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公开(公告)号：CN114785323A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210345659.5
申请日：2022-03-31
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H03K3/037 , H03K19/003
Abstract: 本发明公开了一种抗单粒子翻转的掉电数据保持触发器电路，包括：主锁存器电路，用于根据接收到的输入数据信号D和互补时钟信号，输出两路数据信号D_SAVE_1/2；具备掉电贮存功能的从锁存器电路，用于根据接收到的两路数据信号D_SAVE_1/2、互补时钟信号和互补贮存信号，输出两路输出数据信号OUTPUT1/2；输出驱动级缓冲器，用于根据接收到的OUTPUT1或OUTPUT2，生成总输出信号Q；第一反相器，用于输出反相时钟信号CKN；第二反相器，用于输出反相贮存使能信号SAVEN。本发明降低了因单粒子翻转效应造成的电路正常工作和掉电保持状态下存储的数据和状态发生错误的概率，实现掉电数据保持触发器电路在低功耗宇航集成电路中的应用。
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公开(公告)号：CN114172492A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111404837.9
申请日：2021-11-24
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H03K3/013
Abstract: 本发明公开了一种低开销的抗单粒子翻转加固触发器电路结构，包括反相器电路、晶体管堆叠传输门以及低开销晶体管堆叠带置复位主从锁存器电路。所述反相器电路用于反相输入数据信号D、产生时钟信号CLKN、CLKNN以及输出Q；所述传输门用于时钟信号控制数据信号向主从锁存器中传播；所述主从锁存器电路用于保证电路在受到单粒子辐射时信号保持正确的状态，并受置复位信号控制。本发明设计的电路结构抗单粒子翻转能力强；相比于常规晶体管堆叠加固的触发器，本设计使用的堆叠晶体管更少，版图面积开销也会更小。
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公开(公告)号：CN117420588A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311211379.6
申请日：2023-09-19
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: G01T1/02
Abstract: 一种基于棋盘格的电子总剂量试验方法，能够较为有效的测算样品的实际吸收剂量，实现对试验样品抗电子总剂量能力的预估。具体包括：(1)分析试验样品的材料成分，选择合适的电子能量进行试验；(2)通过电子能量计算电子的质量阻止本领LET值，并获取理论总注量；(3)测量电子束流的均匀性，确保试验区域的均匀性误差小于5％；(4)保证样品材料的尺寸小于2cm×2cm，将试验样品和剂量片进行棋盘格摆放，并使两者的间距尽可能小；(5)开始电子辐照试验，确保电子总注量达到预设值；(6)试验结束后，对所有的剂量片进行测量，获取剂量片的实际总剂量，并预估样品区域的总剂量值。
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公开(公告)号：CN114785323B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202210345659.5
申请日：2022-03-31
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H03K3/037 , H03K19/003
Abstract: 本发明公开了一种抗单粒子翻转的掉电数据保持触发器电路，包括：主锁存器电路，用于根据接收到的输入数据信号D和互补时钟信号，输出两路数据信号D_SAVE_1/2；具备掉电贮存功能的从锁存器电路，用于根据接收到的两路数据信号D_SAVE_1/2、互补时钟信号和互补贮存信号，输出两路输出数据信号OUTPUT1/2；输出驱动级缓冲器，用于根据接收到的OUTPUT1或OUTPUT2，生成总输出信号Q；第一反相器，用于输出反相时钟信号CKN；第二反相器，用于输出反相贮存使能信号SAVEN。本发明降低了因单粒子翻转效应造成的电路正常工作和掉电保持状态下存储的数据和状态发生错误的概率，实现掉电数据保持触发器电路在低功耗宇航集成电路中的应用。
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公开(公告)号：CN115831172A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211394121.X
申请日：2022-11-08
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种抗辐射加固的RRAM灵敏放大器电路，包括线性稳压电路、可调电流镜电路、可调电阻电路、比较器电路、反相器电路、锁存器电路和抗辐射加固版图结构。所述线性稳压电路向存储单元位线提供稳定的读电压，并添加限幅二极管对位线电压进行限幅；所述可调电流镜电路用于调整读电流的放大倍数；所述可调电阻电路用于电流电压转换，并调整放大电压倍数；所述锁存器电路对输入电压进行锁存并输出最终数字信号；所述抗辐射加固版图结构采用环形栅和加固的保护环。本发明设计的RRAM灵敏放大器电路负载范围大，读取速度快，具有很强的抗单粒子、总剂量辐射能力，版图布局易实现。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118380030A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410352570.0
