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公开(公告)号：CN107238842B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201610188133.5
申请日：2016-03-29
Applicant: 中国人民解放军92232部队 , 中国科学院半导体研究所
IPC: G01S17/89
Abstract: 本发明提供了一种面阵目标搜索扫描成像装置，所述装置包括：成像模组(12)、方位伺服机构(8)、俯仰伺服机构(9)和控制处理模块(10)；所述成像模组(12)用于对扫描区域产生均匀激光照明，接收目标的激光回波信号，分别用于成像和目标测距，并将形成的三维图像和目标电信号输出至控制处理模块(10)；所述方位伺服机构(8)和俯仰伺服机构(9)，用于承载和驱动成像模组(12)对扫描区域进行搜索成像探测；所述控制处理模块用于产生测距和成像同步工作时序，控制和驱动方位伺服机构(8)和俯仰伺服机构(9)；根据目标电信号对目标进行测距，从而对目标实现选通成像。本发明的装置能够实现大范围三维高分辨率成像搜索和探测。
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公开(公告)号：CN101997029A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200910091632.2
申请日：2009-08-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L21/78
Abstract: 一种高迁移率量子点场效应晶体管，包括：一衬底；一第一应力缓冲层制作在衬底上；一第二应力缓冲层制作在第一应力缓冲层上；一掺杂层制作在第二应力缓冲层上；一间隔层制作在掺杂层上；一沟道层制作在间隔层上；一下势垒层制作在沟道层上；一量子点层制作在下势垒层上；一上势垒层制作在量子点层上，该上势垒层上面的中间有一凹形台面，该凹形台面的一侧为源区，另一侧为漏区；两帽层，该两帽层分别制作在上势垒层两侧的源区和漏区上；一第一电极制作在一帽层的上面；一第二电极制作在另一帽层的上面；一第三电极制作在上势垒层上面的凹形台面上。
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公开(公告)号：CN102051179A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910237097.7
申请日：2009-11-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液，该化学腐蚀液的配比为1g固体柠檬酸与3～4ml的双氧水，实现了对Al组分为0.8～0.9的砷化镓太阳电池帽层Al0.8～0.9GaAs/GaAs的选择性腐蚀。本发明提供的这种对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液，具有高的选择性腐蚀，能够实现GaAs太阳电池帽层选择腐蚀的目的，并且腐蚀液配制方便，具有很好的重复性。
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公开(公告)号：CN107241533B
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201610188617.X
申请日：2016-03-29
Applicant: 中国人民解放军92232部队 , 中国科学院半导体研究所 , 西安应用光学研究所
Abstract: 本发明提供了一种水下面阵扫描激光成像装置，所述装置包括：运载器(l)、电学模块(19)和成像模块(18)；所述运载器(1)是整个装置的外壳，所述电学模块(19)包括照明激光器(15)、组合惯导(16)和控制处理单元(17)；所述电学模块(19)的各部件固定在安装板(22)两侧，通过安装板(22)与运载器(1)固定；所述成像模块(18)包括纵摇伺服机构(5)、横滚伺服机构(6)和光学成像模组(14)，所述光学成像模组(14)包括成像镜头(7)、滤光片(8)、选通成像传感器(9)和照明镜头(l0)；所述照明激光器(15)发射的激光通过传能光纤(11)传输至照明镜头(10)。本发明的装置具有小型化，能够在水下实现面阵扫描的特点。
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公开(公告)号：CN102051179B
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN200910237097.7
申请日：2009-11-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液，该化学腐蚀液的配比为1g固体柠檬酸与3～4ml的双氧水，实现了对Al组分为0.8～0.9的砷化镓太阳电池帽层Al0.8～0.9GaAs/GaAs的选择性腐蚀。本发明提供的这种对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液，具有高的选择性腐蚀，能够实现GaAs太阳电池帽层选择腐蚀的目的，并且腐蚀液配制方便，具有很好的重复性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101997029B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200910091632.2
申请日：2009-08-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L21/78
