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公开(公告)号:CN116430679A
公开(公告)日:2023-07-14
申请号:CN202310300726.6
申请日:2023-03-24
Applicant: 苏州珂晶达电子有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本申请涉及热点识别领域,具体而言,涉及一种热点检测方法及装置,一定程度上可以解决通过光刻仿真方式进行热点检测时准确性差的问题。所述的热点检测方法包括:存储多张包括电路版图的第一图像至图像库中,所述电路版图包含热点;确定所述图像库中与待测图像匹配的匹配图像,所述第一图像包括所述匹配图像,所述待测图像包括需要进行热点检测的晶圆;获取所述匹配图像的特征向量;将所述特征向量输入至预设的检测模型中,基于所述检测模型的输出,确定所述晶圆中热点的类型及位置。
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公开(公告)号:CN115114885B
公开(公告)日:2022-12-02
申请号:CN202211036609.5
申请日:2022-08-29
Applicant: 苏州珂晶达电子有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G06F30/398 , G06F30/394 , G06F30/392
Abstract: 本申请涉及集成电路版图技术领域,具体而言,涉及一种自顶向下的版图层次结构处理方法、装置及存储介质,一定程度上可以解决集成电路版图的处理过程计算量大的问题。本申请实施例通过从初始集成电路版图中获得各初始单元的包围盒;可基于各包围盒的面积,实现从初始单元中筛选出目标单元实现;进一步从目标单元的各第一实例中筛选出有效实例,并满足有效实例位于目标单元的上层单元中,可基于有效实例的可复用区域,其中,可复用区域是有效实例中与上层单元中的第二实例的非重叠区域,实现确定目标集成电路版图。
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公开(公告)号:CN115114885A
公开(公告)日:2022-09-27
申请号:CN202211036609.5
申请日:2022-08-29
Applicant: 苏州珂晶达电子有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G06F30/398 , G06F30/394 , G06F30/392
Abstract: 本申请涉及集成电路版图技术领域,具体而言,涉及一种自顶向下的版图层次结构处理方法、装置及存储介质,一定程度上可以解决集成电路版图的处理过程计算量大的问题。本申请实施例通过从初始集成电路版图中获得各初始单元的包围盒;可基于各包围盒的面积,实现从初始单元中筛选出目标单元实现;进一步从目标单元的各第一实例中筛选出有效实例,并满足有效实例位于目标单元的上层单元中,可基于有效实例的可复用区域,其中,可复用区域是有效实例中与上层单元中的第二实例的非重叠区域,实现确定目标集成电路版图。
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公开(公告)号:CN116401998A
公开(公告)日:2023-07-07
申请号:CN202310321709.0
申请日:2023-03-29
Applicant: 苏州珂晶达电子有限公司
IPC: G06F30/39 , G06F30/398 , G06F115/12
Abstract: 本申请涉及集成电路版图设计技术领域,具体而言,涉及一种对版图进行光学邻近效应校正的方法、装置及存储介质,一定程度上可以解决对相同图形进行多次校正而造成大量重复计算的问题。本申请提供了对版图进行光学邻近效应校正的方法包括:获取集成电路版图中单元的包围盒,单元对应的包围盒的面积不小于第一预设阈值,单元包括至少一个子单元,子单元为具有几何形状的图形;将单元中任意相邻的预设数量个子单元进行组合,得到第一组合子单元;将第一组合子单元与单元中其他相邻的子单元进行比较,确定第一重复子单元;将第一重复子单元和单元中除第一重复子单元之外的子单元共同输入到光学近邻校正模型中,以对其进行校正,得到校正后的版图。
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