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公开(公告)号：CN119150514A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411107267.0
申请日：2024-08-13
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: G06F30/20 , G06F119/10
Abstract: 本发明涉及一种基于幂函数的电子背散射噪声建模标定方法，首先对地面模拟空间环境装置和待测材料进行简化建模，然后通过幂函数以平均分布随机数和等间隔的方式选取预标定点位，使用蒙特卡洛方法对预标定点位进行选定能量的吸收剂量仿真，最后通过比较筛选确定最优标定点，本发明方法可以减小由环境等因素造成的噪声干扰，对电路总剂量效应、材料屏蔽性能等对背散射敏感的指标评估具有一定帮助，提高可信度，本发明能在现场试验前明确试验装置的大致标定位置，可在较低试验成本的前提下取得理想试验结果。
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公开(公告)号：CN118763110A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410738115.4
申请日：2024-06-07
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L23/552 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种抗单粒子栅穿的SiC MOSFET及制备方法，从下到上依次包括：漏极金属化层、N+衬底层、N‑漂移区、电流扩展区、P‑well区、第二N+源区、第二P‑base区、第一P‑base区、第一N+源区、栅氧、多晶硅栅、隔离氧、源极金属化层；所述第一N+源区、第二N+源区、P‑well区与源极金属化层接触；所述第二N+源区将沟槽栅氧的底部、两个拐角、一个侧壁包围；所述第二N+源区被P‑well区、第二P‑base区屏蔽，与电流扩展区、N‑漂移区隔离。本发明有效抑制了高能带电粒子辐射导致的栅氧强电场，极大提高了沟槽型SiC MOSFET的抗单粒子栅穿能力。
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公开(公告)号：CN118571936A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410723612.7
申请日：2024-06-05
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅场效应晶体管结构，属于功率半导体技术领域；包括漏极金属电极、N+衬底区、第一N‑漂移区、埋置P区、埋置N+区、埋置多晶硅、隔离介质层、第二N‑漂移区、P‑base区、N+源区、源极金属电极、栅极多晶硅和栅极氧化层；埋置N+区、隔离介质层横向交替设置在第一N‑漂移区与第二N‑漂移区之间，其中埋置N+区作为连接两者的导电通道；“U”型分布的埋置P区位于隔离介质层下方，内部设置有与源极金属电极相连接的埋置多晶硅。本发明结构有效降低了由于高能带电粒子轰击引起的栅极氧化层强电场，大幅提升了碳化硅场效应晶体管的抗单粒子辐射能力。
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公开(公告)号：CN116298615A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310197034.3
申请日：2023-03-01
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 一种总剂量通用试验系统及方法，系统包括试验架、电源和PC机；试验架包括可移动卡槽、第一线缆接口、可拆式电压表、第二线缆接口、轨道；可移动卡槽安装在轨道上，可移动卡槽承载待测试验板，可移动卡槽能够沿轨道移动；第一线缆接口位于可移动卡槽远离辐射源的一端，第一线缆接口与待测试验板的供电线缆相连；第二线缆接口通过电源线缆与电源相连；在第一线缆接口与第二线缆接口之间连接线缆；可拆式电压表并联在第一线缆接口与第二线缆接口之间；PC机控制电源的输出电压，并监控电源线缆的电流、记录电流数据并生成电流曲线。本发明试验系统体积小、通用性强、效率高、可靠性高、使用成本低。
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公开(公告)号：CN118410623A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410435691.1
申请日：2024-04-11
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: G06F30/20 , G06F30/27 , G06F30/15 , G06F18/2433 , G06F119/02
Abstract: 一种在轨错误率多模校验方法、介质及设备，属于空间环境工程和辐射效应技术领域，包括：确定单粒子截面模型；提取单粒子截面模型参数的关键参数，变换所述关键参数得到至少两个新值，所述关键参数的原值和新值分别与单粒子截面模型参数中的其他参数组合获得单粒子截面模型计算参数组；在至少三个错误率软件中构建空间通量环境；将所述单粒子截面模型计算参数组分别代入每个空间通量环境得到原值和新值的错误率；通过原值和新值的错误率进行在轨错误率多模校验。本发明以常规手段构建基于不同软件的空间模型，并通过关键参数提取法，计算得到多组实际在轨错误率，通过多模态校正输出合理的在轨错误率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118246304A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410477291.7
