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公开(公告)号：CN110224045B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201910411821.7
申请日：2019-07-16
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216
Abstract: 本发明公开了一种柔性InGaAs探测器的制备方法：在InP衬底上覆盖单层石墨烯，然后再生长InGaAs探测器结构材料和制备InGaAs探测器结构，最后将InGaAs探测器结构与InP衬底剥离。本发明可以方便地进行高质量InP和InGaAs外延层的生长；在器件制备工艺过程中保留了衬底，为器件工艺操作带来很大的方便；利用单层石墨烯的特性可以方便地采用热释放胶带与衬底剥离，从而实现柔性InGaAs探测器的制备。本发明还可以推广到其他柔性III‑V族半导体器件的制备中，具有很好的通用性。
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公开(公告)号：CN112763459A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202110100808.7
申请日：2021-01-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明属于光电检测领域，具体为一种茶叶蔗糖掺入量红外激光探测快速检测方法及其装置。本方法采用针对茶叶中蔗糖成分的特定波长激光光源照射茶叶样品，同时用对应波长的光电探测器探测茶叶样品对此波长激光的漫反射光，进而根据漫反射光的相对强度定量或半定量地快速判定茶叶样品中的蔗糖含量。根据本方法构成的检测装置由半导体激光脉冲驱动、温度稳定控制、光电探测放大以及相应的光路和样品安放部件等构成，结合相应算法即可以进行样品的快速检测。本方法及其装置也可用于其它特定种类的样品或其它特定种类杂质的检测，因此是普适的。
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公开(公告)号：CN109473496B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201811274488.1
申请日：2018-10-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/107 , H01L31/18 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种雪崩探测器过渡层结构及制备方法：在与InP晶格匹配的三元或四元InGaAs(P)层与二元InP电荷层之间，采用总厚度在十纳米量级的交替递变的InP和InGaAs(P)多层材料作为过渡层，从而避免采用不易生长的传统多层不同组分的InGaAsP过渡层材料。此过渡层适合采用分子束外延方法生长，且可充分发挥分子束外延可对厚度精确控制的特点，降低了生长含两个V族元素材料在组分控制上的难度，并可方便地进行参数调节和控制。本发明还可以推广到采用分子束外延生长的其他包含两个不同V族元素的异质结过渡层材料。
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公开(公告)号：CN109473496A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811274488.1
申请日：2018-10-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/107 , H01L31/18 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种雪崩探测器过渡层结构及制备方法：在与InP晶格匹配的三元或四元InGaAs(P)层与二元InP电荷层之间，采用总厚度在十纳米量级的交替递变的InP和InGaAs(P)多层材料作为过渡层，从而避免采用不易生长的传统多层不同组分的InGaAsP过渡层材料。此过渡层适合采用分子束外延方法生长，且可充分发挥分子束外延可对厚度精确控制的特点，降低了生长含两个V族元素材料在组分控制上的难度，并可方便地进行参数调节和控制。本发明还可以推广到采用分子束外延生长的其他包含两个不同V族元素的异质结过渡层材料。
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公开(公告)号：CN110896114B
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN201911093674.X
申请日：2019-11-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/105 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种PIIN型高In组分InGaAs探测器材料结构和制备方法，所述探测材料结构由下往上依次为InP(001)衬底、n型InxAl1‑xAs缓冲层、i型InyGa1‑yAs吸收层、i型InzAl1‑zAs插入层和p型InzAl1‑zAs帽层。其中，所述的InzAl1‑zAs插入层的厚度为40nm～200nm，其掺杂浓度为2x1014cm‑3～1x1015cm‑3。制备方法为依次分子束外延生长即可。本发明的优势在于，InGaAs探测材料结构中增加的i型插入层能够有效实现对PN结结位置的控制，从而实现器件暗电流的降低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110488134A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910618856.8
