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公开(公告)号:CN110395988B
公开(公告)日:2020-08-04
申请号:CN201910790924.9
申请日:2019-08-26
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/5831 , C04B35/645 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种高强度氮化硼陶瓷及其制备方法,制备方法包括以下步骤:A)装料:称量一定质量的单一粒径纳米立方氮化硼粉体,预压成型,将预压成型后的预压坯放入烧结模具;B)烧结:将步骤A)中的预压坯连同烧结模具一起放入放电等离子烧结设备或者热压烧结设备中烧结;C)出料:待设备内温度冷却至室温后取出模具,退模获得高强度氮化硼陶瓷块体。本发明通过烧结单一粒径的纳米立方氮化硼粉体,获得高强度的氮化硼陶瓷。
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公开(公告)号:CN115925420B
公开(公告)日:2024-10-01
申请号:CN202111168176.4
申请日:2021-09-30
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/52 , C04B38/00 , C04B35/628 , C04B35/64 , C04B35/645
Abstract: 本申请提供一种高弹性、高密封性的多孔碳块体材料及其制备方法。具体地,本申请提供了一种多孔碳块体材料,其中,所述多孔碳块体材料的孔径范围为3‑100nm,孔隙率为50‑87%,且所述多孔碳块体材料中的孔为闭孔。本申请还提供一种制备本申请多孔碳块体材料的方法。本申请的多孔碳块体材料的孔径小、孔隙率高且气孔均为闭孔,因而,同时具有高强度和高弹性,且具有高密封性和低密度,可以用作密封材料。
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公开(公告)号:CN110395988A
公开(公告)日:2019-11-01
申请号:CN201910790924.9
申请日:2019-08-26
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/5831 , C04B35/645 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种高强度氮化硼陶瓷及其制备方法,制备方法包括以下步骤:A)装料:称量一定质量的单一粒径纳米立方氮化硼粉体,预压成型,将预压成型后的预压坯放入烧结模具;B)烧结:将步骤A)中的预压坯连同烧结模具一起放入放电等离子烧结设备或者热压烧结设备中烧结;C)出料:待设备内温度冷却至室温后取出模具,退模获得高强度氮化硼陶瓷块体。本发明通过烧结单一粒径的纳米立方氮化硼粉体,获得高强度的氮化硼陶瓷。
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公开(公告)号:CN114751748B
公开(公告)日:2023-06-16
申请号:CN202210269742.9
申请日:2022-03-18
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/528 , C04B35/645
Abstract: 本申请提供高强致密的类洋葱碳块材及其制备方法。具体地,本申请提供了一种高强致密的类洋葱碳块材,其中所述高强致密的类洋葱碳块材由类洋葱结构基元构成,密度为1.9‑2.3g/cm3。本申请还提供一种制备本申请高强致密的类洋葱碳块材的方法。本申请高强致密的类洋葱碳块材中的类洋葱碳结构基元尺寸小于100nm,烧结致密,因此具有高强度、高密度以及高导电性,可以替代石墨材料进行应用。
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公开(公告)号:CN115925420A
公开(公告)日:2023-04-07
申请号:CN202111168176.4
申请日:2021-09-30
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/52 , C04B38/00 , C04B35/628 , C04B35/64 , C04B35/645
Abstract: 本申请提供一种高弹性、高密封性的多孔碳块体材料及其制备方法。具体地,本申请提供了一种多孔碳块体材料,其中,所述多孔碳块体材料的孔径范围为3‑100nm,孔隙率为50‑87%,且所述多孔碳块体材料中的孔为闭孔。本申请还提供一种制备本申请多孔碳块体材料的方法。本申请的多孔碳块体材料的孔径小、孔隙率高且气孔均为闭孔,因而,同时具有高强度和高弹性,且具有高密封性和低密度,可以用作密封材料。
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公开(公告)号:CN114751748A
公开(公告)日:2022-07-15
申请号:CN202210269742.9
申请日:2022-03-18
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/528 , C04B35/645
Abstract: 本申请提供高强致密的类洋葱碳块材及其制备方法。具体地,本申请提供了一种高强致密的类洋葱碳块材,其中所述高强致密的类洋葱碳块材由类洋葱结构基元构成,密度为1.9‑2.3g/cm3。本申请还提供一种制备本申请高强致密的类洋葱碳块材的方法。本申请高强致密的类洋葱碳块材中的类洋葱碳结构基元尺寸小于100nm,烧结致密,因此具有高强度、高密度以及高导电性,可以替代石墨材料进行应用。
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