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公开(公告)号：CN101050978A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200710039952.4
申请日：2007-04-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种防非红外辐射入射面响应的碲镉汞红外探测器芯片，该芯片的结构特征是：在光敏元区上开有一红外辐射入射窗口，窗口四周置有Ti/Au抗红外辐射层，碲镉汞薄片侧面除了有阳极氧化层和ZnS层构成的双层钝化层外，还有一层Ti/Au抗红外辐射层。这种结构的优点是：采用侧面生长抗红外辐射层，可以阻挡侧面对红外光线的响应，从而大大减小侧面的噪声。光敏元窗口四周生长抗红外辐射层的目的是为了避免芯片在制备过程中引入钻蚀问题，带来的钝化效果不好，从而这一部分响应所带来的低信噪比；避免器件在制备过程中由于等离子体刻蚀引入的损伤，进一步提高信噪比。本发明的结构特别适合于侧面积与光敏元面积比≥10％，也适用于多元小光敏元器件。
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公开(公告)号：CN117346898A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311092988.4
申请日：2023-08-28
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种高灵敏度大动态范围的红外焦平面异形读出单元电路，具体结构为四个CTIA输入级模块围绕着一个混合输入级模块来输入光生电流或者电压信号，它们分别承担着不同的功能，每2×2个CTIA输入级模块阵列中间，含有一个直接输入模式/对数模式可切换的混合输入级模块，即4个高灵敏度的CTIA输入像素和1个大动态范围的混合输入级像素，5个像素构成了一个异形电路像元。其中每个像素单元上都预留了对应的光敏芯片互联PAD。本发明的优点在于：CTIA输入级模块的特点为高注入效率以及高灵敏度；混合输入级模块的特点为大动态范围、小面积和低功耗。
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公开(公告)号：CN116207176A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310252923.5
申请日：2023-03-16
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0735 , H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种改善延伸波长InGaAs晶圆翘曲的缓冲层结构及其制备方法，所述缓冲层结构自下而上依次包含晶格匹配缓冲层、组分线性递增缓冲层、组分线性递减缓冲层、固定组分缓冲层。所述晶格匹配缓冲层材料为In0.52Al0.48As或InP，所述组分线性递增缓冲层的材料为InxAl1‑xAs或InAsyP1‑y，其中自所述组分线性递增缓冲层下端至上端，x由0.52线性递增至a，0.85≤a≤1，或y由0线性递增至b，0.7≤b≤1，所述组分线性递减缓冲层的下端的所述组分线性递增缓冲层的上端晶格匹配，而后组分线性递减至与延伸波长InGaAs晶格匹配，所述固定组分缓冲层与延伸波长InGaAs层晶格匹配。本发明利用缓冲层内部应力相互作用来改善外延片晶圆翘曲，从而提高焦平面探测器制备规模和成品率。
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公开(公告)号：CN110444607B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201910618698.6
申请日：2019-07-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/02 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/105 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种带有应力平衡层的大规模铟镓砷焦平面探测器及制备方法，所述的大规模铟镓砷焦平面探测器在半绝缘InP衬底的背面有应力平衡层。探测器制备的具体步骤如下：1)淀积氮化硅刻蚀掩膜，2)台面刻蚀，3)开N槽，4)生长P电极，5)快速热退火，6)淀积氮化硅钝化膜，7)开P、N电极孔，8)生长加厚电极，9)生长应力平衡层，10)金属化并生长铟柱，11)铟柱剥离并划片。本发明的优点在于：大面阵焦平面探测器平面度好，铟柱形貌更均一，器件耦合连通率高，制备工艺更简单，器件成品率高。
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公开(公告)号：CN108400172B
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201810090438.1
申请日：2018-01-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/105