申请日：2019-07-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01R31/02
Abstract: 本发明公开了一种用于焦平面器件倒焊工艺的快速验证评估芯片和方法。本发明采用原有芯片工艺，同步制作与实际光电探测芯片和读出电路芯片的互连电极及机械特性充分相似的两种快速验证芯片，对其进行倒焊操作，再通过简单的测试快速评估倒焊效果、优化倒焊参数及预期成品率等；本方法中两种快速验证芯片的互连电极的抽样方式根据各种焦平面器件的特点和实际互连要求设定，抽样率根据测试分析要求设定；对不同形状的器件，互连电极可按角、边、中部或行与列的方式进行抽样，或混合抽样；对每类抽样设定相应的互连方式和测试电极，从而获得连通和短路特性两种测试效果；本方法不受阵列规模和像元尺寸限制，可以方便地推广应用于各种焦平面器件。
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公开(公告)号：CN108489609B
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201810089435.6
申请日：2018-01-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种FTIR测量光电探测器响应的宽谱校正方法，本方法以作为FTIR光谱仪标准配置的具有宽光谱范围平坦响应的热释电探测器为基础，得到该探测器及放大电路对选定光源和分束器组合在不同扫描速度下的响应，提取相关数据并拟合出该探测器及放大电路的频率响应特性。利用此频率响应特性对特定光源和分束器组合的原始输出特性进行校正，即得到其实际的输出特性。以此校正后的实际输出特性作为背景光谱，即可对测量所得的光电探测器原始响应光谱进行参比操作，得到校正后的光电探测器实际响应光谱。鉴于热释电探测器是FTIR光谱仪的标配且具有宽谱响应，因而此方法是普适且宽谱的，适用于各种FTIR光谱仪中不同的光源和分束器组合。
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公开(公告)号：CN113155780A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110102923.8
申请日：2021-01-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种采用白炽光源的茶叶中蔗糖掺入量快速光电检测方法及装置。本方法采用白炽灯作为光源照射茶叶样品，同时针对与茶叶中蔗糖成分相关的特定波长用窄带滤光片过滤其漫反射光，然后用光电探测器和放大器进行检测，进而根据特定波长漫反射光的相对强度来定量或半定量地快速判定茶叶样品中的蔗糖含量。根据本方法构成的检测装置由微型白炽灯泡及驱动直流电源、特定波长窄带滤光片、光电探测放大模块、直流数字电压表以及相应的光路和样品安放部件等构成，结合相应算法即可以进行样品的快速检测。本方法及其装置也可用于其它特定种类的样品或其它特定种类杂质的检测，因此是普适的。
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公开(公告)号：CN110205673B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201910411829.3
申请日：2019-05-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于气态源分子束外延的大失配InGaAs材料生长方法，在失配衬底上覆盖多层石墨烯，放入气态源分子束外延系统生长室中升至高温，将砷烷经过高温裂解后通至生长室维持30分钟，然后降温至生长所需的温度，打开铟和镓束源炉快门，生长InGaAs材料。此生长方法利用了气态源分子束外延的特点，可以不受InGaAs材料与衬底晶格失配的影响，突破衬底的限制。本发明还可以推广到其他的III‑V族砷化物和磷化物失配材料的生长，具有很好的通用性。
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公开(公告)号：CN101692456B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN200910197301.7
申请日：2009-10-16
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144 , H01L31/105 , H01L31/0232 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种集成滤光微结构的InGaAs线列或面阵探测器，它由InP衬底、N型InP层、氮化硅钝化层、InGaAs吸收层、P型InP帽层、P电极区、中心波长在λ1的Si/SiO2滤光微结构薄膜、中心波长在λ2的Si/SiO2滤光微结构薄膜和P电极互连层和N电极区组成。滤光微结构是基于法布里-珀罗谐振腔结构设计的带通型滤光片，选用Si和SiO2作为高折射率(nH)材料和低折射率(nL)材料。本发明的优点：滤光片微结构直接生长在InGaAs探测器芯片上，避免了多波段之间可能存在的“串色”和杂散光的进入，同时有利于两个波段尽可能靠近，缩短对同一目标探测的时间延迟。
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