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公开(公告)号：CN102471880B
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201080029436.3
申请日：2010-06-25
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 卡莫尔·哈迪德 , 拉杰许·都蕾 , 伯纳德·G·琳赛 , 维克拉姆·辛 , 乔治·D·帕帕守尔艾迪斯
IPC: C23C14/48 , H01J37/317 , H01J37/32
CPC classification number: C23C14/48 , H01J37/32412 , H01J37/32935
Abstract: 一种调整等离子体的组成物的方法，用于等离子体掺杂、等离子体沉积和等离子体蚀刻技术中。所揭示的方法可藉由修饰等离子体中所存在的电子的能量分布来控制等离子体的组成物。使用很快的电压脉冲使等离子体中的电子加速，以便在等离子体中产生有能量的电子。该脉冲需足够长以影响电子，但太短将不能对离子造成显著影响。有能量的电子和等离子体组成物之间的碰撞，造成等离子体组成物中的变化。等离子体组成物然后可最佳化，以符合所使用的特定工艺的需求。这意味着能使等离子体中离子物种的比例改变、使离子化相对于分解的比例改变、或使等离子体的激发状态群改变。
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公开(公告)号：CN104094349B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201280068868.4
申请日：2012-12-04
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 法兰克·辛克莱 , 艾立克斯恩德·C·刚特司 , 拉杰许·都蕾
CPC classification number: G11B5/127 , B82Y10/00 , G01Q80/00 , G11B5/02 , G11B5/1278 , G11B5/746 , G11B9/1409 , G11B2005/0002
Abstract: 磁性存储装置的写入头包含写入尖端，写入尖端包括磁性材料；写入脉冲发生器，写入脉冲发生器经配置以产生包括在磁性存储装置与写入尖端之间的变化的偏压的写入脉冲信号。写入脉冲信号包括一个或多个写入脉冲，写入脉冲有效地使电子从写入尖端隧穿到磁性存储装置中。数据流发生器经配置以向写入尖端提供数据流信号，其中数据流信号可操作以将电子中的自旋极性从第一极性改变成第二极性。
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公开(公告)号：CN101911250A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200880124459.5
申请日：2008-11-13
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 乔纳森·吉罗德·英格兰 , 拉杰许·都蕾 , 卢多维克·葛特
IPC: H01L21/20 , H01L29/786 , H01L31/042
CPC classification number: H01L21/02689 , C30B1/023 , C30B29/06 , H01L21/0237 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/268 , H01L31/0747 , H01L31/182 , H01L31/202 , Y02E10/546 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供处理基板的方法的一些例子。在一实施例中，此方法可包括将具有上表面与下表面的基板放在室中的平台上；在基板的上表面上产生包括多个带电粒子的等离子体，等离子体具有一截面积，此截面积等于或大于基板的上表面的表面积；供应偏压至基板，以将带电粒子吸引至基板的上表面；将带电粒子导入至一区域，此区域延伸至基板的整个上表面下；以及同时启动此区域的相转变，使此区域由非晶相转变为结晶相。
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公开(公告)号：CN101897006A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200880120202.2
申请日：2008-11-13
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 乔纳森·吉罗德·英格兰 , 法兰克·辛克莱 , 约翰(本雄)·具 , 拉杰许·都蕾 , 卢多维克·葛特
IPC: H01L21/26 , H01L31/042 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02689 , C30B1/023 , C30B29/06 , H01L21/0237 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/268 , H01L31/0747 , H01L31/182 , H01L31/202 , Y02E10/546 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供处理基板的方法的一些例子。在一实施例中，此方法可以包括产生含有多个粒子的连续粒子束；以及将连续粒子束导入基板的非晶相区域，以将此区域由非晶相转变为结晶相，其中连续粒子束的电流密度为5×1014粒子/平方厘米·秒(particles/cm2sec)或更大。
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公开(公告)号：CN104094349A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201280068868.4
申请日：2012-12-04
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 法兰克·辛克莱 , 艾立克斯恩德·C·刚特司 , 拉杰许·都蕾
CPC classification number: G11B5/127 , B82Y10/00 , G01Q80/00 , G11B5/02 , G11B5/1278 , G11B5/746 , G11B9/1409 , G11B2005/0002