Abstract: 本发明公开了一种集成亚波长结构的聚合物和纳米材料的InGaAs探测器，从上至下其结构依次为：亚波长结构的聚合物和纳米材料、InP缓冲层、InGaAs吸收层、InP帽层、SiO2介质层、光敏芯片铟柱、读出电路铟柱、读出电路。本发明的优点为：第一，通过集成高折射率的亚波长材料，能够进一步提升传统可见拓展InGaAs器件的量子效率；第二，相比传统增透膜材料，基于亚波长结构的聚合物和纳米材料具有高度的材料和结构调控性，此外具备高生产效率和更低的生产成本；第三，该亚波长结构能够降低探测系统复杂度及尺寸，并与探测器实现工艺兼容。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110205673A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910411829.3
申请日：2019-05-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于气态源分子束外延的大失配InGaAs材料生长方法，在失配衬底上覆盖多层石墨烯，放入气态源分子束外延系统生长室中升至高温，将砷烷经过高温裂解后通至生长室维持30分钟，然后降温至生长所需的温度，打开铟和镓束源炉快门，生长InGaAs材料。此生长方法利用了气态源分子束外延的特点，可以不受InGaAs材料与衬底晶格失配的影响，突破衬底的限制。本发明还可以推广到其他的III-V族砷化物和磷化物失配材料的生长，具有很好的通用性。
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公开(公告)号：CN109769370A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201910021586.2
申请日：2019-01-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H05K7/20
Abstract: 本发明公开了一种用于深低温场景数百瓦制冷功率的电阻阵列冷却装置，装置包括换热装置、芯柱、外壳、盖帽、光学窗口等部分。装置带有排气管及进出液口，在其内部集成了大功率电阻阵列芯片，利用循环液体冷却的方法对其进行制冷。工作时冷却液从进液口进入换热室，经内部循环后从出液口流出。工作时排气口接真空泵，对装置内部除气，防止芯片表面结霜。该装置在选取液氮作为循环冷却介质时，可以满足功率在500W以下的大功率电阻阵列芯片在100K深低温环境下的制冷需求，同时装置可靠性高，不会出现材料间热失配现象。
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公开(公告)号：CN109449238A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811176503.9
申请日：2018-10-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种大规模小像元铟镓砷焦平面探测器制备方法，具体步骤如下：1)淀积氮化硅扩散掩膜，2)开扩散窗口，3)闭管扩散，4)生长P电极，5)快速热退火，6)开N槽，7)淀积氮化硅钝化膜，8)开P、N电极孔，9)生长加厚电极，10)金属化，11)生长铟柱。本发明的优点在于：1、制备工艺更简单，首先生长P区电极的工艺方法，降低光刻偏差和过刻蚀可能导致的P区电极与N区InP材料之间的导通风险；2、引入感应耦合等离子体化学气相沉积(ICPCVD)技术生长低温氮化硅钝化膜，芯片的表面钝化层结构致密，降低工艺过程对材料表面造成的损伤，改善表面钝化效果；3、金属化区域和铟柱区域一体化光刻生长技术，降低器件的接触电阻。
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公开(公告)号：CN109280967A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201811274504.7
申请日：2018-10-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: C30B25/16
Abstract: 本发明涉及一种分子束外延不同类型束源炉参数换算的方法，根据不同类型束源炉在两个温度点生长的材料生长速率或多元材料组分，获得束源炉对应生长速率或组分随温度的变化关系，实现对不同类型束源炉温度参数的换算。本发明的方法可以在不使用束流规的情况下，实现对分子束外延中束源炉温度参数的快速估计和定位，高效地实现对多元材料组分精确控制和多元材料生长，大幅提高束源炉参数的调节效率。本发明适用于In、Ga、Al、Si、Ge等多种束源炉，以及气态源分子束外延、固态源分子束外延等多种方式和设备，具有很好的通用性。
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公开(公告)号：CN108489609A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810089435.6
申请日：2018-01-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种FTIR测量光电探测器响应的宽谱校正方法，本方法以作为FTIR光谱仪标准配置的具有宽光谱范围平坦响应的热释电探测器为基础，得到该探测器及放大电路对选定光源和分束器组合在不同扫描速度下的响应，提取相关数据并拟合出该探测器及放大电路的频率响应特性。利用此频率响应特性对特定光源和分束器组合的原始输出特性进行校正，即得到其实际的输出特性。以此校正后的实际输出特性作为背景光谱，即可对测量所得的光电探测器原始响应光谱进行参比操作，得到校正后的光电探测器实际响应光谱。鉴于热释电探测器是FTIR光谱仪的标配且具有宽谱响应，因而此方法是普适且宽谱的，适用于各种FTIR光谱仪中不同的光源和分束器组合。
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