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公开(公告)号：CN112279301A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011169934.X
申请日：2020-10-28
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明公开了一种厘米级2H相CrS2‑WS2水平异质结的制备方法，属于无机半导体纳米材料制备领域，包括以下步骤：以Cr、NaCl、WO3、S为原料，在多温区管式炉里面以Si/SiO2为基底，在氩气保护下，进行加热硫化反应，通过一步化学气相沉积法制备得到厘米级2H相CrS2‑WS2水平异质结；本发明所述的方法步骤简单，操作方便，合成速度快而且成本低廉，制备得到的2H相CrS2‑WS2水平异质结结晶性良好。
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公开(公告)号：CN111285401B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202010177721.5
申请日：2020-03-13
Applicant: 燕山大学
IPC: C01G41/00
Abstract: 本发明公开了一种锰掺杂单层二硫化钨二维晶体的制备方法，属于无机半导体纳米材料制备领域。该Mn掺杂单层WS2二维晶体的制备方法为：以MnO2、NaCl、WO3、S为原料，在三温区管式炉里面以Si/SiO2为基底，通过化学气相沉积的方式制备得到Mn掺杂单层WS2二维晶体。本实验室生长的本征WS2形貌多为规则的正三角形，Mn掺杂后的WS2样品的光学图像出现明显的衬度差，并且会有部分不规则的多角形出现。本发明操作简单，成本低廉，对仪器设备要求低，合成的样品化学及热力学稳定性好。所制备的样品在电子、传感器、探测器等光电及稀磁半导体方面有着巨大的应用前景。
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公开(公告)号：CN111218717A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN202010096253.9
申请日：2020-02-17
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明涉及一种生长Fe掺杂单层WS2二维晶体的方法，属于无机半导体纳米材料制备的技术领域，其包括以下步骤：以Fe2O3、NaCl、WO3、S为原料，在多温区管式炉里面以Si/SiO2为基底，通过S单质对WO3及Fe2O3同时硫化，共同参与成键，使Fe取代部分WS2单层二维晶体中W的位置，通过化学气相沉积的方式制备得到Fe掺杂单层WS2二维晶体。本发明所述的方法步骤简单、操作方便，合成速度快且成本低，制备得到的Fe掺杂单层WS2二维晶体结晶性好，化学及热力学性能稳定。
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公开(公告)号：CN115161772B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202210495206.0
申请日：2022-05-07
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明涉及一步法制备MoS2/WS2水平异质结多晶薄膜的方法，属于无机纳米半导体材料领域，将装有硫粉的刚玉舟放于多温区管式炉上游低温区；将氧化钨与氯化钠混合粉、铬粉、氧化钼粉依次分开放于管式炉下游高温区的长刚玉舟上游；通入惰性保护气体，将多温区管式炉各个温区升温至目标温度使前驱体蒸发，在载气的带动下在多温区管式炉下游位置反应并沉积于放置在长刚玉舟下游的基底上，形成小晶粒多晶MoS2/WS2水平异质结薄膜。本发明仅需一步便能够在两个小时左右的时间内制备得到晶粒尺寸微小、结晶度好、多晶样品尺寸大的单层MoS2/WS2水平异质结连续多晶薄膜，反应所用的原料来源广泛、成本低廉，且操作安全、简单。
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公开(公告)号：CN114864382A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210473606.1
申请日：2022-04-29
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明涉及一步法制备单层MoS2/WS2双组份梯度材料的方法，属于无机纳米半导体材料领域，将硫粉用药匙在刚玉舟的一侧压实，并将盛放硫粉的刚玉舟用铝箔纸密封包裹，用细钢针在盛放硫粉的一侧扎小孔，然后将盛放硫粉的刚玉舟置于多温区管式炉上游低温区；将氧化钨粉与NaCl混合物、氧化钼粉依次分开置于长刚玉舟上游，将基底置于长刚玉舟下游，然后将长刚玉舟置于多温区管式炉下游高温区；随着多温区管式炉下游高温区温度的调节及NaCl用量的调整，制备出不同尺寸的单层MoS2/WS2双组份梯度材料。本发明能够制备尺寸可控的单层MoS2/WS2双组份梯度材料，所制备的样品结晶性好、化学及热力学性能稳定，应用前景好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115161772A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210495206.0
