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公开(公告)号：CN112640060A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201980057784.2
申请日：2019-09-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/683 , H02N13/00 , H05H1/46
Abstract: 提供一种基板支承体，其包括：基台；静电吸盘，用于放置基板；电极，设置于所述静电吸盘；所述电极的接点部；粘接层，在所述基台上将所述静电吸盘与所述基台粘接，并且不覆盖所述接点部；以及供电端子，以不被固定于所述电极的接点部的方式与所述电极的接点部接触。
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公开(公告)号：CN109285754B
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201810794360.1
申请日：2018-07-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明检测制冷剂的泄漏。本发明一技术方案的处理装置包括：用于提供腔室的腔室主体；载置台，其支承载置于该载置台上的被处理体，在该载置台内部形成有制冷剂用的第一流路和与该第一流路连通的空间；第一配管，其具有第一端部和第二端部，第一端部被插入空间与第一流路连接，第二端部与制冷剂供给机构连接；和第一密封部件，其设置于第一端部与规定空间之边界的壁面之间的间隙，将该间隙密封。载置台内形成有具有一端和另一端的第二流路，第二流路的该一端与间隙连接，第一密封部件在第二流路的第一流路一侧与壁面接触。该处理装置还包括与第二流路的另一端连接的第二配管和与第二配管连接的检测装置。
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公开(公告)号：CN108389771B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201810100701.0
申请日：2018-02-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种作为蒸发器的设置于被加工物的载置台的内部的制冷剂的流路，其能够实现制冷剂的压力的均匀性和高的热排出性。在一个实施方式中，冷却台包括第1部分第2部分、第1流路、第2流路和第3流路，静电吸盘设置在第1部分上，第1部分设置在第2部分上，第1流路设置于第1部分内，第2流路设置于第2部分内，第3流路与第1流路和第2流路连接，冷却单元与第1流路和第2流路连接，第1流路沿静电吸盘在第1部分内延伸，第2流路沿静电吸盘在第2部分内延伸，从冷却单元输出的制冷剂，依次过第1流路、第3流路、第2流路输入到冷却单元。
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公开(公告)号：CN112103164B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202010511103.X
申请日：2020-06-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种载置台和等离子体处理装置，该载置台包括用于支承基片和边缘环的静电吸盘和支承所述静电吸盘的基座，所述静电吸盘具有：第1区域，其具有第1上表面，能够支承所述第1上表面之上所载置的基片；第2区域，其具有第2上表面，并设置成与所述第1区域的周围成为一体，能够支承所述第2上表面之上所载置的边缘环；设置在所述第1区域中的用于施加直流电压的第1电极；设置在所述第2区域中的用于施加直流电压的第2电极；和用于施加偏置电功率的第3电极。根据本发明，能够抑制向基片的下表面与静电吸盘的上表面之间供给的传热气体的放电。
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公开(公告)号：CN112602177B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN201980055961.3
申请日：2019-09-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/683
Abstract: 本发明的例示性的实施方式的温度调节方法包括：第1步骤，其调节载置被处理体的载置台的温度，载置台被划分为多个区域，具有多个温度检测器，多个区域沿载置台的载置面设定，多个温度检测器的每个温度检测器分别配置在多个区域的每个区域，载置台具有进行利用致冷剂的热交换的多个热交换室，致冷剂通过冷却装置进行循环，多个热交换室的每个热交换室分别配置在多个区域的每个区域；第2步骤，其调节致冷剂的压力以使得载置台的温度达到第1温度范围；和第3步骤，其在第2步骤之后，单独地调节对多个热交换室的每个热交换室供给的致冷剂的流量以使得多个温度检测器的所有检测温度达到第1温度范围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110349905B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN201910260912.5
申请日：2019-04-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/687 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 一实施方式所涉及的温度调节方法为通过制冷剂调节载置被处理体的载置台的温度的温度调节方法。该方法具备使载置台的温度上升的工序。该使载置台的温度上升的工序具备：通过打开将从设置于载置台的热交换部排出且经压缩后的制冷剂冷凝并供给到热交换部的冷凝器的输出端与热交换部的输入端之间的膨胀阀的同时调节膨胀阀的开度，将载置台的温度调节为第1温度的工序；以及通过打开膨胀阀的同时向载置台输入热量，并且打开将从热交换部排出的制冷剂压缩并供给到冷凝器的压缩器的输出端与热交换部的输入端之间的分流阀的同时调节分流阀的开度，将载置台的温度调节为第2温度的工序。第2温度高于第1温度。
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公开(公告)号：CN115513111A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202210680655.2
申请日：2022-06-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种基片支承部和基片处理装置，能够提高基片支承部的温度控制效率。基片支承部包括：静电吸盘，其由陶瓷形成，通过静电吸附来保持被处理基片；支承所述静电吸盘的基座；和供热交换介质流动的流路，其中，所述流路的上表面由陶瓷形成。
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公开(公告)号：CN110349826B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201910261598.2
申请日：2019-04-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 一实施方式所涉及的清理方法为等离子体处理装置的载置台的清理方法，具备去除形成在载置台上的反应产物的工序。去除反应产物的工序具备将伪晶片载置于载置台的工序、使载置台的温度上升的工序以及在使载置台的温度上升后进行反应产物的去除的工序。使载置台的温度上升的工序中，打开将从载置台的热交换部排出且经压缩后的制冷剂冷凝并供给到热交换部的冷凝器的输出端与热交换部的输入端之间的膨胀阀的同时向载置台输入热量，并且打开将从热交换部排出的制冷剂压缩并供给到冷凝器的压缩器的输出端与热交换部的输入端之间的分流阀的同时调节分流阀的开度，由此使载置台的温度上升。
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公开(公告)号：CN112103164A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010511103.X
申请日：2020-06-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种载置台和等离子体处理装置，该载置台包括用于支承基片和边缘环的静电吸盘和支承所述静电吸盘的基座，所述静电吸盘具有：第1区域，其具有第1上表面，能够支承所述第1上表面之上所载置的基片；第2区域，其具有第2上表面，并设置成与所述第1区域的周围成为一体，能够支承所述第2上表面之上所载置的边缘环；设置在所述第1区域中的用于施加直流电压的第1电极；设置在所述第2区域中的用于施加直流电压的第2电极；和用于施加偏置电功率的第3电极。根据本发明，能够抑制向基片的下表面与静电吸盘的上表面之间供给的传热气体的放电。
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公开(公告)号：CN108389771A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810100701.0
申请日：2018-02-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种作为蒸发器的设置于被加工物的载置台的内部的制冷剂的流路，其能够实现制冷剂的压力的均匀性和高的热排出性。在一个实施方式中，冷却台包括第1部分第2部分、第1流路、第2流路和第3流路，静电吸盘设置在第1部分上，第1部分设置在第2部分上，第1流路设置于第1部分内，第2流路设置于第2部分内，第3流路与第1流路和第2流路连接，冷却单元与第1流路和第2流路连接，第1流路沿静电吸盘在第1部分内延伸，第2流路沿静电吸盘在第2部分内延伸，从冷却单元输出的制冷剂，依次过第1流路、第3流路、第2流路输入到冷却单元。
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