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公开(公告)号：CN103000548B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201210516210.7
申请日：2012-11-30
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/66
Abstract: 一种利用FPGA芯片进行集成电路制造工艺缺陷检测的方法，包括如下步骤：(1)对FPGA芯片的配置存储器进行回读测试，获得配置存储器的测试数据；(2)检测测试数据，获得发生故障的配置存储器的坐标信息；(3)根据故障坐标信息，统计出子模块级别、芯片级别和圆片级别三种级别的故障分布图；(4)对三种级别下的故障分布图分别进行垒叠，获得故障点分布密度；(5)对分布密度均匀性进行检测，获得精确的工艺缺陷高发区域和可能原因。本发明利用FPGA芯片独特的设计结构和测试方法，能够迅速获得多个级别的故障分布密度图，快速定位缺陷区域和指向可能的工艺因素，提高了工艺缺陷的检测速度。
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公开(公告)号：CN114187935B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202111406637.7
申请日：2021-11-24
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种FLASH存储器灵敏放大电路，包含主灵敏放大电路、预充电电路、锁存电路和存储单元。本发明通过对灵敏放大器的锁存结构进行优化，提高了灵敏放大电路在读取锁存时的电压稳定性，在不影响读取速度和功耗的前提下降低了对前一级输出电压差的要求，从而提高了FLASH存储电路的读写准确性。
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公开(公告)号：CN117420588A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311211379.6
申请日：2023-09-19
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: G01T1/02
Abstract: 一种基于棋盘格的电子总剂量试验方法，能够较为有效的测算样品的实际吸收剂量，实现对试验样品抗电子总剂量能力的预估。具体包括：(1)分析试验样品的材料成分，选择合适的电子能量进行试验；(2)通过电子能量计算电子的质量阻止本领LET值，并获取理论总注量；(3)测量电子束流的均匀性，确保试验区域的均匀性误差小于5％；(4)保证样品材料的尺寸小于2cm×2cm，将试验样品和剂量片进行棋盘格摆放，并使两者的间距尽可能小；(5)开始电子辐照试验，确保电子总注量达到预设值；(6)试验结束后，对所有的剂量片进行测量，获取剂量片的实际总剂量，并预估样品区域的总剂量值。
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公开(公告)号：CN103000548A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210516210.7
申请日：2012-11-30
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/66
Abstract: 一种利用FPGA芯片进行集成电路制造工艺缺陷检测的方法，包括如下步骤：(1)对FPGA芯片的配置存储器进行回读测试，获得配置存储器的测试数据；(2)检测测试数据，获得发生故障的配置存储器的坐标信息；(3)根据故障坐标信息，统计出子模块级别、芯片级别和圆片级别三种级别的故障分布图；(4)对三种级别下的故障分布图分别进行垒叠，获得故障点分布密度；(5)对分布密度均匀性进行检测，获得精确的工艺缺陷高发区域和可能原因。本发明利用FPGA芯片独特的设计结构和测试方法，能够迅速获得多个级别的故障分布密度图，快速定位缺陷区域和指向可能的工艺因素，提高了工艺缺陷的检测速度。
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公开(公告)号：CN111192619A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201911360816.4
申请日：2019-12-25
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G11C17/18
Abstract: 一种基于栅氧击穿型反熔丝存储阵列的编程系统及方法，通过包括编程控制模块、数据存储模块、反熔丝单元编程模块、数据判断模块的编程系统，采用对原始数据进行写入并对编程后数据进行判断的方法，检验首次编程成功率并对失败部分进行标记，对标记后数据单独进行重复编程以保证编程电压、电流更加集中于未编程成功单元，可大幅提高编程成功率，并进一步减少击穿电路的离散性，提高数据读出可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114692540A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210406688.8
申请日：2022-04-18
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G06F30/343
Abstract: 本发明公开了一种基于FPGA的FLASH应用验证系统，包括PC机、FPGA应用验证板、FLASH子板。FPGA应用验证板设有两个FPGA芯片；每个FPGA芯片都与FLASH相连，可独立访问FLASH，对其进行验证操作；每个FPGA外接大容量160MbSRAM；更换FLASH子板可验证NOR_FLASH和SPI_FLASH。本发明同时公开了一种基于该系统的验证方法，该方法首先确定上电顺序，JTAG功能验证，数字逻辑验证，读写功能验证。本发明验证功能全面、通用性强，对一系列FLASH的应用验证具有重要意义。
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公开(公告)号：CN118841054A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410860336.9
申请日：2024-06-28
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种分阶段的大容量栅氧反熔丝存储器编程方法，将编程过程划分成全数据初始编程、回读定向编程和全数据加强编程三个主要阶段：全数据初始编程阶段顺序对所有地址只进行一次编程，不关注数据写入是否成功；回读定向编程阶段对所有地址逐个进行回读判断编程结果，只对数据未编程成功的地址和存储单元进行定向编程；加强编程阶段再次顺序对所有地址再进行一次编程，以进一步提升反熔丝单元的击穿一致性。本方法可有效避免栅氧反熔丝阵列编程时的热量累积，减少高压通路损伤，从而大幅提高编程成功率，降低反熔丝单元击穿电阻的离散性，提升反熔丝存储器的长期可靠性。
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公开(公告)号：CN116795425A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310766981.X
申请日：2023-06-27
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 一种基于git的芯片前端开发系统及方法，通过包括设计模块和验证模块的系统，在设计人员提交设计文件后更新设计模块内的设计文件，同时更新所有开发人员(包括设计人员和验证人员)分支下设计文件的方式，让开发人员能够及时获知设计文件更新的信息并获取最新设计文件版本。在设计文件更新过程中系统会检测代码冲突，将冲突部分保留并用亮色标注。在验证人员提交验证报告后，系统能够将最新版本验证报告与被更新版本的报告进行结果对比，记录变化内容并整理成报告发送给验证人员，提高验证人员审阅验证报告的效率。
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公开(公告)号：CN114187935A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111406637.7
申请日：2021-11-24
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种FLASH存储器灵敏放大电路，包含主灵敏放大电路、预充电电路、锁存电路和存储单元。本发明通过对灵敏放大器的锁存结构进行优化，提高了灵敏放大电路在读取锁存时的电压稳定性，在不影响读取速度和功耗的前提下降低了对前一级输出电压差的要求，从而提高了FLASH存储电路的读写准确性。
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公开(公告)号：CN102789815A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201210148171.X
申请日：2012-05-10
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 中国航天科技集团公司第九研究院第七七二研究所
Abstract: 本发明介绍了一种用于FPGA配置的PROM电路架构，采用模块化设计，通过增加特定功能的外围电路，将FLASH存储器设计为可存储FPGA配置数据，并且可适应FPGA不同配置模式需求的PROM电路，最终能够完成边界扫描模式、串行模式或者并行模式下FPGA的独立配置。采用此电路架构的PROM可以通过级联的方式进行容量扩充，并且兼容IEEE 1149.1及IEEE1532边界扫描标准，这极大提升了面向FPGA应用的灵活性。
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