申请日：2024-04-19
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: G06F30/25 , G16C60/00 , G06F17/10 , G06F113/26
Abstract: 本发明涉及一种基于定积分的电子吸收剂量仿真方法及系统，属于核物理和计量学领域，通过结合试验结果和仿真方法对集成电路的总剂量进行估计；首先通过构建靶材料的简化三维模型，得到靶材料的厚度‑能量曲线；其次是通过试验和仿真结合计算，用于精准评估集成电路中的总剂量值；本发明的计算结果更可控，相比于等效总剂量试验非实时的剂量校正，通过对靶材料进行三维建模，仅需多测量一组靶材料数据，就可快速获得集成电路中的总剂量。
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公开(公告)号：CN118690621A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410377527.X
申请日：2024-03-29
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
Abstract: 平面工艺的敏感区沉积能量叠层仿真标定方法，属于核物理和集成电路工艺技术领域，包括：首先根据实际平面工艺电路结构构建金属层、栅氧化层、沟道等不同结构的简化模型，并在敏感区域设置沉积能量的采集探针，接着采用钴源、电子、质子等粒子源对结构进行照射，读取探针的值，最后对数据进行处理获得预设敏感区域的平均剂量值。本发明能提供准确的敏感区域能量沉积评估值，而使用仿真构建模型可避免直接试验导致的复杂分析过程。同时对仿真模型进行模块化处理可简化模型构建过程，同时对关键模块的精细处理可以保证相对较高的测量精度。
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公开(公告)号：CN114417683A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202111546918.2
申请日：2021-12-16
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G06F30/25 , G06F30/17 , G06F111/08
Abstract: 本发明公开了一种预估器件在轨单粒子翻转率参考区间的方法，该方法通过开展地面重离子辐照试验，获取器件单粒子翻转截面(σ)和入射离子参数(LET)的试验数据；对单粒子翻转饱和截面(σsat)、单粒子翻转LET阈值(LETth)、器件敏感区深度(d)、器件器件漏斗长度(F)等参数的区间范围进行预估；在预估范围内对每一个参数进行调节，利用威布尔曲线进行拟合，采用蒙卡仿真工具开展仿真获取在轨单粒子翻转率；最终获取每一个参数与在轨翻转率平均优值的变化关系，从而确定器件在轨单粒子翻转率的参考区间；该方法能够获取器件，尤其是商用器件的在轨单粒子翻转率的参考区间，有效指导宇航器件的选型。
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公开(公告)号：CN118763124A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410738118.8
申请日：2024-06-07
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: H01L29/808 , H01L21/337 , H01L23/552
Abstract: 一种抗辐射加固的SiC超结JFET结构及制备方法，从下至上依次为：漏极金属化层、N+衬底层、N缓冲层、P柱区、N柱区、P‑base区、电流扩展区、N+源区、P+栅区、隔离介质层、栅极金属化层、源极金属化层。P柱区与N柱区交替排列于N缓冲层上表面，P柱区左右对称设置，N柱区设置在两个P柱区之间。P柱区、P‑base区两者组成一个P型掺杂区整体，并与源极金属化层连接。P+栅区与P‑base区之间形成导电沟道结构，通过控制P+栅区上的电压实现沟道的开通和关断。本发明有效解决了器件内部由高能带电粒子轰击导致的电场集中问题，降低了局部高温，极大提高了SiC JFET的抗单粒子辐射能力。
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公开(公告)号：CN114974388B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202210472026.0
申请日：2022-04-29
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G11C29/12
Abstract: 一种高速DDR存储器单粒子错误评估系统及方法，为待测DDR存储器电路配置读写模式并提供测试码型，进行读操作并判断读取数据是否为测试码型，根据判断结果进行重离子试验或重新进行读取，与待测DDR存储器电路测试码型进行对比，判断是否发生单粒子错误，将发生错误的计数与单粒子功能中断设定的阈值进行对比，判断是否超出阈值，根据判断结果再次进行阈值判定，确定发生的错误类型，并计算单粒子错误截面，完成错误评估测试。
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