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公开(公告)号：CN116655997B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202310668288.9
申请日：2023-06-07
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明提供一种芳纶纳米纤维与羰基铁粉复合材料的制备方法和应用。该制备方法包括：将芳纶纳米纤维与羰基铁粉按照质量比1：3‑7分散于乙醇溶液中，进行超声液相剥离0.5‑2h，真空抽滤后，得到芳纶纳米纤维与羰基铁粉复合水凝胶；将所述芳纶纳米纤维与羰基铁粉复合水凝胶在真空条件下进行冷冻干燥，得到芳纶纳米纤维与羰基铁粉复合气凝胶。由该方法制备得到的芳纶纳米纤维与羰基铁粉复合气凝胶，在厚度仅为1.6mm时，对电磁波的有效吸收达到11.2GHz，在厚度为2.4mm时有最大反射损耗为‑42.6dB。由此说明其具有很好的电磁吸收性能，应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN118294667A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410265310.X
申请日：2024-03-08
IPC: G01N33/68 , G01N33/543 , G01N21/552
Abstract: 本申请涉及二维材料生物检测技术领域，更具体地说，它涉及一种糖尿病肾病标志物的生物传感器的制备方法及其4应用。利用二维硫化钨晶体作为电敏感层材料，该材料在外加电场的作用下会发生更敏感的变化从而实现SPR信号的调节。制备高质量单原子层硫化钨晶体的方法，并且成功设计了采用单层硫化钨晶体作为电敏感层成功设计了SPR生物传感器，对MCP‑1蛋白达到了较低的检测极限，并实现了临床样本的超高灵敏度检测。
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公开(公告)号：CN118090864A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410025615.3
申请日：2024-01-08
Applicant: 燕山大学
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明公开了一种基于二维钒原子掺杂硫化钨材料的场效应晶体管的生物传感器，该场效应晶体管为底栅极结构场效应晶体管，包括SiO2/Si基底、设置于SiO2/Si基底上的钒原子掺杂硫化钨层和设置于钒原子掺杂硫化钨层上的源极和漏极；钒原子掺杂硫化钨层作为场效应晶体管的导电沟道；SiO2/Si基底中，SiO2作为绝缘层，Si同时作为衬底和栅极；其制备方法包括以下步骤：利用化学气相沉积法在SiO2/Si基底上制备钒原子掺杂硫化钨层；旋涂光刻胶，曝光显影后沉积金属形成源极和漏极；去除光刻胶和多余的金属；旋涂光刻胶，曝光显影后暴露出源极、漏极和栅极中的对电极接线区域以及单层钒原子掺杂硫化钨层形成导电沟道。
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公开(公告)号：CN110357106B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN201910790892.2
申请日：2019-08-26
Applicant: 燕山大学
IPC: C01B32/991 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种制备纳米孪晶碳化硼粉体的方法，涉及超细陶瓷粉体制备技术领域，包括以下步骤：（1）使用作为硼源的硼酸和碳源，称取硼源和碳源后放入去离子水中，搅拌均匀至完全溶解，获得无色透明的溶液；（2）将得到的溶液放在加热台上加热至溶液蒸干，将得到块状物研磨成粉体后收集备用；（3）将粉体放入石墨坩埚中，将石墨坩埚放在在管式炉或碳管炉中抽真空然后加热，加热温度设定为1000～2000℃，保温时间0～180min，冷却后得到纳米孪晶碳化硼粉体。本发明降低了纳米碳化硼粉体制备的难度，提高了产物纯度，提高了产率，原料价格低廉，制备工艺简单，制备粉体纯度高粒径小，反应条件温和，加热温度低。
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公开(公告)号：CN113068390B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202110348967.9
申请日：2021-03-31
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明提供一种二维磁性Fe3GeTe2纳米片与石墨烯纳米片复合材料及其制备方法和应用。该制备方法包括：将Fe3GeTe2粉体与丙酮混合，在冰浴环境下超声液相剥离8～20小时，真空抽滤、洗涤后，得到Fe3GeTe2纳米片；将Fe3GeTe2纳米片与石墨、1‑甲基‑2‑吡咯烷酮混合，在冰浴环境下超声液相解离1～5小时，得到二维磁性Fe3GeTe2纳米片和石墨烯纳米片复合材料。由该方法制备得到的Fe3GeTe2纳米片和石墨烯纳米片复合材料，在厚度仅为1.45mm时，对频率为9.9GHz的微波的最大反射损耗为44.43dB。由此说明其具有很好的微波吸收性能，应用前景广阔。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113526475A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202010305181.4
申请日：2020-04-17
