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公开(公告)号：CN110896114B
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN201911093674.X
申请日：2019-11-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/105 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种PIIN型高In组分InGaAs探测器材料结构和制备方法，所述探测材料结构由下往上依次为InP(001)衬底、n型InxAl1‑xAs缓冲层、i型InyGa1‑yAs吸收层、i型InzAl1‑zAs插入层和p型InzAl1‑zAs帽层。其中，所述的InzAl1‑zAs插入层的厚度为40nm～200nm，其掺杂浓度为2x1014cm‑3～1x1015cm‑3。制备方法为依次分子束外延生长即可。本发明的优势在于，InGaAs探测材料结构中增加的i型插入层能够有效实现对PN结结位置的控制，从而实现器件暗电流的降低。
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公开(公告)号：CN110224045B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201910411821.7
申请日：2019-07-16
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216
Abstract: 本发明公开了一种柔性InGaAs探测器的制备方法：在InP衬底上覆盖单层石墨烯，然后再生长InGaAs探测器结构材料和制备InGaAs探测器结构，最后将InGaAs探测器结构与InP衬底剥离。本发明可以方便地进行高质量InP和InGaAs外延层的生长；在器件制备工艺过程中保留了衬底，为器件工艺操作带来很大的方便；利用单层石墨烯的特性可以方便地采用热释放胶带与衬底剥离，从而实现柔性InGaAs探测器的制备。本发明还可以推广到其他柔性III‑V族半导体器件的制备中，具有很好的通用性。
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公开(公告)号：CN110205673A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910411829.3
申请日：2019-05-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于气态源分子束外延的大失配InGaAs材料生长方法，在失配衬底上覆盖多层石墨烯，放入气态源分子束外延系统生长室中升至高温，将砷烷经过高温裂解后通至生长室维持30分钟，然后降温至生长所需的温度，打开铟和镓束源炉快门，生长InGaAs材料。此生长方法利用了气态源分子束外延的特点，可以不受InGaAs材料与衬底晶格失配的影响，突破衬底的限制。本发明还可以推广到其他的III-V族砷化物和磷化物失配材料的生长，具有很好的通用性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110987981A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911093483.3
申请日：2019-11-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种表征InGaAs探测器材料缺陷与器件性能关联性的方法,方法步骤为：对InGaAs探测器件进行电镜镜检，对镜检后的正常InGaAs探测器件进行电流-电压性能测试，之后对电流-电压测试中的正常器件和问题器件均进行微光显微镜测试，微光显微镜测试可以看出问题器件存在亮点，对微光显微镜测试中出现的亮点处进行聚焦离子束刻蚀，并用透射电子显微镜进行测试，透射电子显微镜测试反映出该处存在缺陷。此方法提出了将InGaAs探测器材料缺陷与器件性能建立关联性的方法，对器件性能研究有较好的通用性。
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公开(公告)号：CN110896120A
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201911093644.9
申请日：2019-11-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/105 , H01L31/0304
Abstract: 本发明公开了一种多层InGaAs探测器材料结构和制备方法：所述探测材料结构由下往上依次为InP(001)衬底、n型InP缓冲层、i型晶格匹配的InGaAs吸收层、n型晶格匹配的InGaAs阻挡层和n型InP帽层。其中，所述的n型阻挡层的厚度为40nm～200nm，其掺杂浓度5x1015cm-3～5x1017cm-3，其材料为与InP晶格匹配的InGaAs。制备方法为依次分子束外延生长即可。本发明的InGaAs探测材料增加的n型阻挡层能够有效实现对扩散成结工艺的控制。
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公开(公告)号：CN110896114A
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201911093674.X
申请日：2019-11-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/105 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种PIIN型高In组分InGaAs探测器材料结构和制备方法，所述探测材料结构由下往上依次为InP(001)衬底、n型InxAl1-xAs缓冲层、i型InyGa1-yAs吸收层、i型InzAl1-zAs插入层和p型InzAl1-zAs帽层。其中，所述的InzAl1-zAs插入层的厚度为40nm～200nm，其掺杂浓度为2x1014cm-3～1x1015cm-3。制备方法为依次分子束外延生长即可。本发明的优势在于，InGaAs探测材料结构中增加的i型插入层能够有效实现对PN结结位置的控制，从而实现器件暗电流的降低。
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公开(公告)号：CN110224045A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910411821.7
申请日：2019-07-16
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216
Abstract: 本发明公开了一种柔性InGaAs探测器的制备方法：在InP衬底上覆盖单层石墨烯，然后再生长InGaAs探测器结构材料和制备InGaAs探测器结构，最后将InGaAs探测器结构与InP衬底剥离。本发明可以方便地进行高质量InP和InGaAs外延层的生长；在器件制备工艺过程中保留了衬底，为器件工艺操作带来很大的方便；利用单层石墨烯的特性可以方便地采用热释放胶带与衬底剥离，从而实现柔性InGaAs探测器的制备。本发明还可以推广到其他柔性III-V族半导体器件的制备中，具有很好的通用性。
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公开(公告)号：CN110205673B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201910411829.3
申请日：2019-05-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于气态源分子束外延的大失配InGaAs材料生长方法，在失配衬底上覆盖多层石墨烯，放入气态源分子束外延系统生长室中升至高温，将砷烷经过高温裂解后通至生长室维持30分钟，然后降温至生长所需的温度，打开铟和镓束源炉快门，生长InGaAs材料。此生长方法利用了气态源分子束外延的特点，可以不受InGaAs材料与衬底晶格失配的影响，突破衬底的限制。本发明还可以推广到其他的III‑V族砷化物和磷化物失配材料的生长，具有很好的通用性。
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