公开(公告)号：CN103500749B

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201310469740.5

申请日：2013-10-10

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 徐勤飞 ,  刘大福 ,  莫德锋 ,  杨力怡 ,  唐恒敬 ,  李雪

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/024

Abstract: 本发明公开了一种热电制冷的超长线列InGaAs探测器封装结构。封装结构包括管壳、绝热块、导冷板、导热膜、电极板、管帽、光阑、芯片电路模块、窗口、热电制冷器和微型螺栓。其中，热电制冷器、导冷板、绝热块、导热膜通过微型螺栓与管壳固定和连接，可以方便部件的拆卸和更换及装配精度的调节和控制。芯片与电极板通过环氧胶进行粘接和固定，最后管帽与管壳通过焊接工艺完成气密封装。该结构可以实现超长线列InGaAs探测器的封装、工作温度的稳定控制，并且线列各元的温度稳定性好；同时可以实现纵向超高要求的探测器光敏面平面度及横向超高拼接精度等封装要求的气密封装。

公开(公告)号：CN103257052A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201310149160.8

申请日：2013-04-26

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 莫德锋 ,  刘大福 ,  杨力怡 ,  徐勤飞 ,  徐琳

IPC: G01M99/00

Abstract: 本发明公开了一种针对多级热电致冷器参数真空测试的装置，包括真空腔体、真空泵、水冷头、温控冷却水循环装置、加热电阻模块、冷端测温电阻、热端测温电阻、直流电源、数据处理和显示模块。真空腔体上设有抽真空阀门和放气阀门，真空腔体与水冷头通过真空橡皮圈和连接螺丝密封。热电致冷器热端通过水冷头和温控冷却水循环装置实现散热和温度控制，数据处理和显示模块对装置中各设备进行实时控制、数据处理和结果显示。通过本装置可得到多级热电致冷器电流-电压响应关系，电流-制冷量关系，不同散热条件下热电致冷器制冷效率等参数，本装置结构简单，操作方便，测量精度高，并可有效避免热电致冷器大温差测试过程中易引起冷端结露的现象。

公开(公告)号：CN102242334A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN201110188073.4

申请日：2011-07-06

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 莫德锋 ,  刘大福

IPC: C23C8/04 ,  C23C8/10

Abstract: 本发明公开了一种运用于光学组件封装的经过局部激光发黑处理的镀层金属件的加工方法，该方法依序以如下步骤进行：镀层金属件准备-激光处理-清洗。本发明借助高能激光所形成熔池内特殊的物理冶金和化学冶金效应，在空气条件下熔池中反应直接生成黑色氧化物或金属间化合物覆盖层，这种覆盖层可由基材淬火相变或基材与镀层氧化生成。该加工方法可根据组件内部结构设置发黑区域，处理区域受电脑控制，几何形状随意，不仅可以精确控制发黑区域，不影响正常镀层区，而且操作简单灵活，实现了在同一部件上不同区域不同反射率的控制。

公开(公告)号：CN119521820A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202310956778.9

申请日：2023-07-31

Applicant: 无锡中科德芯感知科技有限公司 ,  中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 庄春泉 ,  顾溢 ,  龚君挺 ,  刘大福 ,  李雪

IPC: H10F71/00 ,  H10F77/124 ,  H10F77/30

Abstract: 本公开提供了一种平面型探测器及其光敏芯片和光敏芯片的制备方法，制备方法包括在衬底上生成外延材料；对外延材料进行刻蚀处理，以形成光敏芯片；其中，外延材料包括依次叠设于衬底的缓冲层、吸收层、隧穿层和场钝化层；隧穿层用于供吸收层内的空穴基于隧穿效应隧穿，并阻挡吸收层内的电子通过；场钝化层用于为经由隧穿层隧穿后的空穴提供低能量位置。本公开无需通过现有的离子注入或者杂质扩散的方法即可获得性能优异的平面型探测器的光敏芯片，有利于安全生产，隧穿层与场钝化层二者共同形成了钝化结构，为光敏芯片提供了良好的界面钝化，提高了光敏芯片的稳定性和可靠性。

公开(公告)号：CN119108253A

公开(公告)日：2024-12-10

申请号：CN202310629771.6

申请日：2023-05-30

Applicant: 无锡中科德芯感知科技有限公司 ,  中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 庄春泉 ,  龚君挺 ,  刘大福 ,  李雪

IPC: H01J37/32 ,  H01L31/18 ,  G03F7/42

Abstract: 本发明提供了一种窄带隙化合物半导体材料的等离子体去胶方法。该方法包括以下步骤：将待处理对象进行等离子体清洗，以脉冲的方式输出射频功率，一个脉冲周期内的平均射频功率为20W～200W；其中，待处理对象的材料为窄带隙化合物半导体材料。本发明的等离子体去胶方法既能有效去除红外探测器芯片表面的残胶，又不会对芯片表面造成大的损伤，对提高红外探测器的性能具有重要的意义。

公开(公告)号：CN118712049A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202310257732.8

申请日：2023-03-16

Applicant: 无锡中科德芯感知科技有限公司 ,  中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 顾溢 ,  龚君挺 ,  关智勇 ,  庄春泉 ,  刘大福 ,  李雪