Applicant: 燕山大学
IPC: C01B21/064 , C30B29/40 , C30B1/12
Abstract: 本发明涉及一种新型sp2‑sp3杂化的晶态氮化硼及其制备方法。本发明以常见sp2或sp3杂化的氮化硼为原料，利用高温高压的合成方法制备出一种新型sp2‑sp3杂化的晶态氮化硼同素异形体，其基本结构单元由sp2杂化的类石墨结构单元和sp3杂化的类金刚石结构单元构成，并将其命名为—Gradia氮化硼。本发明所公开的Gradia氮化硼是一类新型sp2‑sp3杂化的晶态氮化硼同素异构体，其晶体结构可根据其内部sp2和sp3结构单元的尺寸和界面匹配关系而改变，具有可调的新奇物理性能。
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公开(公告)号：CN113277849A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202011329225.3
申请日：2020-11-24
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/56 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本申请涉及高红硬性碳化钨纯相块体材料及其制备方法。本文所提供的高红硬性碳化钨纯相块体材料的制备方法包括以下步骤：(1)将纳米碳化钨粉末预压成坯，得到预压坯体；(2)用包装材料将所述预压坯体进行包装隔离，得到前驱体；(3)将所述前驱体进行真空净化；(4)在至少1000℃的温度和至少1.5GPa的压力下合成高红硬性碳化钨纯相块体材料。本申请的高红硬性碳化钨纯相块体材料具有超细晶粒和较高的致密性，以及优异的高红硬性。
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公开(公告)号：CN111285401B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202010177721.5
申请日：2020-03-13
Applicant: 燕山大学
IPC: C01G41/00
Abstract: 本发明公开了一种锰掺杂单层二硫化钨二维晶体的制备方法，属于无机半导体纳米材料制备领域。该Mn掺杂单层WS2二维晶体的制备方法为：以MnO2、NaCl、WO3、S为原料，在三温区管式炉里面以Si/SiO2为基底，通过化学气相沉积的方式制备得到Mn掺杂单层WS2二维晶体。本实验室生长的本征WS2形貌多为规则的正三角形，Mn掺杂后的WS2样品的光学图像出现明显的衬度差，并且会有部分不规则的多角形出现。本发明操作简单，成本低廉，对仪器设备要求低，合成的样品化学及热力学稳定性好。所制备的样品在电子、传感器、探测器等光电及稀磁半导体方面有着巨大的应用前景。
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公开(公告)号：CN111218717A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN202010096253.9
申请日：2020-02-17
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明涉及一种生长Fe掺杂单层WS2二维晶体的方法，属于无机半导体纳米材料制备的技术领域，其包括以下步骤：以Fe2O3、NaCl、WO3、S为原料，在多温区管式炉里面以Si/SiO2为基底，通过S单质对WO3及Fe2O3同时硫化，共同参与成键，使Fe取代部分WS2单层二维晶体中W的位置，通过化学气相沉积的方式制备得到Fe掺杂单层WS2二维晶体。本发明所述的方法步骤简单、操作方便，合成速度快且成本低，制备得到的Fe掺杂单层WS2二维晶体结晶性好，化学及热力学性能稳定。
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公开(公告)号：CN103569976B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201210285274.0
申请日：2012-08-03
Applicant: 燕山大学
IPC: C01B21/064
CPC classification number: C01B21/0648 , B01J3/062 , B01J2203/0645 , B01J2203/066 , B82Y30/00 , C01P2002/60 , C01P2002/72 , C01P2004/02 , C01P2004/04 , C01P2004/64 , C04B35/5831 , C04B35/645 , C04B2235/52 , C04B2235/5409 , C04B2235/5454 , C04B2235/723 , C04B2235/781 , C04B2235/96
Abstract: 本发明涉及一种超高硬度纳米孪晶氮化硼块体材料及其制备方法。具体地，本发明公开了一种含高密度孪晶的纳米晶立方氮化硼块体材料及其合成方法，以纳米球形氮化硼(圆葱头结构)颗粒(优选地，粒径为5‑70nm)为原料，通过高温高压合成了纳米孪晶氮化硼块体。所获的纳米孪晶氮化硼块的体积为1‑2000mm3；维氏硬度为60‑120GPa；晶粒尺寸为5‑100nm。本发明与现有技术相比，所获得的纳米孪晶氮化硼块具有远高于普通立方氮化硼单晶体的硬度(普通立方氮化硼单晶的硬度仅为49GPa左右)，其最高的维氏硬度达到120GPa，与金刚石单晶的硬度相当。纳米孪晶氮化硼块在高速切削和精密与超精密加工等机械加工领域、磨料磨具和拉丝模及特种光学器件等领域具有广阔的应用前景。
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