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公开(公告)号:CN102471880A
公开(公告)日:2012-05-23
申请号:CN201080029436.3
申请日:2010-06-25
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor: 卡莫尔·哈迪德 , 拉杰许·都蕾 , 伯纳德·G·琳赛 , 维克拉姆·辛 , 乔治·D·帕帕守尔艾迪斯
IPC: C23C14/48 , H01J37/317 , H01J37/32
CPC classification number: C23C14/48 , H01J37/32412 , H01J37/32935
Abstract: 一种调整等离子体的组成物的方法,用于等离子体掺杂、等离子体沉积和等离子体蚀刻技术中。所揭示的方法可藉由修饰等离子体中所存在的电子的能量分布来控制等离子体的组成物。使用很快的电压脉冲使等离子体中的电子加速,以便在等离子体中产生有能量的电子。该脉冲需足够长以影响电子,但太短将不能对离子造成显著影响。有能量的电子和等离子体组成物之间的碰撞,造成等离子体组成物中的变化。等离子体组成物然后可最佳化,以符合所使用的特定工艺的需求。这意味着能使等离子体中离子物种的比例改变、使离子化相对于分解的比例改变、或使等离子体的激发状态群改变。
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公开(公告)号:CN103109342B
公开(公告)日:2016-10-12
申请号:CN201180028561.7
申请日:2011-06-13
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32146 , H01J37/32412 , H01J37/3244
Abstract: 揭示等离子体处理衬底的方法、处理衬底的方法及在设备中等离子体处理衬底的方法。在一个特定示范性实施例中,等离子体处理衬底的方法可用包括以下操作的方法来实现:在接近等离子体源处引入馈送气体,其中所述馈送气体可包括第一和第二物质,所述第一和第二物质具有不同的电离能量;向所述等离子体源提供多电平RF功率波形,所述多电平RF功率波形至少具有在第一脉冲持续时间期间的第一功率电平和在第二脉冲持续时间期间的第二功率电平,所述第二功率电平可不同于所述第一功率电平;在所述第一脉冲持续时间期间电离所述馈送气体的所述第一物质;在所述第二脉冲持续时间期间电离所述第二物质;以及在所述第一脉冲持续时间期间向所述衬底提供偏压。
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公开(公告)号:CN102471880B
公开(公告)日:2014-03-19
申请号:CN201080029436.3
申请日:2010-06-25
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor: 卡莫尔·哈迪德 , 拉杰许·都蕾 , 伯纳德·G·琳赛 , 维克拉姆·辛 , 乔治·D·帕帕守尔艾迪斯
IPC: C23C14/48 , H01J37/317 , H01J37/32
CPC classification number: C23C14/48 , H01J37/32412 , H01J37/32935
Abstract: 一种调整等离子体的组成物的方法,用于等离子体掺杂、等离子体沉积和等离子体蚀刻技术中。所揭示的方法可藉由修饰等离子体中所存在的电子的能量分布来控制等离子体的组成物。使用很快的电压脉冲使等离子体中的电子加速,以便在等离子体中产生有能量的电子。该脉冲需足够长以影响电子,但太短将不能对离子造成显著影响。有能量的电子和等离子体组成物之间的碰撞,造成等离子体组成物中的变化。等离子体组成物然后可最佳化,以符合所使用的特定工艺的需求。这意味着能使等离子体中离子物种的比例改变、使离子化相对于分解的比例改变、或使等离子体的激发状态群改变。
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公开(公告)号:CN103109342A
公开(公告)日:2013-05-15
申请号:CN201180028561.7
申请日:2011-06-13
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32146 , H01J37/32412 , H01J37/3244
Abstract: 揭示用于等离子体处理衬底的技术。在一个特定示范性实施例中,所述技术可用包括以下操作的方法来实现:在接近等离子体源处引入馈送气体,其中所述馈送气体可包括第一和第二物质,其中所述第一和第二物质具有不同的电离能量;向所述等离子体源提供多电平RF功率波形,其中所述多电平RF功率波形至少具有第一功率电平和在第二脉冲持续时间期间的第二功率电平,其中所述第二功率电平可不同于所述第一功率电平;在所述第一脉冲持续时间期间电离所述馈送气体的所述第一物质;在所述第二脉冲持续时间期间电离所述第二物质;以及在所述第一脉冲持续时间期间向所述衬底提供偏压。
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