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公开(公告)号：CN119298882A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411202445.8
申请日：2024-08-29
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: H03K3/013 , H03K3/356 , H03K19/003
Abstract: 本发明公开了一种抗双节点翻转加固的锁存器电路结构，反相器电路用于反相输入数据信号D、产生时钟信号CLKNN以及输出Q；延时电路用于延时瞬态脉冲；C单元结构用于滤波；时钟控制输入结构用于控制信号在锁存器中的传播；锁存器电路用于保证电路在受到单粒子辐射时信号保持正确的状态；时钟控制C单元结构用于滤波以及控制锁存器电路的输出信号。本发明设计的电路结构，针对双节点翻转加固效果好，敏感节点少，电路设计简单，易实现。
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公开(公告)号：CN119298881A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202410973826.X
申请日：2024-07-19
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: H03K3/013 , H03K3/356 , H03K19/003
Abstract: 本发明涉及一种FinFET工艺的冗余反馈锁存多层次抗单粒子加固触发器，包括数据输入结构、时钟输入结构、四个时钟控制结构，延时结构、数据主锁存结构、数据从锁存结构和数据输出结构，触发器对数据主锁存结构和数据从锁存结构均使用冗余反馈电路锁存数据，并使用延时结构对一路数据进行延时以滤除数据端的外来单粒子瞬态脉冲，通过冗余反馈锁存结构和延时单元实现了电路对单粒子单位/多位翻转、单粒子瞬态的多维度加固，显著提高了触发器的抗单粒子辐射加固能力；此外本发明优选采用电路和版图结合的设计加固方法，对单位栅极间距内的Fin设计为最大数量，并对敏感节点处器件使用叉指结构，同时将敏感节点对隔离布局，进一步增强抗单粒子多位翻转能力。
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公开(公告)号：CN118763124A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410738118.8
申请日：2024-06-07
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: H01L29/808 , H01L21/337 , H01L23/552
Abstract: 一种抗辐射加固的SiC超结JFET结构及制备方法，从下至上依次为：漏极金属化层、N+衬底层、N缓冲层、P柱区、N柱区、P‑base区、电流扩展区、N+源区、P+栅区、隔离介质层、栅极金属化层、源极金属化层。P柱区与N柱区交替排列于N缓冲层上表面，P柱区左右对称设置，N柱区设置在两个P柱区之间。P柱区、P‑base区两者组成一个P型掺杂区整体，并与源极金属化层连接。P+栅区与P‑base区之间形成导电沟道结构，通过控制P+栅区上的电压实现沟道的开通和关断。本发明有效解决了器件内部由高能带电粒子轰击导致的电场集中问题，降低了局部高温，极大提高了SiC JFET的抗单粒子辐射能力。
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公开(公告)号：CN114974388B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202210472026.0
申请日：2022-04-29
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G11C29/12
Abstract: 一种高速DDR存储器单粒子错误评估系统及方法，为待测DDR存储器电路配置读写模式并提供测试码型，进行读操作并判断读取数据是否为测试码型，根据判断结果进行重离子试验或重新进行读取，与待测DDR存储器电路测试码型进行对比，判断是否发生单粒子错误，将发生错误的计数与单粒子功能中断设定的阈值进行对比，判断是否超出阈值，根据判断结果再次进行阈值判定，确定发生的错误类型，并计算单粒子错误截面，完成错误评估测试。
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公开(公告)号：CN112036110B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202010899992.1
申请日：2020-08-31
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G06F30/367 , G01T1/02
Abstract: 本发明涉及一种模块级电路瞬时剂量率效应仿真测试方法，1)针对器件级电路建立基本单元NMOS管和PMOS管的物理模型；2)建立瞬时光电流模型；3)在每个NMOS管和PMOS管并联瞬时光电流模型得到获得基本单元NMOS管和PMOS管的瞬时剂量率效应的SPICE微模型；4)在SPICE仿真软件中输入模块级电路的电路配置文件和电路网表文件，在SPICE中得到模块级电路连接模型，并将所述SPICE微模型代入到模块级电路连接模型中建立模块级电路瞬时剂量率效应模型；5)对步骤4)得到的模块级电路瞬时剂量率效应模型在不同剂量率下模拟模块级电路产生的瞬时剂量率效应，监测是否获得模块级电路瞬时剂量率效应翻转阈值，若是，则完成仿真测试；若否则调整参数直至获得瞬时剂量率翻转阈值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117420588A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311211379.6