Abstract: 一种高迁移率量子点场效应晶体管，包括：一衬底；一第一应力缓冲层制作在衬底上；一第二应力缓冲层制作在第一应力缓冲层上；一掺杂层制作在第二应力缓冲层上；一间隔层制作在掺杂层上；一沟道层制作在间隔层上；一下势垒层制作在沟道层上；一量子点层制作在下势垒层上；一上势垒层制作在量子点层上，该上势垒层上面的中间有一凹形台面，该凹形台面的一侧为源区，另一侧为漏区；两帽层，该两帽层分别制作在上势垒层两侧的源区和漏区上；一第一电极制作在一帽层的上面；一第二电极制作在另一帽层的上面；一第三电极制作在上势垒层上面的凹形台面上。
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公开(公告)号：CN107238842A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201610188133.5
申请日：2016-03-29
Applicant: 中国人民解放军92232部队 , 中国科学院半导体研究所
IPC: G01S17/89
Abstract: 本发明提供了一种面阵目标搜索扫描成像装置，所述装置包括：成像模组(12)、方位伺服机构(8)、俯仰伺服机构(9)和控制处理模块(10)；所述成像模组(12)用于对扫描区域产生均匀激光照明，接收目标的激光回波信号，分别用于成像和目标测距，并将形成的三维图像和目标电信号输出至控制处理模块(10)；所述方位伺服机构(8)和俯仰伺服机构(9)，用于承载和驱动成像模组(12)对扫描区域进行搜索成像探测；所述控制处理模块用于产生测距和成像同步工作时序，控制和驱动方位伺服机构(8)和俯仰伺服机构(9)；根据目标电信号对目标进行测距，从而对目标实现选通成像。本发明的装置能够实现大范围三维高分辨率成像搜索和探测。
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公开(公告)号：CN107241533A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201610188617.X
申请日：2016-03-29
Applicant: 中国人民解放军92232部队 , 中国科学院半导体研究所 , 西安应用光学研究所
Abstract: 本发明提供了一种水下面阵扫描激光成像装置，所述装置包括：运载器(l)、电学模块(19)和成像模块(18)；所述运载器(1)是整个装置的外壳，所述电学模块(19)包括照明激光器(15)、组合惯导(16)和控制处理单元(17)；所述电学模块(19)的各部件固定在安装板(22)两侧，通过安装板(22)与运载器(1)固定；所述成像模块(18)包括纵摇伺服机构(5)、横滚伺服机构(6)和光学成像模组(14)，所述光学成像模组(14)包括成像镜头(7)、滤光片(8)、选通成像传感器(9)和照明镜头(l0)；所述照明激光器(15)发射的激光通过传能光纤(11)传输至照明镜头(10)。本发明的装置具有小型化，能够在水下实现面阵扫描的特点。
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公开(公告)号：CN102136492B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201010520266.0
申请日：2010-10-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/772 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种基于自组织量子点的存储器及其制备方法，该存储器利用量子点作为载流子储存单元，一个信息位(bit)的两种状态(“0”和“1”)用量子点(QD)的两种充电状态来表示。量子点位于p-n结耗尽区之内，利用耗尽区实现存储器的两种操作，“写入”和“存储”。一个二维电子气(2DEG)沟道层位于量子点层之下，p-n结耗尽区之外，通过其实现存储器的“读出”和“擦除”操作。本发明结构简单，制备工艺简单有效，综合了目前市场上主流存储器，即动态随机存储器(DRAM)和闪存的优点，具有读、写、擦除速度快，可实现非挥发性存储，寿命长，耗电少，工作电压较低等优点，并且也是一种实现高速逻辑的可行方法。
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公开(公告)号：CN102136492A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201010520266.0
申请日：2010-10-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/772 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种基于自组织量子点的存储器及其制备方法，该存储器利用量子点作为载流子储存单元，一个信息位(bit)的两种状态(“0”和“1”)用量子点(QD)的两种充电状态来表示。量子点位于p-n结耗尽区之内，利用耗尽区实现存储器的两种操作，“写入”和“存储”。一个二维电子气(2DEG)沟道层位于量子点层之下，p-n结耗尽区之外，通过其实现存储器的“读出”和“擦除”操作。本发明结构简单，制备工艺简单有效，综合了目前市场上主流存储器，即动态随机存储器(DRAM)和闪存的优点，具有读、写、擦除速度快，可实现非挥发性存储，寿命长，耗电少，工作电压较低等优点，并且也是一种实现高速逻辑的可行方法。
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