-
公开(公告)号：CN114655936B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202011547273.X
申请日：2020-12-23
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明公开了一种多孔热电合金材料及其制备方法。具体地，本发明公开了一种多孔热电合金材料，其微观组织结构由准等轴晶粒和均匀分布的孔隙构成。本发明还公开了一种所述多孔热电合金材料的制备方法。具有本发明微观结构特征的多孔热电合金材料的机械性能并未因孔隙的存在而明显减弱，且具有优异的热电性能。如对于Bi0.42Sb1.58Te3多孔块材，其维氏硬度、抗弯强度和抗压强度分别可达0.6GPa、64MPa和130MPa，另外，Bi0.42Sb1.58Te3多孔块材的最大热电优值ZT和平均ZT值分别可达1.27和1.15。该发明在保证材料具有优异热电性能的同时，兼具有良好的机械性能，同时减少了原料消耗，进而降低生产成本，具有良好的产业化前景。
-
公开(公告)号：CN115340380B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202210581528.7
申请日：2022-05-26
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/52 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本发明涉及一种新型异质结构金刚石/立方氮化硼(cBN)复合块材及其制备方法，属于超硬复合材料领域。本发明以洋葱碳纳米颗粒和六方BN微米片为原料，通过静电自组装工艺精心制备了洋葱碳纳米颗粒包裹六方BN微米片的前驱体，然后结合高温高压条件下的结构相变，使洋葱碳纳米颗粒转变成了纳米孪晶金刚石，六方BN微米片转变成了细长片层状cBN，两者构筑成异质结构金刚石/cBN复合块材。合成的异质结构金刚石/cBN复合块材的努氏硬度为50‑180GPa，断裂韧性为15‑25MPa·m1/2。这种金刚石/cBN复合块材在精密机械加工、地质勘探及化石燃料开采等领域具有广阔的应用前景。
-
公开(公告)号：CN116143518A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202111397981.4
申请日：2021-11-23
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/52 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B35/645
Abstract: 本发明公开了一种导电高强金刚石/非晶碳复合材料及其制备方法。该金刚石/非晶碳复合材料由非晶碳连续相和嵌在非晶碳连续相中的金刚石颗粒组成，其中金刚石颗粒表现出有序的sp3杂化态，非晶碳连续相表现出无序的sp2杂化态。本发明还公开一种制备上述金刚石/非晶碳复合材料的工艺方法。该工艺方法包括以sp3碳粉体或玻璃碳为原料通过烧结获得所述材料。该金刚石/非晶碳复合材料显示出良好的导电特性以及良好的电火花加工能力，化学稳定性好且质地较轻，在航空航天、汽车工业和生物医学设备中有着广阔的应用前景。
-
-
公开(公告)号：CN113493202B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202010261332.0
申请日：2020-04-03
Applicant: 燕山大学
Inventor： 田永君 , 徐波 , 周向锋 , 胡文涛 , 高宇飞 , 李子鹤 , 应盼 , 刘笑笑 , 于栋利 , 何巨龙 , 柳忠元 , 聂安民 , 王霖 , 高国英 , 陈俊云 , 赵智胜
IPC: C01B32/26
Abstract: 本发明涉及金刚石复相材料及其制备方法。本发明以洋葱碳为原料，通过高温高压的合成方法制备出一种包含3C、2H、4H、6H、8H、10H、9R、15R、21R多种类型金刚石相的新型金刚石复相块材。在块材的晶粒内可以发现2H、3C、4H、6H、8H、9R、10H、15R、21R中的两种或两种以上类型的金刚石相，其中3C型金刚石具有超细纳米孪晶组织结构，孪晶宽度1‑15nm。本发明所公开的金刚石复相块材内部晶粒尺寸为2‑80nm，其维氏硬度为150‑260GPa，断裂韧性为12‑30MPa·m1/2。这种金刚石复相块材在精密与超精密加工领域、拉丝模、磨料磨具及特种光学元件等领域具有广阔的应用。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113277849B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202011329225.3