IPC: H01L21/223 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种用于锌扩散的装置及锌扩散方法、系统、电子设备及介质，其中，用于锌扩散的装置的腔体底部用于放置红外焦平面探测器；加热组件、扩散源气盒和导气容器设于腔体内部；加热组件设于腔体内部；扩散源气盒设于腔体上方；导气容器设于扩散源气盒内；导气容器连通用于输送含锌金属化合物的外部管道；导气容器底部设有多个通孔；扩散源气盒底部设有通气孔；加热组件用于提高腔体内温度。本发明通过导气容器底部的通孔，将含锌金属化合物均匀地扩散至扩散源气盒中，含锌金属化合物再均匀地从扩散源气盒底部的通气孔，扩散至红外焦平面探测器上，扩散工艺简单，且能实现均匀的扩散效果。

公开(公告)号：CN116960194B

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202310429281.1

申请日：2023-04-20

Applicant: 无锡中科德芯感知科技有限公司 ,  中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 庄春泉 ,  龚君挺 ,  顾溢 ,  刘大福 ,  李雪

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/105 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种InGaAs探测器及其制造方法，该InGaAs探测器包括衬底、生长于衬底上的外延结构和与外延结构连接的金属电极，外延结构具有刻蚀的台阶部，台阶部的上表面和外延结构的侧面覆盖介质钝化层，金属电极贯穿介质钝化层；外延结构包括依次生长在衬底上的N型缓冲层、本征吸收层和钝化结构层，N型缓冲层覆盖于衬底上，本征吸收层覆盖N型缓冲层的上表面的部分区域；钝化结构层中的i型隧穿化学钝化层覆盖于吸收层上，P型场钝化层位于i型隧穿化学钝化层的上表面的部分区域。本发明不需要通过杂质扩散的方法即可获得平面型InGaAs探测器结构，且依次外延生长的i型隧穿化学钝化层和P型场钝化层构成的钝化结构层，增强了界面钝化效果。

公开(公告)号：CN118507578A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410735464.0

申请日：2024-06-07

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 于春蕾 ,  何一苇 ,  李雪 ,  刘大福

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0224

Abstract: 本发明公开了一种集成有源淬灭器件的单光子雪崩二极管结构，属于半导体光电子技术领域。所述结构包括InP衬底，InP缓冲层，InGaAs吸收层，InGaAsP渐变层，集成一有源淬灭器件的InP电荷层，InP帽层，SiN介质层，N电极，P电极。该器件为一正照射单光子雪崩二极管。其中InP帽层集成一金属‑绝缘‑半导体场效应晶体管(MISFET)，且场效应晶体管的漏极与InGaAs/InP单光子雪崩二极管P极共用一个扩散区。本发明将实现单光子雪崩二极管的被动淬灭主动恢复功能，并将有源淬灭器件集成在InP帽层上，减少了电路连接过程中引入的寄生参数，从而可以降低雪崩二极管的雪崩电荷，抑制后脉冲。并且该种集成方式可基于标准的单光子雪崩二极管的制造工艺，仅增加一步光刻步骤便能实现集成。

公开(公告)号：CN118248706A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202410346963.0

申请日：2024-03-26

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 李雪 ,  宝鹏飞 ,  朱宪亮 ,  邵秀梅 ,  于春蕾 ,  杨波 ,  刘大福

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明公开了一种增加红外焦平面电学连通率的电极结构及其制备方法。该方法依据光敏芯片与读出电路倒焊互连时的偏移规律，设计并制备光敏芯片矩形电极结构；在倒焊互连过程中，增加读出电路铟柱与光敏芯片矩形电极和铟柱的接触面积，在倒焊偏移存在的情况下，提高了光敏芯片与读出电路耦合互连的电学连通率。本发明不受阵列规模和像元尺寸限制，尤其适用于对倒焊偏差容忍度低的高密度小像元焦平面阵列，有效降低红外焦平面探测器盲元率。

公开(公告)号：CN113351951A

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN202110674843.X

申请日：2021-06-18

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 莫德锋 ,  赵彤 ,  刘大福 ,  曾智江 ,  李雪 ,  龚海梅

IPC: B23K1/00 ,  B23K1/005 ,  B23K1/008 ,  B23K1/20 ,  G01M3/00 ,  G01N33/2045 ,  G01N33/207

Abstract: 本发明公开了一种集成陶瓷冷平台的封装结构和实现方法，封装结构包括探测器模块、陶瓷冷平台、金属过渡环、芯柱等部件，其特征在于：所述的陶瓷冷平台的上表面安装有探测器模块，下表面气密集成有金属过渡环，金属过渡环与芯柱气密同心连接。在杜瓦芯柱上通过钎焊和激光焊相结合的方法集成有陶瓷冷平台，陶瓷冷平台上表面通过环氧胶安装有探测器模块。该结构中，陶瓷冷平台材料为高导热低膨胀的碳化硅、氮化硅或氮化铝材料，由于碳化硅、氮化硅或氮化铝材料与集成电路用的硅材料低温热匹配，可省去大规模焦平面探测器封装时采用的平衡层结构，结构简洁、制冷机冷量利用率高、温度均匀性好，尤其适用于大规模面阵探测器深低温封装的场合。