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公开(公告)号：CN118957749A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411016947.1
申请日：2024-07-29
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: C30B25/18 , H01L31/0304 , H01L31/0352 , C30B25/16 , C30B29/40
Abstract: 本发明公开了一种基于大过冲快速递变的铟镓砷材料结构及其制备方法，所述材料结构自上而下包括InwAl1‑wAs固定组分接触层、InxGa1‑xAs固定组分吸收层、InwAl1‑wAs固定组分缓冲层、InyAl1‑yAs固定组分弛豫层、InzAl1‑zAs大过冲快速递变线性缓冲层、In0.52Al0.48As晶格匹配缓冲层和InP同质缓冲层。所述InwAl1‑wAs固定组分接触层、InxGa1‑xAs固定组分吸收层和InwAl1‑wAs固定组分缓冲层三者晶格匹配，其中0.52＜w≤0.85、0.53＜x≤0.85。所述InyAl1‑yAs固定组分弛豫层的组分为w+0.05≤y≤1，所述InzAl1‑zAs大过冲快速递变线性缓冲层自下而上的组分由0.52线性递增至y，递变速率为v，0.4/h≤v≤0.6/h。本发明的材料结构设计可促进铟镓砷吸收层处于完全弛豫状态下生长，大幅降低晶圆翘曲，提高铟镓砷少子寿命，以此材料结构制备焦平面探测器时，有利于获得较高的信噪比。
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公开(公告)号：CN109378280B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN201811387834.7
申请日：2018-11-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种用于高密度面阵性能验证的测试结构，所述结构包括半绝缘InP衬底、N型InP缓冲层、InGaAs吸收层、N型InP帽层、光敏区、P电极、N电极。光敏区由18组有效面积为60μmⅹ60μm的探测器光敏元阵列组成，每组探测器阵列共同引出一个P电极，所有探测器阵列共用一个N电极。本发明的优点在于：1、通过测试结构的制备和测试，可以对比不同阵列设计的性能，为大面阵设计提供理论依据；2、中心距较小的面阵测试复杂，且测试结果受到其他因素影响，而本发明公布的测试结构测试步骤简便易操作，可以直接得到面阵的性能参数。
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公开(公告)号：CN116230802A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310252945.1
申请日：2023-03-16
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/109 , H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种图形化衬底延伸波长InGaAs焦平面探测器及其制备方法。图形化衬底的周期与焦平面探测器像元中心距相同，图形化衬底凹槽和凸脊尺寸分别与像元和像元间隔或像元间隔和像元尺寸相同。在图形化衬底上外延延伸波长InGaAs探测器材料结构，只在无SiNx介质层一上外延形成半导体单晶材料，对应焦平面探测器芯片像元区域，而后通过钝化、金属淀积、倒焊等工艺实现InGaAs焦平面探测器制备。本发明可以使晶格失配材料的位错在图形边缘终止而不向上延伸，降低吸收层材料的位错密度。图形化衬底的周期和尺寸与焦平面芯片像元一致，减少了工艺复杂性，适用于大批量推广。本发明还可以推广到其他晶格失配材料体系的焦平面探测器制备，具有很好的通用性。
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公开(公告)号：CN116230789A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310027644.9
申请日：2023-01-09
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0352 , G01D5/30 , G01D5/34 , H01L31/102 , H01L31/105 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种用于线列铟镓砷探测器的盲元抑制结构及实现方法。探测器为背照射结构，设计n行×m列光敏元扩散孔，其中1
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公开(公告)号：CN119374867A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411906797.1
申请日：2024-12-24
