公开(公告)号：CN112271215A

公开(公告)日：2021-01-26

申请号：CN202011286706.0

申请日：2020-11-17

Applicant: 国家电网有限公司 ,  国网经济技术研究院有限公司 ,  株洲中车时代半导体有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司经济技术研究院

Inventor： 王庆 ,  赵大平 ,  段昊 ,  申笑林 ,  杨一鸣 ,  吴方劼 ,  王奥 ,  王尧玄 ,  郝致远 ,  杜商安 ,  陈芳林 ,  陈勇民 ,  徐焕新

IPC: H01L29/744 ,  H01L29/423 ,  H01L29/417

Abstract: 本发明涉及一种全控型晶闸管芯片及其设计方法，其特征在于，包括：门极电极和若干阴极电极，所述门极电极与所述阴极电极相互隔离，且各所述阴极电极单元通过外部导电片连接，所述门极电极通过同一铝层直接相连；所述阴极电极呈蜂巢状排布，其包括围绕芯片圆心等间距循环往外扩展排布的多个类六边形结构，且每一个所述类六边形结构均包括多个呈正六边形的阴极电极单元，且各所述阴极电极单元均匀排布在所述类六边形结构的每条边上，使得各所述阴极电极单元中心连线形成正六边形结构。本发明可以广泛应用于器件设计领域。

公开(公告)号：CN111933705A

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN202010620956.7

申请日：2020-06-30

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 徐焕新 ,  陈芳林 ,  陈勇民 ,  操国宏 ,  蒋谊 ,  潘学军 ,  邹平 ,  孙永伟

IPC: H01L29/74 ,  H01L29/06 ,  H01L21/332

Abstract: 本发明提供了一种功率半导体器件及其制作方法，解决了现有逆阻型IGCT由于阻断能力漏电较大、反向恢复关断能力低及通流能力低问题。对第二导电类型的衬底进行离子注入在上表面形成第一导电类型第一基区、在背面形成第一导电类型阳极发射区；高温推进在第一导电类型第一基区远离衬底上表面形成第一导电类型第二基区，在第一导电类型阳极发射区远离衬底下表面形成第一导电类型第三基区；在第一导电类型第一基区上表面形成第二导电类型阴极区；在第一导电类型阳极发射区上形成阳极；在第二导电类型阴极区上形成阴极，在第一导电类型第一基区上形成门极；处理衬底边缘形成台面；对台面终端局部辐照形成辐照区。

公开(公告)号：CN216054678U

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN202122542912.X

申请日：2021-10-21

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 王飞 ,  曾文彬 ,  孙文伟 ,  石铿 ,  董超 ,  陈芳林 ,  邹平 ,  赵耿

IPC: H01L23/40 ,  H01L23/48 ,  H05K1/18 ,  H01R4/02

Abstract: 本实用新型提供了一种压接MOSFET的导电组件，包括同轴设置的底盖、上轴套、弹性结构和限位螺钉，所述底盖与连接MOSFET晶体管连接，底盖上设有立柱，所述限位螺钉贯穿上轴套与立柱的顶端连接，上轴套套设于立柱上且可沿轴向方向滑动，所述弹性结构套设于上轴套上，弹性结构的两端分别抵接上轴套和底盖，所述底盖和上轴套为金属材料，所述底盖的底面用于连接MOSFET晶体管，所述MOSFET晶体管通过驱动板与下压块连接，所述上轴套的顶端用于连接上压块；本实用新型提供的压接MOSFET的导电组件结构简单、可靠性好、空间利用率高、安装与后期维护方便。

公开(公告)号：CN213184299U

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN202022656034.X

申请日：2020-11-17

Applicant: 国家电网有限公司 ,  国网经济技术研究院有限公司 ,  株洲中车时代半导体有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司经济技术研究院

Inventor： 王庆 ,  赵大平 ,  段昊 ,  申笑林 ,  杨一鸣 ,  吴方劼 ,  王奥 ,  王尧玄 ,  郝致远 ,  杜商安 ,  陈芳林 ,  陈勇民 ,  徐焕新

IPC: H01L29/744 ,  H01L29/423 ,  H01L29/417

Abstract: 本实用新型涉及一种全控型晶闸管芯片，其特征在于，包括：门极电极和若干阴极电极，所述门极电极与所述阴极电极相互隔离，且各所述阴极电极单元通过外部导电片连接，所述门极电极通过同一铝层直接相连；所述阴极电极呈蜂巢状排布，其包括围绕芯片圆心等间距循环往外扩展排布的多个类六边形结构，且每一个所述类六边形结构均包括多个呈正六边形的阴极电极单元，且各所述阴极电极单元均匀排布在所述类六边形结构的每条边上，使得各所述阴极电极单元中心连线形成正六边形结构。本实用新型可以广泛应用于器件设计领域。

