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公开(公告)号：CN119198871A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411300151.9
申请日：2024-09-18
Applicant: 燕山大学
IPC: G01N27/414 , H01L29/24 , H01L29/786
Abstract: 本申请涉及生物传感技术领域，特别涉及一种基于Bi2O2Se材料的场效应晶体管生物传感器及制备方法与应用，该制备方法包括以下步骤：首先，制备Bi2O2Se材料，并将制备的Bi2O2Se材料转移到基底上；然后，在转移后的Bi2O2Se材料上刻蚀形成电极图形，并沉积电极材料以形成电极；采用光刻胶进行二次套刻保护电极，制得生物传感芯片；采用导电胶和金线连接电路板和电极，利用电学平台测试场效应晶体管的电学性能；最后，对制得的生物传感芯片进行功能化处理，并将功能化处理后的生物传感芯片连接至测试平台，进行生物分子检测。本申请提供的基于Bi2O2Se材料的场效应晶体管生物传感器的制备方法，采用Bi2O2Se作为沟道材料制备场效应晶体管生物传感器，实现了对抗原的高灵敏检测。
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公开(公告)号：CN112174211B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202011168522.4
申请日：2020-10-28
Applicant: 燕山大学
IPC: C01G41/00
Abstract: 本发明涉及一种制备铬掺杂单层二硫化钨二维晶体的方法，属于无机半导体纳米材料制备的技术领域，其包括以下步骤：以Cr、NaCl、WO3、S为原料，在多温区管式炉里面以Si/SiO2为基底，通过S单质对WO3及Cr同时进行硫化，共同参与成键，使Cr取代部分WS2单层二维晶体中W的位置，通过化学气相沉积的方式制备得到Cr掺杂单层WS2二维晶体。本发明所述的方法步骤简单、操作方便，合成速度快且成本低廉，制备得到的Cr掺杂单层WS2二维晶体结晶性好，化学及热力学性能稳定。
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公开(公告)号：CN111218717B
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202010096253.9
申请日：2020-02-17
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明涉及一种生长Fe掺杂单层WS2二维晶体的方法，属于无机半导体纳米材料制备的技术领域，其包括以下步骤：以Fe2O3、NaCl、WO3、S为原料，在多温区管式炉里面以Si/SiO2为基底，通过S单质对WO3及Fe2O3同时硫化，共同参与成键，使Fe取代部分WS2单层二维晶体中W的位置，通过化学气相沉积的方式制备得到Fe掺杂单层WS2二维晶体。本发明所述的方法步骤简单、操作方便，合成速度快且成本低，制备得到的Fe掺杂单层WS2二维晶体结晶性好，化学及热力学性能稳定。
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公开(公告)号：CN112964676A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202011527996.3
申请日：2020-12-22
Applicant: 燕山大学
IPC: G01N21/552
Abstract: 本发明涉及一种表面等离激元共振传感器芯片及其制备方法和应用。具体地，本发明公开了一种基于多晶二硫化钨二维材料的表面等离激元共振传感器及其制备方法和应用，利用多晶二硫化钨二维材料晶界处的硫原子与汞离子较强的相互作用，应用表面等离激元共振技术，可以检测不同浓度的汞离子，通过SPR光谱曲线共振角的线性变化，实现对汞离子的超灵敏度检测。本发明通过使用多晶二硫化钨材料，增大汞离子的灵敏度和降低检测极限。
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公开(公告)号：CN111285401A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010177721.5
申请日：2020-03-13
Applicant: 燕山大学
IPC: C01G41/00
Abstract: 本发明公开了一种锰掺杂单层二硫化钨二维晶体的制备方法，属于无机半导体纳米材料制备领域。该Mn掺杂单层WS2二维晶体的制备方法为：以MnO2、NaCl、WO3、S为原料，在三温区管式炉里面以Si/SiO2为基底，通过化学气相沉积的方式制备得到Mn掺杂单层WS2二维晶体。本实验室生长的本征WS2形貌多为规则的正三角形，Mn掺杂后的WS2样品的光学图像出现明显的衬度差，并且会有部分不规则的多角形出现。本发明操作简单，成本低廉，对仪器设备要求低，合成的样品化学及热力学稳定性好。所制备的样品在电子、传感器、探测器等光电及稀磁半导体方面有着巨大的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118149674A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410090914.5
申请日：2024-01-23