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本申请公开了一种探测器截面光响应分布检测方法及系统，涉及探测器的量测领域，该方法包括：采用解离工艺制备探测器的解离面；采用光诱导电流技术检测所述探测器的解离面的光生电流分布特征，以确定探测器截面的光响应分布。本申请在对探测器解离后未引入额外的漏电通道，将探测器的功能结构完全暴露的同时，保证探测器能正常工作，进而能够在探测器工作状态下提取其截面的光生电流分布特征。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109378281A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201811387851.0
申请日：2018-11-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L21/66 , H01L23/544 , G01R31/00 , G01Q60/46
Abstract: 本发明公开了一种用于小间距扩散成结表征的测试结构和测试方法，所述结构包括半绝缘InP衬底、N型InP缓冲层、InGaAs吸收层、N型InP帽层、光敏区、P电极、N电极，所述光敏区包括2个不同间距的3ⅹ2扩散窗口区阵列。测试方法包括：测试扩散成结深度和横向扩散宽度、电学串音、光学串音。本发明的优点在于：1.通过制备不同间距的扩散区矩阵测试结构进行测试，可以确定扩散成结的深度和横向扩散宽度、电学串音和光学串音；2.通过分析和对比测试结果，可以为大规模小像元平面型探测器的制备提供合适的扩散间距。
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公开(公告)号：CN119374867B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202411906797.1
申请日：2024-12-24
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本申请公开了一种探测器截面光响应分布检测方法及系统，涉及探测器的量测领域，该方法包括：采用解离工艺制备探测器的解离面；采用光诱导电流技术检测所述探测器的解离面的光生电流分布特征，以确定探测器截面的光响应分布。本申请在对探测器解离后未引入额外的漏电通道，将探测器的功能结构完全暴露的同时，保证探测器能正常工作，进而能够在探测器工作状态下提取其截面的光生电流分布特征。
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公开(公告)号：CN118248705A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410346856.8
申请日：2024-03-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种抑制红外焦平面倒焊偏移的凸点限位结构及其制备方法。该方法依据硅读出电路芯片上铟凸点尺寸，设计并制备光敏芯片上四周N电极区域凸点限位结构；在倒焊互连过程中，光敏芯片四周的限位结构先于中心区域铟凸点插入到读出电路上的铟凸点阵列中，当中心像元区域铟凸点阵列产生互连接触时，起到抑制倒焊横向偏移的作用，降低倒焊偏移导致的探测器盲元，从而提高红外焦平面探测器有效像元率。本发明不受阵列规模和像元尺寸限制，尤其适用于对倒焊偏差容忍度低的高密度小像元焦平面阵列。
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公开(公告)号：CN118248704A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410346779.6
申请日：2024-03-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种小间距红外焦平面混成互连铟柱结构及其制备方法。该方法分别在光敏芯片与读出电路两端设计并制备矩形铟柱凸点结构；该矩形铟柱凸点结构在倒焊互连产生偏移方向上增加了接触面积，一方面提高了偏移方向上的摩擦阻力，起到一定的倒焊偏移抑制效果，另一方面在倒焊偏移仍然存在的情况下，增加单像元的电学连通概率，从而提高红外焦平面探测器的有效像元率。本发明不受阵列规模和像元尺寸限制，尤其适用于对倒焊偏差敏感的高密度小像元焦平面阵列。
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公开(公告)号：CN109449238A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811176503.9
申请日：2018-10-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种大规模小像元铟镓砷焦平面探测器制备方法，具体步骤如下：1)淀积氮化硅扩散掩膜，2)开扩散窗口，3)闭管扩散，4)生长P电极，5)快速热退火，6)开N槽，7)淀积氮化硅钝化膜，8)开P、N电极孔，9)生长加厚电极，10)金属化，11)生长铟柱。本发明的优点在于：1、制备工艺更简单，首先生长P区电极的工艺方法，降低光刻偏差和过刻蚀可能导致的P区电极与N区InP材料之间的导通风险；2、引入感应耦合等离子体化学气相沉积(ICPCVD)技术生长低温氮化硅钝化膜，芯片的表面钝化层结构致密，降低工艺过程对材料表面造成的损伤，改善表面钝化效果；3、金属化区域和铟柱区域一体化光刻生长技术，降低器件的接触电阻。
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