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公开(公告)号：CN102031502A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010501408.9
申请日：2010-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 佐佐木康晴
CPC classification number: H01L21/67109
Abstract: 本发明提供一种基板载置台的温度控制方法及温度控制系统。该基板载置台的温度控制方法及温度控制系统能够迅速地使基板的温度上升，并且能够减少热能损失。基座(12)内置有加热器单元(14)、制冷剂流路(15)和制冷剂室(16)，其用于载置被实施等离子蚀刻处理的晶圆(W)，制冷剂在制冷剂流路(15)及制冷剂室(16)的内部流动，在加热器单元(14)发热时，制冷剂在制冷剂室(16)中停止流动。
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公开(公告)号：CN101783310A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN201010003196.1
申请日：2010-01-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6831 , H01L21/67132 , Y10T29/49746 , Y10T428/219 , Y10T428/24777 , Y10T428/24843 , Y10T428/249982 , Y10T428/249985
Abstract: 本发明提供一种静电卡盘装置的修补方法、该修补方法所使用的修补装置和适用于它们的静电卡盘装置，该静电卡盘的修补方法在静电卡盘装置的粘合剂层的侧面被侵蚀时，能够均匀地修补该侵蚀部分。一种静电卡盘装置的修补方法，其为在金属底座上至少具有粘合剂层和吸附层的静电卡盘装置的修补方法，其特征在于，在被侵蚀的粘合剂层的侧面，卷绕线状的粘合剂后，进行热压处理。本发明还提供一种修补装置(10)，其在该修补方法中使用，具有使静电卡盘装置(20)旋转的旋转台(11)、向粘合剂层(22)供给粘合剂(14)的转轴(12)、和在转轴(12)与粘合剂层(22)之间用于确定粘合剂(14)的位置的定位单元(13)。
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公开(公告)号：CN100585828C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200810146703.X
申请日：2008-08-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 佐佐木康晴
IPC: H01L21/683 , H01L21/3065 , H01L21/02 , H01L21/00 , C23F4/00 , H01J37/32 , C23C16/458 , C23C16/46
CPC classification number: H01L21/68 , H01J2237/2001 , H01L21/67109
Abstract: 本发明提供一种被处理基板的温度控制性良好，没有在整个基板上拔热量在局部发生突变这样的异常点的基板载置台。在基板载置台的表面设置传热用气体的流入口和流出口，形成将基板载置台表面与基板之间的密闭空间作为流路的稳定的气流，在该流路中设置各种障碍物以调整气体的易流动性(流导)，在气体的流入口与流出口之间产生10Torr至40Torr的差压。由于气体的传热率与压力成正比，所以可利用该差压来调整被处理基板的温度分布。
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公开(公告)号：CN101170057A
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200710181281.5
申请日：2007-10-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/683 , H01L21/02 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种静电卡盘的诊断方法，其利用简单的方法对静电卡盘的寿命进行预测。在利用设置在载置台上部的静电卡盘对基板进行静电吸附、并且对该基板进行等离子体处理时，定期地对基板进行作为相同的等离子体处理的诊断用方案，对向静电卡盘的表面与基板的背面之间的间隙供给的背面气体的压力进行调整，使得此时的各基板的温度成为规定温度，记录该调整后的背面气体的压力，对该背面气体的压力的经时变化进行监视，由此，能够简便地预测静电卡盘的寿命。
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公开(公告)号：CN1521805A
公开(公告)日：2004-08-18
申请号：CN200410031210.3
申请日：2004-02-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/302 , H01L21/3065 , C23F4/00
CPC classification number: H01J37/32642 , H01J37/32706 , H01L21/67069
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置、环形部件以及等离子体处理方法，利用等离子体进行处理，当执行相互不同的多个处理时实现装置公用化，在多个装置中执行相同处理时易统一装置之间的等离子体状态，利用由绝缘材料构成的环形部件环绕处理容器内的被处理基板，在此环形部件内设置用于调整等离子体源区的电极，构成为例如在对被处理基板执行第一处理时对该电极施加第一直流电压、在执行第二处理时对该电极施加第二直流电压，此时，由于对应于执行每一处理或相同处理的各装置通过施加合适的直流电压就可统一等离子体的状态，所以可实现装置公用化，并易对等离子体状态进行调整。
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公开(公告)号：CN111146066B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN201911070993.9
申请日：2019-11-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种对边环与静电卡盘的相向的侧壁的间隙进行管理的载置台、边环的定位方法和基板处理装置。载置台具有：边环，其配置于基板的周围，在该边环的下部具有第一凹部；静电卡盘，其具有载置所述基板的第一载置面和载置所述边环的第二载置面，在所述静电卡盘中与所述第二载置面相向地埋入有电极；环状构件，其配置于所述静电卡盘的周围，具有第二凹部；以及具有伸缩性的构件，其配置在由所述第一凹部、所述静电卡盘以及所述第二凹部围成的空间中。
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公开(公告)号：CN112602176B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN201980055656.4
申请日：2019-08-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/677 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种载置被实施规定处理的基片的载置台，其包括：静电吸附上述基片的静电吸盘；配置在上述基片的周围的可输送的第一边缘环；固定在上述第一边缘环的周围的第二边缘环；使上述第一边缘环升降的升降销；配置在上述静电吸盘的与上述第一边缘环相对的位置的、该第一边缘环的静电吸附用的第一电极；和配置在上述静电吸盘的与上述第二边缘环相对的位置的、该第二边缘环的静电吸附用的第二电极。
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公开(公告)号：CN111095498B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN201980004510.7
申请日：2019-05-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/683 , H05H1/46
Abstract: 提供一种载置台，其是用于载置被实施等离子体处理的基板的载置台，其中，该载置台具有：静电卡盘，其吸附被配置于所述基板的周边的边缘环和该基板；和供给孔，其用于向所述静电卡盘与所述边缘环之间供给热介质，在所述边缘环和所述载置台中的至少任一者设置有槽，所述槽不与所述供给孔连通。
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公开(公告)号：CN114512391A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210089374.X
申请日：2017-12-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，能够抑制由贯通孔引起的异常放电的发生。等离子体处理装置具有：静电卡盘，其具有载置被处理体的载置面和与所述载置面相对的背面，在该静电卡盘形成有贯通所述载置面和所述背面的第一通孔；以及基台，其具有支承所述静电卡盘的支承面，在该基台形成有与所述第一通孔连通的第二通孔，在该第一通孔和第二通孔内具有嵌入构件，其中，所述嵌入构件的与所述静电卡盘的所述第一通孔和所述基台的所述第二通孔的连通部分对应的部分至少由弹性构件形成。
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公开(公告)号：CN113451095A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110226313.9
申请日：2021-03-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明的基板支承器具备第1区域、第2区域、第1电极及第2电极。第1区域构成为保持载置于其上的基板。第2区域以包围第1区域的方式设置，构成为保持载置于其上的边缘环。第1电极设置于第1区域内，用于接收第1电偏置。第2电极至少设置于第2区域内，用于接收第2电偏置。第2电极以在第1区域内与第1电极相对的方式在第1电极的下方延伸。
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