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本申请公开了一种针对极锋利车刀刃口钝圆半径的压印式测量装置及方法，涉及车刀刃口钝圆检测技术领域。可将车刀刃口钝圆的轮廓复刻于软金属表面，从而便于原子力显微镜测量其钝圆半径，提高测量精准度，并降低针尖损耗。该装置包括基座、刀架、工作台、纳米直线电机和滑轮系统；刀架和工作台均滑动连接在工作台的上表面上；刀架上设置有待测车刀；刀架上设有滑轮系统；滑轮系统能够驱动刀架靠近工作台，并与砝码配合在刀具和被压材料之间形成恒定相互作用力；工作台上设置有被压材料；被压材料的硬度低于待测车刀的硬度；纳米直线电机能够驱动工作台远离或靠近刀架。本申请同时公开了一种基于上述测量装置的测量方法。
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公开(公告)号：CN118090864A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410025615.3
申请日：2024-01-08
Applicant: 燕山大学
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明公开了一种基于二维钒原子掺杂硫化钨材料的场效应晶体管的生物传感器，该场效应晶体管为底栅极结构场效应晶体管，包括SiO2/Si基底、设置于SiO2/Si基底上的钒原子掺杂硫化钨层和设置于钒原子掺杂硫化钨层上的源极和漏极；钒原子掺杂硫化钨层作为场效应晶体管的导电沟道；SiO2/Si基底中，SiO2作为绝缘层，Si同时作为衬底和栅极；其制备方法包括以下步骤：利用化学气相沉积法在SiO2/Si基底上制备钒原子掺杂硫化钨层；旋涂光刻胶，曝光显影后沉积金属形成源极和漏极；去除光刻胶和多余的金属；旋涂光刻胶，曝光显影后暴露出源极、漏极和栅极中的对电极接线区域以及单层钒原子掺杂硫化钨层形成导电沟道。
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公开(公告)号：CN111285401B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202010177721.5
申请日：2020-03-13
Applicant: 燕山大学
IPC: C01G41/00
Abstract: 本发明公开了一种锰掺杂单层二硫化钨二维晶体的制备方法，属于无机半导体纳米材料制备领域。该Mn掺杂单层WS2二维晶体的制备方法为：以MnO2、NaCl、WO3、S为原料，在三温区管式炉里面以Si/SiO2为基底，通过化学气相沉积的方式制备得到Mn掺杂单层WS2二维晶体。本实验室生长的本征WS2形貌多为规则的正三角形，Mn掺杂后的WS2样品的光学图像出现明显的衬度差，并且会有部分不规则的多角形出现。本发明操作简单，成本低廉，对仪器设备要求低，合成的样品化学及热力学稳定性好。所制备的样品在电子、传感器、探测器等光电及稀磁半导体方面有着巨大的应用前景。
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公开(公告)号：CN111218717A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN202010096253.9
申请日：2020-02-17
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明涉及一种生长Fe掺杂单层WS2二维晶体的方法，属于无机半导体纳米材料制备的技术领域，其包括以下步骤：以Fe2O3、NaCl、WO3、S为原料，在多温区管式炉里面以Si/SiO2为基底，通过S单质对WO3及Fe2O3同时硫化，共同参与成键，使Fe取代部分WS2单层二维晶体中W的位置，通过化学气相沉积的方式制备得到Fe掺杂单层WS2二维晶体。本发明所述的方法步骤简单、操作方便，合成速度快且成本低，制备得到的Fe掺杂单层WS2二维晶体结晶性好，化学及热力学性能稳定。
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公开(公告)号：CN117393623A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311328074.3
申请日：2023-10-13
Applicant: 燕山大学
IPC: H01L31/032 , C25D13/02 , C25D13/12 , C25D13/20 , H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L31/0236
Abstract: 本发明提供一种异质结密度可控的MoSe2/SnSe异质薄膜、太阳能电池薄膜材料及其制备方法，本发明的制备方法包括以下步骤：以MoSe2、SnSe粉末为原料通过研磨和液相剥离分别获得丙酮/乙醇(体积比为1:(0.1‑5))为溶剂的纳米片有机悬浮液。利用电泳沉积技术在ITO/PET基底上沉积MoSe2/SnSe异质结薄膜。通过调节ITO基底的裂纹密度来控制MoSe2/SnSe薄膜中异质结的密度。并将MoSe2/SnSe异质结薄膜用于太阳能电池。本发明所述制备方法具有操作简单、制备流程简易、沉积速率快且成本低等优点，利用本发明的制备方法制备的异质结密度可控的MoSe2/SnSe薄膜在太阳能电池、光电化学等方面具有非常大的潜在应用价值。
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