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公开(公告)号：CN116131814A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211493609.8
申请日：2022-11-25
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种适用于FDSOI工艺的双电源冗余锁存瞬时剂量率辐射加固触发器结构,属于抗辐射集成电路设计技术领域。通过增加冗余锁存结构，抑制由瞬时剂量率辐射导致的电源塌陷所引起的触发器输出数据翻转和扰动。冗余锁存结构采用与触发器主体结构不同的电源供电，并进行版图加固设计。整体电路采用晶体管堆叠结构，提高触发器抗瞬时剂量率辐射的能力。本发明的设计基于商用规则，可操作性强，易实现。
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公开(公告)号：CN116978418A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202311097575.5
申请日：2023-08-29
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 一种激光模拟磁阻式随机存取存储器的单粒子闩锁评估方法，通过包括磁阻式随机存取存储器、试验电路板、线缆、程控电源，上位机的单粒子闩锁评估系统，首先进行背辐照样品制备及功能测试，以通过功能测试的磁阻式随机存取存储器进行激光单粒子闩锁试验，通过获取的单粒子闩锁阈值、单粒子闩锁饱和截面、SEL现象敏感位置信息实现单粒子抗闩锁特性的综合评估。
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公开(公告)号：CN116545417A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310287650.8
申请日：2023-03-22
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H03K3/3562
Abstract: 本申请公开了一种冗余互锁的抗多位单粒子翻转触发器电路，包括输入输出电路、传输门电路、时钟输出电路以及冗余互锁的主从锁存器电路。反相器电路用于反相输入数据信号D、时钟信号以及输出数据到触发器电路的输出端Q。传输门电路用于控制信号在主从锁存器中的传播。冗余互锁的主从锁存器电路用于锁存数据以及保证电路在受到单粒子辐射时信号保持正确的状态。本申请设计的电路，针对单粒子翻转，加固效果好，电路设计简单，易实现。
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公开(公告)号：CN116131811A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211485591.7
申请日：2022-11-24
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种FDSOI工艺的双电源冗余纠错瞬时剂量率辐射加固触发器，采用了电路和版图结合的设计加固方法。针对瞬时剂量率辐射导致电源电压发生扰动的问题，设计了双电源冗余纠错电路结构，可以将瞬时剂量率辐射导致的脉冲信号过滤；版图加固设计中将冗余电源设计为最短长度和最大宽度走线，可减小冗余电源电压的扰动。本发明通过双电源冗余纠错结构抑制了电源电压扰动造成的逻辑错误，提高了触发器单元的抗瞬时剂量率辐射能力，同时冗余电源非全局使用，加固代价小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115113009A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210601758.5
申请日：2022-05-30
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G01R31/26 , G01R31/265 , G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种通用的激光背辐照试验样品制备方法，首先根据待测芯片管脚数目选取通用管壳；再根据待测芯片尺寸和敏感区分布决定管壳开孔方案，并根据开孔方案对通用管壳进行开孔；然后将裸芯键合到选取的已开孔的通用管壳里，使待测芯片的全部敏感区域裸漏；最后对待测芯片的全部敏感区域进行激光扫描试验。本发明简化了样品制备的方法，解决了激光不能穿透金属层对器件开展激光单粒子试验研究的问题，为集成电路开展激光背辐照试验提供支撑和指导。
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公开(公告)号：CN119298881A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202410973826.X
申请日：2024-07-19
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: H03K3/013 , H03K3/356 , H03K19/003
Abstract: 本发明涉及一种FinFET工艺的冗余反馈锁存多层次抗单粒子加固触发器，包括数据输入结构、时钟输入结构、四个时钟控制结构，延时结构、数据主锁存结构、数据从锁存结构和数据输出结构，触发器对数据主锁存结构和数据从锁存结构均使用冗余反馈电路锁存数据，并使用延时结构对一路数据进行延时以滤除数据端的外来单粒子瞬态脉冲，通过冗余反馈锁存结构和延时单元实现了电路对单粒子单位/多位翻转、单粒子瞬态的多维度加固，显著提高了触发器的抗单粒子辐射加固能力；此外本发明优选采用电路和版图结合的设计加固方法，对单位栅极间距内的Fin设计为最大数量，并对敏感节点处器件使用叉指结构，同时将敏感节点对隔离布局，进一步增强抗单粒子多位翻转能力。
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公开(公告)号：CN118282385A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410352585.7
申请日：2024-03-26
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: H03K19/094 , H03K19/20
Abstract: 本发明涉及一种冗余自恢复的抗多节点和时钟信号单粒子翻转锁存器，包括输入电路、第一锁存电路、第二锁存电路、输出电路、第一时钟信号电路CLK1和第二时钟信号电路CLK2，本发明将时钟信号电路进行冗余，分为两个相同的时钟信号电路CLK1及CLK2，第一锁存电路和第二锁存电路的工作状态由两个时钟信号电路的时钟信号控制，通过增加一条冗余锁存电路和一条冗余传输电路使得锁存器可以抵抗多节点单粒子翻转并具有自恢复的能力；冗余时钟信号电路使得锁存器可以抵抗时钟信号单粒子翻转。
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公开(公告)号：CN117761516A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311423998.1
申请日：2023-10-30
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: G01R31/311 , G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种评估可重构芯片单粒子功能错误敏感区间的方法，包括：使可重构芯片执行一个典型测试程序；分别对可重构芯片中的各功能模块进行激光辐照试验，获取各功能模块的单粒子功能错误饱和截面；使可重构芯片执行下一个典型测试程序，并重复上述步骤，直至执行完所有的典型测试程序；根据各典型测试程序下的单粒子功能错误饱和截面，得到各功能模块的单粒子功能错误敏感区间。本发明还公开了评估可重构芯片单粒子功能错误敏感区间的系统，包括程控电源模块、上位机控制中心模块和控制区模块。本发明能够得到可重构芯片的单粒子功能错误敏感区间，对于可重构芯片整体性能的评估提供重要支撑。
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公开(公告)号：CN116633322A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310343632.7
申请日：2023-03-31
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H03K3/3562
Abstract: 本发明一种基于DICE的抗多节点单粒子翻转和时钟信号单粒子翻转的D型锁存器。通过设计由1个C单元及延迟结构组成的输入电路，可以抵抗输入信号的单粒子瞬态脉冲；由4个时钟控制的传输单元、DICE结构组成的锁存电路和由3个C单元及1个反相器组成的输出电路，可以抵抗多节点单粒子翻转；由4个反相器组成的双时钟信号电路使得锁存器可以抵抗时钟信号单粒子翻转。
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