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公开(公告)号：CN112374500A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011048048.1
申请日：2020-09-29
Applicant: 燕山大学
IPC: C01B32/949 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及一种等轴晶纳米碳化钨粉末的制备方法。本发明的方法包括以下步骤：(1)将钨源、可食用碳源溶解于水中形成溶液，将所述溶液干燥，得到胶状前驱体；并且(2)将所述胶状前驱体在绝对压强低于1.0×10‑2Pa的真空度下在1250～2000℃的温度下反应，得到等轴晶纳米碳化钨粉末。本发明的方法采用安全无毒且低成本的可食用碳源，获得了高纯度、纳米级尺寸的、等轴晶碳化钨粉末。与传统的方法相比，本发明的方法具有工艺简单、绿色环保、成本低廉和安全性高等优点，而且还可表现出优异的组织控制精度以及良好的工艺稳定性和可重复性。
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公开(公告)号：CN116693296B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202310555292.4
申请日：2021-12-21
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/565 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本申请涉及一种纳米晶碳化硅超硬块材及其制备方法。该纳米晶碳化硅超硬块材的平均晶粒尺寸小于100nm，维氏硬度等于或高于40GPa。该制备方法包括以下步骤：A)预处理：称取一定质量的碳化硅纳米粉，酸洗处理，水稀释至接近中性后取出烘干；B)预压成型：将A)预处理后的原料进行预压，得到预压坯体；C)烧结：对步骤B)得到的预压坯体进行高温高压烧结；D)出料：对步骤C)中的高温高压烧结设备进行降温卸压，取出烧结后的碳化硅块体，进行任选的后处理，获得了纳米晶碳化硅超硬块材。
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公开(公告)号：CN114315361B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202111574952.0
申请日：2021-12-21
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/565 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本申请涉及一种纳米晶碳化硅超硬块材及其制备方法。该纳米晶碳化硅超硬块材的平均晶粒尺寸小于100nm，维氏硬度等于或高于40GPa。该制备方法包括以下步骤：A)预处理：称取一定质量的碳化硅纳米粉，酸洗处理，水稀释至接近中性后取出烘干；B)预压成型：将A)预处理后的原料进行预压，得到预压坯体；C)烧结：对步骤B)得到的预压坯体进行高温高压烧结；D)出料：对步骤C)中的高温高压烧结设备进行降温卸压，取出烧结后的碳化硅块体，进行任选的后处理，获得了纳米晶碳化硅超硬块材。
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公开(公告)号：CN114349517A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111555136.5
申请日：2021-12-17
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/5831 , C04B35/563 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本申请提供一种cBN‑B4C复合材料及其制备方法。该cBN‑B4C复合材料为由立方BN和B4C构成的两相复合材料，维氏硬度为28GPa以上，断裂韧性为3.0MPa·m1/2以上，且其密度为2.0g/cm3以上。该cBN‑B4C复合材料具有优异的断裂韧性，同时还应具有高硬度和高密度。
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公开(公告)号：CN113277849A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202011329225.3
申请日：2020-11-24
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/56 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本申请涉及高红硬性碳化钨纯相块体材料及其制备方法。本文所提供的高红硬性碳化钨纯相块体材料的制备方法包括以下步骤：(1)将纳米碳化钨粉末预压成坯，得到预压坯体；(2)用包装材料将所述预压坯体进行包装隔离，得到前驱体；(3)将所述前驱体进行真空净化；(4)在至少1000℃的温度和至少1.5GPa的压力下合成高红硬性碳化钨纯相块体材料。本申请的高红硬性碳化钨纯相块体材料具有超细晶粒和较高的致密性，以及优异的高红硬性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115925420B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202111168176.4
申请日：2021-09-30
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/52 , C04B38/00 , C04B35/628 , C04B35/64 , C04B35/645
Abstract: 本申请提供一种高弹性、高密封性的多孔碳块体材料及其制备方法。具体地，本申请提供了一种多孔碳块体材料，其中，所述多孔碳块体材料的孔径范围为3‑100nm，孔隙率为50‑87％，且所述多孔碳块体材料中的孔为闭孔。本申请还提供一种制备本申请多孔碳块体材料的方法。本申请的多孔碳块体材料的孔径小、孔隙率高且气孔均为闭孔，因而，同时具有高强度和高弹性，且具有高密封性和低密度，可以用作密封材料。
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公开(公告)号：CN116143518A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202111397981.4
申请日：2021-11-23
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/52 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B35/645
Abstract: 本发明公开了一种导电高强金刚石/非晶碳复合材料及其制备方法。该金刚石/非晶碳复合材料由非晶碳连续相和嵌在非晶碳连续相中的金刚石颗粒组成，其中金刚石颗粒表现出有序的sp3杂化态，非晶碳连续相表现出无序的sp2杂化态。本发明还公开一种制备上述金刚石/非晶碳复合材料的工艺方法。该工艺方法包括以sp3碳粉体或玻璃碳为原料通过烧结获得所述材料。该金刚石/非晶碳复合材料显示出良好的导电特性以及良好的电火花加工能力，化学稳定性好且质地较轻，在航空航天、汽车工业和生物医学设备中有着广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN113277849B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202011329225.3
申请日：2020-11-24
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/56 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本申请涉及高红硬性碳化钨纯相块体材料及其制备方法。本文所提供的高红硬性碳化钨纯相块体材料的制备方法包括以下步骤：(1)将纳米碳化钨粉末预压成坯，得到预压坯体；(2)用包装材料将所述预压坯体进行包装隔离，得到前驱体；(3)将所述前驱体进行真空净化；(4)在至少1000℃的温度和至少1.5GPa的压力下合成高红硬性碳化钨纯相块体材料。本申请的高红硬性碳化钨纯相块体材料具有超细晶粒和较高的致密性，以及优异的高红硬性。
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公开(公告)号：CN110395988A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201910790924.9
申请日：2019-08-26
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/5831 , C04B35/645 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种高强度氮化硼陶瓷及其制备方法，制备方法包括以下步骤：A)装料：称量一定质量的单一粒径纳米立方氮化硼粉体，预压成型，将预压成型后的预压坯放入烧结模具；B)烧结：将步骤A)中的预压坯连同烧结模具一起放入放电等离子烧结设备或者热压烧结设备中烧结；C)出料：待设备内温度冷却至室温后取出模具，退模获得高强度氮化硼陶瓷块体。本发明通过烧结单一粒径的纳米立方氮化硼粉体，获得高强度的氮化硼陶瓷。
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公开(公告)号：CN116693296A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310555292.4
申请日：2021-12-21
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/565 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本申请涉及一种纳米晶碳化硅超硬块材及其制备方法。该纳米晶碳化硅超硬块材的平均晶粒尺寸小于100nm，维氏硬度等于或高于40GPa。该制备方法包括以下步骤：A)预处理：称取一定质量的碳化硅纳米粉，酸洗处理，水稀释至接近中性后取出烘干；B)预压成型：将A)预处理后的原料进行预压，得到预压坯体；C)烧结：对步骤B)得到的预压坯体进行高温高压烧结；D)出料：对步骤C)中的高温高压烧结设备进行降温卸压，取出烧结后的碳化硅块体，进行任选的后处理，获得了纳米晶碳化硅超硬块材。
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