申请日：2024-03-26
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
Abstract: 一种基于存储单元单向编程的存储器写保护电路，包括：写保护配置信息存储位，用于接收写保护状态配置信号IN1和IN2并存储写保护状态配置数据；或非门读取控制模块用于接收IN1和IN2并控制写保护配置信息存储位中数据读取通路的开闭；单向编程供电模块用于提供单向编程操作所需电压或电流；灵敏放大器数据读取模块用于读取写保护状态配置数据；逻辑判断模块判断处理写保护状态配置数据，输出写保护控制信号；并入逻辑模块用于接收写保护控制信号，逻辑运算后生成写使能输入信号EN_in；主存储器模块判断主存储器模块是否被允许进行写操作。本发明既可实现存储器的永久写保护功能，也能在启用写保护功能之前允许用户进行存储器存储信息的足够多次编程调试。
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公开(公告)号：CN117976013A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202311523868.5
申请日：2023-11-15
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明属于集成电路领域，具体涉及了一种带Forming保护的RRAM存储器写电路，旨在解决现有的低电压CMOS器件设计的RRAM存储器的写电路在确保写操作过程中不出现超过晶体管耐压能力的可靠性不足的问题。本发明包括：阻变器件、选通NMOS管和选通开关组；阻变器件的两端分别连接位线BL和选通NMOS管的漏级；选通NMOS管的源极连接源线SL；所述选通开关组包括第一部分和第二部分；所述位线BL连接至第一部分；所述源线SL连接至第二部分。本发明降低了电路功耗，使电路可以通过采用低压小线宽晶体管提升电路的集成度和读写速度，使新型存储器RRAM可以采用更小工艺节点，实现更大容量、更高速度和更低功耗。
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公开(公告)号：CN114172492B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202111404837.9
申请日：2021-11-24
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H03K3/013
Abstract: 本发明公开了一种低开销的抗单粒子翻转加固触发器电路结构，包括反相器电路、晶体管堆叠传输门以及低开销晶体管堆叠带置复位主从锁存器电路。所述反相器电路用于反相输入数据信号D、产生时钟信号CLKN、CLKNN以及输出Q；所述传输门用于时钟信号控制数据信号向主从锁存器中传播；所述主从锁存器电路用于保证电路在受到单粒子辐射时信号保持正确的状态，并受置复位信号控制。本发明设计的电路结构抗单粒子翻转能力强；相比于常规晶体管堆叠加固的触发器，本设计使用的堆叠晶体管更少，版图面积开销也会更小。
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公开(公告)号：CN118731641A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410754517.3
申请日：2024-06-12
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明涉及一种倒装焊电路的单粒子有效数据获取方法，包括：试验样品衬底减薄；试验用重离子选择；试验电路温度监控；数据有效性判断；减薄厚度测量及有效数据计算。相比与传统试验方法，利用本发明中的单粒子试验评估方法，可以有效提高倒装焊工艺电路单粒子试验效率。通过温度控制、多重验证及误差校准等方式，提供了单粒子试验倒装焊工艺电路试验数据的准确性和有效性，有效填补宇航用倒装焊电路单粒子评估方法的空白，为倒装焊工艺宇航集成电路抗辐照加固提供有力支撑。
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公开(公告)号：CN118506829A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410613964.7
申请日：2024-05-17
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种基于互补存储单元的RRAM灵敏放大器电路，属于非易失性存储器电路设计技术领域，包括正向放大电路、反向放大电路、比较器、数据存储单元和互补存储单元。正向放大电路向数据存储单元提供稳定的读电压，并放大位线电流，转换为电压信号；反向放大电路向互补存储单元提供稳定的读电压，并放大位线电流，转换为电压信号；比较器用于比较两个互补的电压信号；数据存储单元与互补存储单元共同存储逻辑相反的一组数据；本发明设计的RRAM灵敏放大器电路具有更高的读取裕度、更低的读错误率，抗工艺波动能力强，设计复杂度低，电路容易实现。
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