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公开(公告)号：CN116693296B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202310555292.4
申请日：2021-12-21
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/565 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本申请涉及一种纳米晶碳化硅超硬块材及其制备方法。该纳米晶碳化硅超硬块材的平均晶粒尺寸小于100nm，维氏硬度等于或高于40GPa。该制备方法包括以下步骤：A)预处理：称取一定质量的碳化硅纳米粉，酸洗处理，水稀释至接近中性后取出烘干；B)预压成型：将A)预处理后的原料进行预压，得到预压坯体；C)烧结：对步骤B)得到的预压坯体进行高温高压烧结；D)出料：对步骤C)中的高温高压烧结设备进行降温卸压，取出烧结后的碳化硅块体，进行任选的后处理，获得了纳米晶碳化硅超硬块材。
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公开(公告)号：CN115928217B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202211655012.9
申请日：2022-12-22
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明公开了键合态TiAl单晶及其扩散键合工艺方法。对焊缝处进行EBSD等试验表征，结果表明：焊接之前将TiAl单晶待焊面表面粗糙度降低至200nm以下，压力在10～50MPa之间，焊接温度在950～1250℃之间，保温时间为1～10h时TiAl单晶样品焊合率在90％以上，实现了有效扩散键合；在10～30MPa压力下，焊接温度在1050～1150℃之间，保温时间为3～10h时焊缝处无再结晶生成，完全通过原子之间直接键合，进一步优化实现了TiAl单晶的无再结晶原子级扩散键合，焊合率高达95％以上。本发明操作方法简单、节能环保、可批量进行压焊，从而得到大尺寸键合态TiAl单晶。
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公开(公告)号：CN114315361B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202111574952.0
申请日：2021-12-21
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/565 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本申请涉及一种纳米晶碳化硅超硬块材及其制备方法。该纳米晶碳化硅超硬块材的平均晶粒尺寸小于100nm，维氏硬度等于或高于40GPa。该制备方法包括以下步骤：A)预处理：称取一定质量的碳化硅纳米粉，酸洗处理，水稀释至接近中性后取出烘干；B)预压成型：将A)预处理后的原料进行预压，得到预压坯体；C)烧结：对步骤B)得到的预压坯体进行高温高压烧结；D)出料：对步骤C)中的高温高压烧结设备进行降温卸压，取出烧结后的碳化硅块体，进行任选的后处理，获得了纳米晶碳化硅超硬块材。
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公开(公告)号：CN110357106B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN201910790892.2
申请日：2019-08-26
Applicant: 燕山大学
IPC: C01B32/991 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种制备纳米孪晶碳化硼粉体的方法，涉及超细陶瓷粉体制备技术领域，包括以下步骤：（1）使用作为硼源的硼酸和碳源，称取硼源和碳源后放入去离子水中，搅拌均匀至完全溶解，获得无色透明的溶液；（2）将得到的溶液放在加热台上加热至溶液蒸干，将得到块状物研磨成粉体后收集备用；（3）将粉体放入石墨坩埚中，将石墨坩埚放在在管式炉或碳管炉中抽真空然后加热，加热温度设定为1000～2000℃，保温时间0～180min，冷却后得到纳米孪晶碳化硼粉体。本发明降低了纳米碳化硼粉体制备的难度，提高了产物纯度，提高了产率，原料价格低廉，制备工艺简单，制备粉体纯度高粒径小，反应条件温和，加热温度低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113526475A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202010305181.4
申请日：2020-04-17
Applicant: 燕山大学
IPC: C01B21/064 , C30B29/40 , C30B1/12
Abstract: 本发明涉及一种新型sp2‑sp3杂化的晶态氮化硼及其制备方法。本发明以常见sp2或sp3杂化的氮化硼为原料，利用高温高压的合成方法制备出一种新型sp2‑sp3杂化的晶态氮化硼同素异形体，其基本结构单元由sp2杂化的类石墨结构单元和sp3杂化的类金刚石结构单元构成，并将其命名为—Gradia氮化硼。本发明所公开的Gradia氮化硼是一类新型sp2‑sp3杂化的晶态氮化硼同素异构体，其晶体结构可根据其内部sp2和sp3结构单元的尺寸和界面匹配关系而改变，具有可调的新奇物理性能。
