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公开(公告)号：CN109396962A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811176473.1
申请日：2018-10-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于高长宽比红外焦平面探测器的减薄抛光模具及方法，模具包括：刻有凹槽的夹具基板、电极保护衬片、高度补偿垫片和芯片保护衬片。其使用方法为：将电极保护衬片粘贴于光敏芯片两侧的读出电路凸出部位；将红外焦平面探测器和高度补偿垫片分别固定于夹具基板的中央和凹槽内；将芯片保护衬片固定于高度补偿垫片中央；在该结构下对红外焦平面探测器进行减薄抛光。本发明的优点在于：①解决高长宽比焦平面探测器在机械减薄过程中易碎裂的问题，可实现百微米量级的减薄；②能够精确控制减薄厚度，并保证减薄后探测器表面具有良好的平面度；③显著降低减薄过程中对探测器带来的物理损伤，避免因此所导致的探测器性能的下降。
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公开(公告)号：CN108400172A
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201810090438.1
申请日：2018-01-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/105
Abstract: 本发明公开了一种集成亚波长结构的聚合物和纳米材料的InGaAs探测器，从上至下其结构依次为：亚波长结构的聚合物和纳米材料、InP缓冲层、InGaAs吸收层、InP帽层、SiO2介质层、光敏芯片铟柱、读出电路铟柱、读出电路。本发明的优点为：第一，通过集成高折射率的亚波长材料，能够进一步提升传统可见拓展InGaAs器件的量子效率；第二，相比传统增透膜材料，基于亚波长结构的聚合物和纳米材料具有高度的材料和结构调控性，此外具备高生产效率和更低的生产成本；第三，该亚波长结构能够降低探测系统复杂度及尺寸，并与探测器实现工艺兼容。
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公开(公告)号：CN109396962B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201811176473.1
申请日：2018-10-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于高长宽比红外焦平面探测器的减薄抛光模具及方法，模具包括：刻有凹槽的夹具基板、电极保护衬片、高度补偿垫片和芯片保护衬片。其使用方法为：将电极保护衬片粘贴于光敏芯片两侧的读出电路凸出部位；将红外焦平面探测器和高度补偿垫片分别固定于夹具基板的中央和凹槽内；将芯片保护衬片固定于高度补偿垫片中央；在该结构下对红外焦平面探测器进行减薄抛光。本发明的优点在于：①解决高长宽比焦平面探测器在机械减薄过程中易碎裂的问题，可实现百微米量级的减薄；②能够精确控制减薄厚度，并保证减薄后探测器表面具有良好的平面度；③显著降低减薄过程中对探测器带来的物理损伤，避免因此所导致的探测器性能的下降。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108400172B
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201810090438.1
申请日：2018-01-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/105
Abstract: 本发明公开了一种集成亚波长结构的聚合物和纳米材料的InGaAs探测器，从上至下其结构依次为：亚波长结构的聚合物和纳米材料、InP缓冲层、InGaAs吸收层、InP帽层、SiO2介质层、光敏芯片铟柱、读出电路铟柱、读出电路。本发明的优点为：第一，通过集成高折射率的亚波长材料，能够进一步提升传统可见拓展InGaAs器件的量子效率；第二，相比传统增透膜材料，基于亚波长结构的聚合物和纳米材料具有高度的材料和结构调控性，此外具备高生产效率和更低的生产成本；第三，该亚波长结构能够降低探测系统复杂度及尺寸，并与探测器实现工艺兼容。
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公开(公告)号：CN109980044A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910246114.7
申请日：2019-03-29
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种用于延伸波长InGaAs焦平面探测器的耦合方法，具体步骤如下：1)粘贴光敏芯片，2)减薄抛光，3)涂覆粘合剂，4)粘贴固定基板，5)固化粘合剂，6)分离抛光基板，7)光敏芯片与读出电路耦合，8)底充胶，9)分离固定基板。本发明通过在光敏芯片减薄抛光后引入固定基板，保证光敏芯片在耦合过程中具有良好的平面度，降低倒装焊时其与读出电路间的对准难度，提高耦合互连效率和质量，解决了由于延伸波长光敏芯片的自身形变所导致的焦平面探测器电学性能和可靠性降低的问题。同时粘合剂难溶于常规工艺中使用的有机溶剂，并采用匀胶方式涂覆于固定基板表面，工艺简便、可操作性强、重复性好，且具有很好的工艺兼容性和通用性。
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公开(公告)号：CN109461788A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811226485.0
申请日：2018-10-22
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/105 , H01L31/0236 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种背照射型的可见及短波红外宽光谱InGaAs探测器。本发明探测器改进了传统外延层结构参数，将n型接触层厚度控制到30nm以内，同时引入表面集成绒面抗反膜设计，可以实现可见-短波红外(0.4μm～1.7μm)宽波段范围的高性能探测。本发明的特点是：第一，突破了传统InGaAs探测器外延层的结构参数，本质上解决了InGaAs探测器在可见波段量子效率低的技术瓶颈；第二，引入绒面抗反膜设计，弥补了传统光学薄膜仅在窄波段特定角度范围内具有良好增透效果的不足，为实现InGaAs探测器宽波段提高量子效率提供了新的途径。
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公开(公告)号：CN109461785A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811226467.2
申请日：2018-10-22
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/09 , H01L31/0216 , H01L31/0236
Abstract: 本发明公开了一种正照射型的可见及短波红外宽光谱InGaAs探测器。本发明改进了传统外延层结构参数，将p型接触层厚度控制到30nm以内，同时引入表面集成绒面抗反膜设计，可以实现可见-短波红外(0.4μm～1.7μm)宽波段范围的高性能探测。本发明的特点是：第一，突破了传统InGaAs探测器外延层的结构参数，本质上解决了InGaAs探测器在可见波段量子效率低的技术瓶颈；第二，引入绒面抗反膜设计，弥补了传统光学薄膜仅在窄波段特定角度范围内具有良好增透效果的不足，为实现InGaAs探测器宽波段提高量子效率提供了新的途径。
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公开(公告)号：CN109397070A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811240107.8
申请日：2018-10-24
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: B24B37/30
Abstract: 本发明公开了一种用于磷化铟晶圆片及其外延晶圆片抛光模具，其结构包括陶瓷沟道、陶瓷基板、配重块。在抛光垫和陶瓷基板之间起支撑作用的陶瓷沟道。通过在陶瓷基板上增加陶瓷沟道，应用本发明所述的抛光模具可以降低抛光模具的复杂程度，使抛光过程中模具自转稳定，同时加快抛光速率，以获得高平整度的衬底，并降低工艺成本。
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