申请日：2023-09-19
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: G01T1/02
Abstract: 一种基于棋盘格的电子总剂量试验方法，能够较为有效的测算样品的实际吸收剂量，实现对试验样品抗电子总剂量能力的预估。具体包括：(1)分析试验样品的材料成分，选择合适的电子能量进行试验；(2)通过电子能量计算电子的质量阻止本领LET值，并获取理论总注量；(3)测量电子束流的均匀性，确保试验区域的均匀性误差小于5％；(4)保证样品材料的尺寸小于2cm×2cm，将试验样品和剂量片进行棋盘格摆放，并使两者的间距尽可能小；(5)开始电子辐照试验，确保电子总注量达到预设值；(6)试验结束后，对所有的剂量片进行测量，获取剂量片的实际总剂量，并预估样品区域的总剂量值。
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公开(公告)号：CN114785323B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202210345659.5
申请日：2022-03-31
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H03K3/037 , H03K19/003
Abstract: 本发明公开了一种抗单粒子翻转的掉电数据保持触发器电路，包括：主锁存器电路，用于根据接收到的输入数据信号D和互补时钟信号，输出两路数据信号D_SAVE_1/2；具备掉电贮存功能的从锁存器电路，用于根据接收到的两路数据信号D_SAVE_1/2、互补时钟信号和互补贮存信号，输出两路输出数据信号OUTPUT1/2；输出驱动级缓冲器，用于根据接收到的OUTPUT1或OUTPUT2，生成总输出信号Q；第一反相器，用于输出反相时钟信号CKN；第二反相器，用于输出反相贮存使能信号SAVEN。本发明降低了因单粒子翻转效应造成的电路正常工作和掉电保持状态下存储的数据和状态发生错误的概率，实现掉电数据保持触发器电路在低功耗宇航集成电路中的应用。
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公开(公告)号：CN117234994A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311246181.1
申请日：2023-09-25
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: G06F15/163
Abstract: 一种可动态配置的交叉开关互连结构电路，能够自动切换传递路径；能够动态切换传递路径，能够单时钟周期内改变传递路径，而不是传统交叉开关互连的静态的保持不变；能够对输入数据进行聚合和复用，聚合是指能够将不同输入端口的数据汇聚到一个输出端口，指定先后顺序输出，复用是指一个输入端口的数据能够分散到多个输出端口；能够对输入的数据进行整理，按照一定的规则对输入数据进行挑选。本发明适用于多核处理器芯片的交叉开关互连，能够使得交叉开关互连结构更加灵活、高效地实现数据传递。
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公开(公告)号：CN117169626A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311120218.6
申请日：2023-08-31
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种低能质子单粒子在轨错误率评估方法，初始化有源区的入射质子能量，确定布拉格尖峰时的射束等效能量；进行初始化质子能量后的质子试验，获得对应能段质子的能量‑截面谱；对分段数据进行单频分解拟合操作和二阶非线性拟合，提取适当数据点，分别获得在轨错误率；再对两个在轨错误率进行比较分析，确定最终在轨错误率。本发明可以较为准确的评估低能质子直接电离/核反应导致的器件在轨错误率。
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公开(公告)号：CN116430679A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310300726.6
申请日：2023-03-24
Applicant: 苏州珂晶达电子有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本申请涉及热点识别领域，具体而言，涉及一种热点检测方法及装置，一定程度上可以解决通过光刻仿真方式进行热点检测时准确性差的问题。所述的热点检测方法包括：存储多张包括电路版图的第一图像至图像库中，所述电路版图包含热点；确定所述图像库中与待测图像匹配的匹配图像，所述第一图像包括所述匹配图像，所述待测图像包括需要进行热点检测的晶圆；获取所述匹配图像的特征向量；将所述特征向量输入至预设的检测模型中，基于所述检测模型的输出，确定所述晶圆中热点的类型及位置。
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