Abstract: 磁性存储装置的写入头包含写入尖端，写入尖端包括磁性材料；写入脉冲发生器，写入脉冲发生器经配置以产生包括在磁性存储装置与写入尖端之间的变化的偏压的写入脉冲信号。写入脉冲信号包括一个或多个写入脉冲，写入脉冲有效地使电子从写入尖端隧穿到磁性存储装置中。数据流发生器经配置以向写入尖端提供数据流信号，其中数据流信号可操作以将电子中的自旋极性从第一极性改变成第二极性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101584017B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200780050095.6
申请日：2007-12-03
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 唐纳·L·史麦特雷克 , 葛登·C·恩吉尔 , 拉杰许·都蕾
IPC: H01J37/02 , H01J37/317 , H01J37/05
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/026 , H01J2237/0041 , H01J2237/055 , H01J2237/152 , H01J2237/31701
Abstract: 揭示离子注入机中束缚电子的装置与方法。所述装置与方法包含：沿离子束路径(30)的至少一部分来定位的磁体的第一阵列(31)以及磁体的第二阵列(32)，所述第一阵列位于所述离子束路径的第一侧上且所述第二阵列位于所述离子束路径的第二侧上，所述第一侧与所述第二侧相反。所述第一阵列中的至少一磁体(302)可具有面向所述第二阵列中的相应磁体(302)的相反磁极的磁极，磁体的所述第一与第二阵列可在所述离子束路径中或附近共同产生勾形磁场以束缚电子。
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公开(公告)号：CN102471880A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080029436.3
申请日：2010-06-25
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 卡莫尔·哈迪德 , 拉杰许·都蕾 , 伯纳德·G·琳赛 , 维克拉姆·辛 , 乔治·D·帕帕守尔艾迪斯
IPC: C23C14/48 , H01J37/317 , H01J37/32
CPC classification number: C23C14/48 , H01J37/32412 , H01J37/32935
Abstract: 一种调整等离子体的组成物的方法，用于等离子体掺杂、等离子体沉积和等离子体蚀刻技术中。所揭示的方法可藉由修饰等离子体中所存在的电子的能量分布来控制等离子体的组成物。使用很快的电压脉冲使等离子体中的电子加速，以便在等离子体中产生有能量的电子。该脉冲需足够长以影响电子，但太短将不能对离子造成显著影响。有能量的电子和等离子体组成物之间的碰撞，造成等离子体组成物中的变化。等离子体组成物然后可最佳化，以符合所使用的特定工艺的需求。这意味着能使等离子体中离子物种的比例改变、使离子化相对于分解的比例改变、或使等离子体的激发状态群改变。
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公开(公告)号：CN101911255A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200880124531.4
申请日：2008-11-13
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 乔纳森·吉罗德·英格兰 , 法兰克·辛克莱 , 约翰(本雄)·具 , 拉杰许·都蕾 , 卢多维克·葛特
IPC: H01L21/26 , H01L29/786 , H01L31/042
CPC classification number: H01L21/02689 , C30B1/023 , C30B29/06 , H01L21/0237 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/268 , H01L31/0747 , H01L31/182 , H01L31/202 , Y02E10/546 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供处理基板的方法的一些例子。在一实施例中，此方法可包括将多个第一粒子导入到基板的第一区域，以在第一区域中形成具有粒界的至少一结晶，而不在第二区域形成其他结晶，且第二区域邻近于第一区域；以及在停止导入第一粒子之后，延伸形成于第一区域中的至少一结晶的粒界到第二区域。
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公开(公告)号：CN101584017A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200780050095.6
申请日：2007-12-03
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 唐纳·L·史麦特雷克 , 葛登·C·恩吉尔 , 拉杰许·都蕾
IPC: H01J37/02 , H01J37/317 , H01J37/05
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/026 , H01J2237/0041 , H01J2237/055 , H01J2237/152 , H01J2237/31701
Abstract: 揭示离子注入机中束缚电子的装置与方法。所述装置与方法包含：沿离子束路径(30)的至少一部分来定位的磁体的第一阵列(31)以及磁体的第二阵列(32)，所述第一阵列位于所述离子束路径的第一侧上且所述第二阵列位于所述离子束路径的第二侧上，所述第一侧与所述第二侧相反。所述第一阵列中的至少一磁体(302)可具有面向所述第二阵列中的相应磁体(302)的相反磁极的磁极，磁体的所述第一与第二阵列可在所述离子束路径中或附近共同产生勾形磁场以束缚电子。
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公开(公告)号：CN101167155A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200680013776.0
申请日：2006-04-25
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32412 , C23C14/48 , H01J37/32009 , H01J37/32752
Abstract: 等离子掺杂装置包括反应室以及等离子源，等离子源在反应室中自掺杂剂气体产生离子。格栅定位于反应室中。用于支撑目标的压板定位于反应室中。格栅以及目标中至少一者经定向以使得自格栅提取的掺杂剂离子以非垂直入射角冲击目标。
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