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公开(公告)号：CN113277849A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202011329225.3
申请日：2020-11-24
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/56 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本申请涉及高红硬性碳化钨纯相块体材料及其制备方法。本文所提供的高红硬性碳化钨纯相块体材料的制备方法包括以下步骤：(1)将纳米碳化钨粉末预压成坯，得到预压坯体；(2)用包装材料将所述预压坯体进行包装隔离，得到前驱体；(3)将所述前驱体进行真空净化；(4)在至少1000℃的温度和至少1.5GPa的压力下合成高红硬性碳化钨纯相块体材料。本申请的高红硬性碳化钨纯相块体材料具有超细晶粒和较高的致密性，以及优异的高红硬性。
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公开(公告)号：CN111285401B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202010177721.5
申请日：2020-03-13
Applicant: 燕山大学
IPC: C01G41/00
Abstract: 本发明公开了一种锰掺杂单层二硫化钨二维晶体的制备方法，属于无机半导体纳米材料制备领域。该Mn掺杂单层WS2二维晶体的制备方法为：以MnO2、NaCl、WO3、S为原料，在三温区管式炉里面以Si/SiO2为基底，通过化学气相沉积的方式制备得到Mn掺杂单层WS2二维晶体。本实验室生长的本征WS2形貌多为规则的正三角形，Mn掺杂后的WS2样品的光学图像出现明显的衬度差，并且会有部分不规则的多角形出现。本发明操作简单，成本低廉，对仪器设备要求低，合成的样品化学及热力学稳定性好。所制备的样品在电子、传感器、探测器等光电及稀磁半导体方面有着巨大的应用前景。
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公开(公告)号：CN111218717A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN202010096253.9
申请日：2020-02-17
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明涉及一种生长Fe掺杂单层WS2二维晶体的方法，属于无机半导体纳米材料制备的技术领域，其包括以下步骤：以Fe2O3、NaCl、WO3、S为原料，在多温区管式炉里面以Si/SiO2为基底，通过S单质对WO3及Fe2O3同时硫化，共同参与成键，使Fe取代部分WS2单层二维晶体中W的位置，通过化学气相沉积的方式制备得到Fe掺杂单层WS2二维晶体。本发明所述的方法步骤简单、操作方便，合成速度快且成本低，制备得到的Fe掺杂单层WS2二维晶体结晶性好，化学及热力学性能稳定。
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公开(公告)号：CN103569976B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201210285274.0
申请日：2012-08-03
Applicant: 燕山大学
IPC: C01B21/064
CPC classification number: C01B21/0648 , B01J3/062 , B01J2203/0645 , B01J2203/066 , B82Y30/00 , C01P2002/60 , C01P2002/72 , C01P2004/02 , C01P2004/04 , C01P2004/64 , C04B35/5831 , C04B35/645 , C04B2235/52 , C04B2235/5409 , C04B2235/5454 , C04B2235/723 , C04B2235/781 , C04B2235/96
Abstract: 本发明涉及一种超高硬度纳米孪晶氮化硼块体材料及其制备方法。具体地，本发明公开了一种含高密度孪晶的纳米晶立方氮化硼块体材料及其合成方法，以纳米球形氮化硼(圆葱头结构)颗粒(优选地，粒径为5‑70nm)为原料，通过高温高压合成了纳米孪晶氮化硼块体。所获的纳米孪晶氮化硼块的体积为1‑2000mm3；维氏硬度为60‑120GPa；晶粒尺寸为5‑100nm。本发明与现有技术相比，所获得的纳米孪晶氮化硼块具有远高于普通立方氮化硼单晶体的硬度(普通立方氮化硼单晶的硬度仅为49GPa左右)，其最高的维氏硬度达到120GPa，与金刚石单晶的硬度相当。纳米孪晶氮化硼块在高速切削和精密与超精密加工等机械加工领域、磨料磨具和拉丝模及特种光学器件等领域具有广阔的应用前景。
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