储器及其制备方法，该存储器利用量子点作为载流子储存单元，一个信息位(bit)的两种状态(“0”和“1”)用量子点(QD)的两种充电状态来表示。量子点位于p-n结耗尽区之内，利用耗尽区实现存储器的两种操作，“写入”和“存储”。一个二维电子气(2DEG)沟道层位于量子点层之下，p-n结耗尽区之外，通过其实现存储器的“读出”和“擦除”操作。本发明结构简单，制备工艺简单有效，综合了目前市场上主流存储器，即动态随机存储器(DRAM)和闪存的优点，具有读、写、擦除速度快，可实现非挥发性存储，寿命长，耗电少，工作电压较低等优点，并且也是一种实现高速逻辑的可行方法。

公开(公告)号：CN102136492A

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN201010520266.0

申请日：2010-10-20

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 李越强 ,  王晓东 ,  徐晓娜 ,  刘雯 ,  陈燕玲 ,  杨富华

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种基于自组织量子点的存储器及其制备方法，该存储器利用量子点作为载流子储存单元，一个信息位(bit)的两种状态(“0”和“1”)用量子点(QD)的两种充电状态来表示。量子点位于p-n结耗尽区之内，利用耗尽区实现存储器的两种操作，“写入”和“存储”。一个二维电子气(2DEG)沟道层位于量子点层之下，p-n结耗尽区之外，通过其实现存储器的“读出”和“擦除”操作。本发明结构简单，制备工艺简单有效，综合了目前市场上主流存储器，即动态随机存储器(DRAM)和闪存的优点，具有读、写、擦除速度快，可实现非挥发性存储，寿命长，耗电少，工作电压较低等优点，并且也是一种实现高速逻辑的可行方法。

公开(公告)号：CN101997029A

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN200910091632.2

申请日：2009-08-26

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 李越强 ,  刘雯 ,  王晓东 ,  陈燕玲 ,  杨富华

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L21/78

Abstract: 一种高迁移率量子点场效应晶体管，包括：一衬底；一第一应力缓冲层制作在衬底上；一第二应力缓冲层制作在第一应力缓冲层上；一掺杂层制作在第二应力缓冲层上；一间隔层制作在掺杂层上；一沟道层制作在间隔层上；一下势垒层制作在沟道层上；一量子点层制作在下势垒层上；一上势垒层制作在量子点层上，该上势垒层上面的中间有一凹形台面，该凹形台面的一侧为源区，另一侧为漏区；两帽层，该两帽层分别制作在上势垒层两侧的源区和漏区上；一第一电极制作在一帽层的上面；一第二电极制作在另一帽层的上面；一第三电极制作在上势垒层上面的凹形台面上。

公开(公告)号：CN101997029B

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN200910091632.2

申请日：2009-08-26

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 李越强 ,  刘雯 ,  王晓东 ,  陈燕玲 ,  杨富华

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L21/78

Abstract: 一种高迁移率量子点场效应晶体管，包括：一衬底；一第一应力缓冲层制作在衬底上；一第二应力缓冲层制作在第一应力缓冲层上；一掺杂层制作在第二应力缓冲层上；一间隔层制作在掺杂层上；一沟道层制作在间隔层上；一下势垒层制作在沟道层上；一量子点层制作在下势垒层上；一上势垒层制作在量子点层上，该上势垒层上面的中间有一凹形台面，该凹形台面的一侧为源区，另一侧为漏区；两帽层，该两帽层分别制作在上势垒层两侧的源区和漏区上；一第一电极制作在一帽层的上面；一第二电极制作在另一帽层的上面；一第三电极制作在上势垒层上面的凹形台面上。