申请日：2020-11-24
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/56 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本申请涉及高红硬性碳化钨纯相块体材料及其制备方法。本文所提供的高红硬性碳化钨纯相块体材料的制备方法包括以下步骤：(1)将纳米碳化钨粉末预压成坯，得到预压坯体；(2)用包装材料将所述预压坯体进行包装隔离，得到前驱体；(3)将所述前驱体进行真空净化；(4)在至少1000℃的温度和至少1.5GPa的压力下合成高红硬性碳化钨纯相块体材料。本申请的高红硬性碳化钨纯相块体材料具有超细晶粒和较高的致密性，以及优异的高红硬性。
-
公开(公告)号：CN114763306A
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202110056514.9
申请日：2021-01-15
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/5831 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本发明公开了一种层状氮化硼晶界相增韧的闪锌矿氮化硼陶瓷及其制备方法。该陶瓷体包括两种典型组织结构：一种是当层状BN晶界相分布于闪锌矿氮化硼晶粒周围时，材料的硬度达到20～40GPa，断裂韧性达到6～9MPa·m1/2；另一种是当层状BN晶界相只存在于闪锌矿氮化硼晶界交汇处(三角区)时，材料的硬度达大于40GPa，断裂韧性大于9MPa·m1/2。本发明还公开一种制备上述层状氮化硼(BN)晶界相增韧的闪锌矿氮化硼陶瓷体的工艺。该工艺包括无压或高温高压烧结一种或多种相结构的BN粉体原料，原位形成了以闪锌矿氮化硼为主相，层状BN为晶界相的陶瓷体。
-
公开(公告)号：CN112279301A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011169934.X
申请日：2020-10-28
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明公开了一种厘米级2H相CrS2‑WS2水平异质结的制备方法，属于无机半导体纳米材料制备领域，包括以下步骤：以Cr、NaCl、WO3、S为原料，在多温区管式炉里面以Si/SiO2为基底，在氩气保护下，进行加热硫化反应，通过一步化学气相沉积法制备得到厘米级2H相CrS2‑WS2水平异质结；本发明所述的方法步骤简单，操作方便，合成速度快而且成本低廉，制备得到的2H相CrS2‑WS2水平异质结结晶性良好。
-
公开(公告)号：CN109821480B
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201910085279.0
申请日：2019-01-29
Applicant: 燕山大学
IPC: B01J3/06
Abstract: 本发明涉及一种超硬半导体性非晶碳块体材料及其制备方法。该方法包括以下步骤：(1)将C60富勒烯预制成柱状坯体；(2)将得到的柱状坯体装入六方氮化硼坩埚中，再装入高温高压组装块中；(3)将组装块置于高温高压合成设备中进行高温高压处理；(4)处理完成后得到超硬半导体性非晶碳块体材料。上述超硬半导体性非晶碳块体材料制备方法，以C60富勒烯粉末为原料，利用高温高压试验，通过调控温度与压力之间的关系，探索了C60富勒烯在高压下的相变行为，合成了具有高硬或超高硬度、致密的、半导体性质的非晶碳块体材料，具有广阔的应用前景。
-
公开(公告)号：CN110395988A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201910790924.9
申请日：2019-08-26
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/5831 , C04B35/645 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种高强度氮化硼陶瓷及其制备方法，制备方法包括以下步骤：A)装料：称量一定质量的单一粒径纳米立方氮化硼粉体，预压成型，将预压成型后的预压坯放入烧结模具；B)烧结：将步骤A)中的预压坯连同烧结模具一起放入放电等离子烧结设备或者热压烧结设备中烧结；C)出料：待设备内温度冷却至室温后取出模具，退模获得高强度氮化硼陶瓷块体。本发明通过烧结单一粒径的纳米立方氮化硼粉体，获得高强度的氮化硼陶瓷。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
92
records
(took 0.019 seconds)
