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公开(公告)号：CN109417012A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201780024188.5
申请日：2017-04-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 科斯特尔·拜洛 , 皮尔·卢比克 , 泰勒·洛克威尔 , 克里斯多夫·坎贝尔 , 维克拉姆·辛 , 凯文·M·丹尼尔斯 , 理查德·J·赫尔特 , 彼得·F·库鲁尼西 , 亚历山大·利坎斯奇
IPC: H01J37/32 , H01J37/317
Abstract: 一种处理设备可以包含：等离子体腔室，以容纳等离子体并且具有包括电绝缘体的主体部分；提取板，沿着等离子体腔室的提取侧安置，所述提取板是导电的并且具有提取孔隙；衬底平台，安置在等离子体腔室的外部并且邻近提取孔隙，所述衬底平台处在接地电势；以及射频发生器，电耦合到所述提取板，当等离子体存在于等离子体腔室中时所述射频发生器相对于接地电势在提取板处建立正直流自身偏置电压。
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公开(公告)号：CN107924838A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680046221.X
申请日：2016-07-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 梁树荣 , 科斯特尔·拜洛 , 葛兰·F·R·吉尔克里斯特 , 维克拉姆·辛 , 克里斯多夫·坎贝尔 , 理查德·赫尔特 , 艾立克斯恩德·刚特司 , 皮耶罗·斯佛拉佐 , 陈宗良
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/3213 , H01L21/02
CPC classification number: H05H1/24 , H01J37/32009 , H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01J37/32834 , H01J2237/327 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L22/12 , H01L22/20
Abstract: 一种处理衬底的装置。装置可包含：具有安置在处理腔室中的反应气体出口的反应气体源，反应气体出口将第一反应气体引导到衬底；耦合到处理腔室且包含提取板的等离子体腔室，提取板具有沿着第一方向延伸的提取孔隙、安置在处理腔室内以及可在面向反应气体源的第一位置与面向提取孔隙的第二位置之间沿着垂直于第一方向的第二方向移动；以及安置于反应气体出口与提取孔隙之间的气流限制器，气流限制器界定至少等离子体腔室与衬底平台之间的差动泵浦通道。
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公开(公告)号：CN102959675A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201180031969.X
申请日：2011-06-30
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 提摩太·J·米勒 , 维克拉姆·辛 , 卢多维克·葛特 , 克里斯多夫·J·里维特
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32935 , C23C14/48 , C23C14/542 , H01J37/32412
Abstract: 一种介电质基板的等离子体浸没离子植入的控制装置，包括配置在等离子体处理室中所产生的等离子体上方的电极。利用电位高于用以接收离子植入的基板或阴极的电位的负电压脉冲而对该电极施予偏压。电极的电位较低，以便对由该电极产生的当作二次电子的电子给予足够的能量来克服基板周围的高电压鞘层的负电压而使电子到达基板。这些电子将加速朝向基板以便中和基板上的电荷聚集。
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公开(公告)号：CN102576655A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080040505.0
申请日：2010-08-11
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 海伦·L·梅纳德 , 乔治·D·帕帕守尔艾迪斯 , 维克拉姆·辛 , 克里斯多夫·R·汉特曼 , 卢多维克·葛特
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02505 , H01L21/0251 , H01L21/02532 , H01L21/0259 , H01L21/02667 , H01L21/2236 , H01L31/0725 , H01L31/182 , H01L31/1872 , Y02E10/546 , Y02P70/521
Abstract: 本发明揭示一种使材料在基板上沉积且结晶的方法。在一特定实施例中，所述方法可包含产生含有与沉积相关的物质以及携带能量的物质的电浆。在第一时间段期间，无偏压电压施加于所述基板，且物质经由电浆沉积而沉积于所述基板上。在第二时间段期间，电压施加于所述基板，所述电压吸引离子且吸引至所述沉积物质中，从而引起所述沉积层结晶。可重复所述程序直至获得足够厚度。在另一实施例中，可改变所述偏压电压或偏压脉冲的持续时间以改变所发生的结晶化程度。在另一实施例中，可使用掺杂剂掺杂所述沉积层。
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公开(公告)号：CN102483929A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080039843.2
申请日：2010-08-13
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: G11B5/012