公开(公告)号：CN213152023U

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN202021206704.1

申请日：2020-06-24

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 邹平 ,  陈芳林 ,  潘学军 ,  陈勇民 ,  曾文彬 ,  孙永伟 ,  董超 ,  蒋谊 ,  徐焕新 ,  彭文华

IPC: H03K17/08

Abstract: 本公开提供一种基于逆阻型IGCT的固态开关，包括并联的开关模块和吸收保护模块；其中，所述开关模块包括反向并联的第一逆阻型IGCT和第二逆阻型IGCT，所述第一逆阻型IGCT的阳极为所述开关模块的第一端，所述第一逆阻型IGCT的阴极为所述开关模块的第二端，所述第二逆阻型IGCT的阳极连接所述第一逆阻型IGCT的阴极，所述第二逆阻型IGCT的阴极连接所述第一逆阻型IGCT的阳极；所述吸收保护模块，用于保护所述开关模块。无需在IGCT器件两端反并联二极管或者采用二极管桥式电路结构就可实现双向导通和关断，简化了固态开关的结构，减小了固态开关内部的杂散电感。而且降低了固态开关的损耗，提高了固态开关的电流关断速度。

公开(公告)号：CN213152022U

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN202021177333.9

申请日：2020-06-22

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 潘学军 ,  曾宏 ,  陈芳林 ,  操国宏 ,  孙永伟 ,  邹平 ,  陈勇民 ,  徐焕新 ,  蒋谊 ,  彭文华

IPC: H03K17/08

Abstract: 本实用新型公开了一种功率半导体器件驱动保护电路，涉及电子电路技术领域，该驱动保护电路包括：驱动模块、启停模块以及保护模块，驱动模块连接在功率半导体器件的门极与阴极之间，启停模块的一端与功率半导体器件的门极连接，启停模块的另一端与保护模块的一端连接，且启停模块的控制端连接触发控制信号，保护模块的另一端与所述功率半导体器件的阴极连接。本实用新型的有益效果是：能够在该启停模块失效后造成的功率半导体器件门阴极短路的情况下，防止功率半导体器件损坏。不仅降低了驱动电路的复杂程度，还节约成本，可广泛应用于功率半导体型器件的驱动电路中。

公开(公告)号：CN221727056U

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202323413473.8

申请日：2023-12-14

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 孙永伟 ,  陈芳林 ,  曾文彬 ,  陈勇民 ,  潘学军 ,  邹平 ,  徐焕新 ,  刘鑫

IPC: H01L21/56 ,  H01L25/07

Abstract: 本实用新型涉及一种用于IGCT组件的压装装置，涉及功率器件加工技术领域。本实用新型提供的压装组件包括：底座，底座安装有下压板，下压板用于支撑叠设的压装单元；架体，架体的底部与底座相连，架体的顶部设有加压件，加压件连接有上压板，加压件可驱动上压板上下移动，上压板与下压板相对设置，且位于压装单元的上方，上压板用于压装压装单元形成功率器件；安装于架体的分离机构，分离机构用于将部分功率器件升高，并使升高的功率器件与下方的功率器件分离。可将压装好的功率器件一部分抬高与下方的功率器件分离，降低了工作人员单次取件的总量，减轻了工作人员的取件难度。

公开(公告)号：CN216490256U

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202122587046.6

申请日：2021-10-26

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 曾宏 ,  罗海辉 ,  任亚东 ,  刘敏安 ,  陈彦 ,  陈芳林 ,  沈飞淞 ,  潘学军 ,  陈勇民 ,  邹平

IPC: H02M7/04

Abstract: 本实用新型公开了一种高位取能电路，包括主晶闸管、正向充电模块、负向充电模块和RC吸收模块；所述正向充电模块包括第一二极管、第二二极管、第一维持晶闸管、第一维持信号单元和第一充电电容；所述负向充电模块包括第三二极管、第四二极管、第二维持晶闸管、第二维持信号单元和第二充电电容；所述RC吸收模块包括吸收电阻和吸收电容；当主晶闸管的阳极为正电压时，端电压加在第一维持晶闸管、吸收电阻、吸收电容、第三二极管形成的回路；当主晶闸管V1的阳极为负电压时，端电压加在第二维持晶闸管、吸收电阻、吸收电容、第一二极管形成的回路，这样，整个周期内控制单元均能够从RC吸收回路取电，延长了取电时间，提高了取电功率。