申请日：2022-05-07
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明涉及一步法制备MoS2/WS2水平异质结多晶薄膜的方法，属于无机纳米半导体材料领域，将装有硫粉的刚玉舟放于多温区管式炉上游低温区；将氧化钨与氯化钠混合粉、铬粉、氧化钼粉依次分开放于管式炉下游高温区的长刚玉舟上游；通入惰性保护气体，将多温区管式炉各个温区升温至目标温度使前驱体蒸发，在载气的带动下在多温区管式炉下游位置反应并沉积于放置在长刚玉舟下游的基底上，形成小晶粒多晶MoS2/WS2水平异质结薄膜。本发明仅需一步便能够在两个小时左右的时间内制备得到晶粒尺寸微小、结晶度好、多晶样品尺寸大的单层MoS2/WS2水平异质结连续多晶薄膜，反应所用的原料来源广泛、成本低廉，且操作安全、简单。
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公开(公告)号：CN112174211A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202011168522.4
申请日：2020-10-28
Applicant: 燕山大学
IPC: C01G41/00
Abstract: 本发明涉及一种制备铬掺杂单层二硫化钨二维晶体的方法，属于无机半导体纳米材料制备的技术领域，其包括以下步骤：以Cr、NaCl、WO3、S为原料，在多温区管式炉里面以Si/SiO2为基底，通过S单质对WO3及Cr同时进行硫化，共同参与成键，使Cr取代部分WS2单层二维晶体中W的位置，通过化学气相沉积的方式制备得到Cr掺杂单层WS2二维晶体。本发明所述的方法步骤简单、操作方便，合成速度快且成本低廉，制备得到的Cr掺杂单层WS2二维晶体结晶性好，化学及热力学性能稳定。
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公开(公告)号：CN112174211B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202011168522.4
申请日：2020-10-28
Applicant: 燕山大学
IPC: C01G41/00
Abstract: 本发明涉及一种制备铬掺杂单层二硫化钨二维晶体的方法，属于无机半导体纳米材料制备的技术领域，其包括以下步骤：以Cr、NaCl、WO3、S为原料，在多温区管式炉里面以Si/SiO2为基底，通过S单质对WO3及Cr同时进行硫化，共同参与成键，使Cr取代部分WS2单层二维晶体中W的位置，通过化学气相沉积的方式制备得到Cr掺杂单层WS2二维晶体。本发明所述的方法步骤简单、操作方便，合成速度快且成本低廉，制备得到的Cr掺杂单层WS2二维晶体结晶性好，化学及热力学性能稳定。
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公开(公告)号：CN111218717B
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202010096253.9
申请日：2020-02-17
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明涉及一种生长Fe掺杂单层WS2二维晶体的方法，属于无机半导体纳米材料制备的技术领域，其包括以下步骤：以Fe2O3、NaCl、WO3、S为原料，在多温区管式炉里面以Si/SiO2为基底，通过S单质对WO3及Fe2O3同时硫化，共同参与成键，使Fe取代部分WS2单层二维晶体中W的位置，通过化学气相沉积的方式制备得到Fe掺杂单层WS2二维晶体。本发明所述的方法步骤简单、操作方便，合成速度快且成本低，制备得到的Fe掺杂单层WS2二维晶体结晶性好，化学及热力学性能稳定。
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公开(公告)号：CN111285401A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010177721.5
申请日：2020-03-13
Applicant: 燕山大学
IPC: C01G41/00
Abstract: 本发明公开了一种锰掺杂单层二硫化钨二维晶体的制备方法，属于无机半导体纳米材料制备领域。该Mn掺杂单层WS2二维晶体的制备方法为：以MnO2、NaCl、WO3、S为原料，在三温区管式炉里面以Si/SiO2为基底，通过化学气相沉积的方式制备得到Mn掺杂单层WS2二维晶体。本实验室生长的本征WS2形貌多为规则的正三角形，Mn掺杂后的WS2样品的光学图像出现明显的衬度差，并且会有部分不规则的多角形出现。本发明操作简单，成本低廉，对仪器设备要求低，合成的样品化学及热力学稳定性好。所制备的样品在电子、传感器、探测器等光电及稀磁半导体方面有着巨大的应用前景。
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