Abstract: 揭示一种改良的图案化磁性位元数据储存媒体及其制造方法。在一特定例示性实施例中，所述改良的图案化磁性位元数据储存媒体可包括：主动区域，其展现实质上铁磁性；以及非主动区域，其展现实质上顺磁性，所述非主动区域包括至少两个晶粒以及一插入于其间的晶界，其中所述至少两个晶粒中的每一者含有铁磁材料，且其中所述至少两个晶粒经反铁磁耦合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102471880A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080029436.3
申请日：2010-06-25
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 卡莫尔·哈迪德 , 拉杰许·都蕾 , 伯纳德·G·琳赛 , 维克拉姆·辛 , 乔治·D·帕帕守尔艾迪斯
IPC: C23C14/48 , H01J37/317 , H01J37/32
CPC classification number: C23C14/48 , H01J37/32412 , H01J37/32935
Abstract: 一种调整等离子体的组成物的方法，用于等离子体掺杂、等离子体沉积和等离子体蚀刻技术中。所揭示的方法可藉由修饰等离子体中所存在的电子的能量分布来控制等离子体的组成物。使用很快的电压脉冲使等离子体中的电子加速，以便在等离子体中产生有能量的电子。该脉冲需足够长以影响电子，但太短将不能对离子造成显著影响。有能量的电子和等离子体组成物之间的碰撞，造成等离子体组成物中的变化。等离子体组成物然后可最佳化，以符合所使用的特定工艺的需求。这意味着能使等离子体中离子物种的比例改变、使离子化相对于分解的比例改变、或使等离子体的激发状态群改变。
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公开(公告)号：CN101627454B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200880002319.0
申请日：2008-01-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32495 , H01J37/32412 , H01J37/32633
Abstract: 提供一种具有金属腔室壁的等离子腔室(102)的等离子源(100)，此等离子源(100)包括处理气体。介电窗(120、122)将射频信号传送至等离子腔室中。射频信号激发以及离子化处理气体，从而在等离子腔室中形成等离子。等离子腔室衬套(125)定位于等离子腔室内部，并提供等离子腔室内部的遮蔽，以遮蔽离子撞击等离子腔室的金属壁(102′)而溅镀的金属。
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公开(公告)号：CN102257607A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200980151713.5
申请日：2009-12-21
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 约瑟·P·迪宰桔雷斯契 , 乔治·M·葛梅尔 , 伯纳德·G·琳赛 , 维克拉姆·辛
IPC: H01L21/66 , H01L21/265
CPC classification number: H01J37/32935
Abstract: 一种离子均匀性监控装置，被定位在等离子体制程室内且包括多个感测器，这些感测器位于等离子体制程室内的工件上方一段距离之处。这些感测器经配置以侦测从暴露于等离子体制程的工件的表面发射出来的二次电子的数量。每个感测器输出与侦测到的二次电子成正比的电流信号。一电流比较电路输出由多个电流信号的每个电流信号而得出的处理后的信号。等离子体处理过程中侦测到从工件上发射出来的二次电子显示出工件表面的均匀性特征，且二次电子的侦测可在线上等离子体处理过程中原位执行。
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公开(公告)号：CN101772829A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200880101772.7
申请日：2008-07-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01L21/2236
Abstract: 一种用于处理系统的平台包括第一热区和第二热区，第一热区和第二热区由至少一个边界分隔。第一流体导管位于第一热区中。第二流体导管位于第二热区中。流体储藏器具有耦接至第一流体导管的第一输出和耦接至第二流体导管的第二输出。流体储藏器向第一流体导管提供具有第一流体条件的流体，缘此向第一热区提供第一热导，且流体储藏器向第二流体导管提供具有第二流体条件的流体，缘此向第二热区提供第二热导，以便在平台中达成预定热导轮廓。
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公开(公告)号：CN101631894A
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200780050199.7
申请日：2007-12-03
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 维克拉姆·辛 , 哈勒德·M·波辛 , 艾德蒙德·J·温德 , 安东尼·雷诺 , 乔治·D·帕帕守尔艾迪斯
IPC: C23C16/455 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/0228 , C23C16/22 , C23C16/345 , C23C16/452 , C23C16/4554 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/3141 , H01L21/3185 , H01L21/32155
Abstract: 一种原子层沉积的技术。在一实施例中，此技术为一种应变薄膜的形成方法。此方法可包括向基板表面供应一种或多种前驱物质，此前驱物质具有至少一第一物种的原子以及至少一第二物种的原子，从而在基板表面上形成一层前驱物质。此方法还包括将基板表面暴露于等离子体产生的第三物种的亚稳态原子，其中亚稳态原子从基板表面脱附所述至少一第二物种的原子，以形成所述至少一第一物种的原子层。通过控制原子层沉积工艺中的一种或多种参数，可达成至少一第一物种的所述原子层内的期望的应力大小。
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