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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118690621A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410377527.X
申请日：2024-03-29
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
Abstract: 平面工艺的敏感区沉积能量叠层仿真标定方法，属于核物理和集成电路工艺技术领域，包括：首先根据实际平面工艺电路结构构建金属层、栅氧化层、沟道等不同结构的简化模型，并在敏感区域设置沉积能量的采集探针，接着采用钴源、电子、质子等粒子源对结构进行照射，读取探针的值，最后对数据进行处理获得预设敏感区域的平均剂量值。本发明能提供准确的敏感区域能量沉积评估值，而使用仿真构建模型可避免直接试验导致的复杂分析过程。同时对仿真模型进行模块化处理可简化模型构建过程，同时对关键模块的精细处理可以保证相对较高的测量精度。
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公开(公告)号：CN118571936A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410723612.7
申请日：2024-06-05
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅场效应晶体管结构，属于功率半导体技术领域；包括漏极金属电极、N+衬底区、第一N‑漂移区、埋置P区、埋置N+区、埋置多晶硅、隔离介质层、第二N‑漂移区、P‑base区、N+源区、源极金属电极、栅极多晶硅和栅极氧化层；埋置N+区、隔离介质层横向交替设置在第一N‑漂移区与第二N‑漂移区之间，其中埋置N+区作为连接两者的导电通道；“U”型分布的埋置P区位于隔离介质层下方，内部设置有与源极金属电极相连接的埋置多晶硅。本发明结构有效降低了由于高能带电粒子轰击引起的栅极氧化层强电场，大幅提升了碳化硅场效应晶体管的抗单粒子辐射能力。
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公开(公告)号：CN118763124A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410738118.8
申请日：2024-06-07
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: H01L29/808 , H01L21/337 , H01L23/552
Abstract: 一种抗辐射加固的SiC超结JFET结构及制备方法，从下至上依次为：漏极金属化层、N+衬底层、N缓冲层、P柱区、N柱区、P‑base区、电流扩展区、N+源区、P+栅区、隔离介质层、栅极金属化层、源极金属化层。P柱区与N柱区交替排列于N缓冲层上表面，P柱区左右对称设置，N柱区设置在两个P柱区之间。P柱区、P‑base区两者组成一个P型掺杂区整体，并与源极金属化层连接。P+栅区与P‑base区之间形成导电沟道结构，通过控制P+栅区上的电压实现沟道的开通和关断。本发明有效解决了器件内部由高能带电粒子轰击导致的电场集中问题，降低了局部高温，极大提高了SiC JFET的抗单粒子辐射能力。
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公开(公告)号：CN117169626A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311120218.6
申请日：2023-08-31
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种低能质子单粒子在轨错误率评估方法，初始化有源区的入射质子能量，确定布拉格尖峰时的射束等效能量；进行初始化质子能量后的质子试验，获得对应能段质子的能量‑截面谱；对分段数据进行单频分解拟合操作和二阶非线性拟合，提取适当数据点，分别获得在轨错误率；再对两个在轨错误率进行比较分析，确定最终在轨错误率。本发明可以较为准确的评估低能质子直接电离/核反应导致的器件在轨错误率。
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公开(公告)号：CN117150773A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311117577.6
申请日：2023-08-31
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G06F30/20 , G01T1/02 , G06F119/02
Abstract: 本发明公开了一种电子总剂量换算方法，使用仿真手段对丙氨酸‑ESR的电子总剂量曲线进行校正。首先获得60Co源的标准源数据，接着对电子源和60Co源进行仿真建模，以期在不进行实验的前提下获得总的吸收剂量值；其次是对不同源计算获得的剂量值进行归一化处理，用于准确评估电子源与Co源的差异，能够准确地校正电子总剂量的丙氨酸反应曲线。
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