公开(公告)号：CN107275182A

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201710123023.5

申请日：2017-03-03

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 八幡橘 ,  高野智 ,  丰田一行 ,  大桥直史 ,  高崎唯史

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及衬底处理装置及半导体器件的制造方法。对于对晶片进行加热处理的单片装置而言，能够提高晶片表面内的膜特性。根据本发明的一个方式，提供一种装置，具有对衬底进行处理的处理容器；衬底载置部，具有将衬底加热至第一温度的第一加热部、且具有载置衬底的载置面；加热气体供给系统，具有加热非活性气体的第二加热部，对所述处理容器供给加热过的所述非活性气体；和控制部，其以使所述衬底的表面和背面成为规定的温度范围的方式，控制所述第一加热部和所述第二加热部。

公开(公告)号：CN106816400A

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201611091707.3

申请日：2016-12-01

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 丰田一行 ,  山本哲夫

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  H01L21/22

CPC classification number: C23C16/4586 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45582 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/02 ,  H01L21/22 ,  H01L2221/67

Abstract: 本发明涉及衬底处理装置及半导体器件的制造方法。提高对衬底的处理均一性。具有：衬底支承部，其设置有加热衬底的第一加热部；气体供给部，其设置于所述衬底支承部的上侧，对所述衬底供给处理气体；第一排气口，其对所述衬底支承部上的处理空间的气氛进行排气；气体分散部，其与所述衬底支承部相对地设置；盖部，其设置有第二排气口，并且对所述气体供给部和所述气体分散部之间的缓冲空间进行排气；气体整流部，其设置于所述缓冲空间内，具有至少一部分与所述第二排气口相对的第二加热部，并且对所述处理气体进行整流。

公开(公告)号：CN106024658A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201510981900.3

申请日：2015-12-23

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 须田敦彦 ,  丰田一行 ,  菊池俊之

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L22/12 ,  C23C16/24 ,  C23C16/56 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32139 ,  H01L22/20 ,  H01L21/67253

Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法及衬底处理装置。抑制半导体器件的特性偏差。具有下述工序：对在凸结构上具有实施了研磨后的第一含硅层的衬底的所述第一含硅层的膜厚分布数据进行接收的工序；基于膜厚分布数据，运算使衬底的中央面侧的膜厚与外周面侧的膜厚之差减小的处理数据的工序；将衬底搬入处理室的工序；向衬底供给处理气体的工序；和基于处理数据，在衬底上形成规定磁力的磁场、使处理气体活化，从而修正所述第一含硅层的膜厚分布的工序。

公开(公告)号：CN105990086A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201610109193.3

申请日：2016-02-26

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 大桥直史 ,  丰田一行 ,  松井俊

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/68771 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01L21/68764 ,  C23C16/45525 ,  H01J37/32174 ,  H01L21/67017

Abstract: 衬底处理装置及半导体器件的制造方法，为了抑制形成在衬底上的膜的面内均匀性的降低而能够局部调整处理区域的等离子体分布。衬底处理装置，包括：衬底载置部，供衬底载置；分割构造体，在与衬底载置部相对的空间形成处理区域；气体供给部，向分割构造体所形成的处理区域供给处理气体；等离子体生成部，将气体供给部向处理区域供给的处理气体形成为等离子体状态并生成处理气体的活性种，并在形成等离子体状态时，按处理区域的部分而分别独立控制活性种的活性度。

公开(公告)号：CN104067378A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201280067091.X

申请日：2012-11-30

Applicant: 株式会社日立国际电气 ,  东海高热工业株式会社

Inventor： 西谷英辅 ,  国井泰夫 ,  丰田一行 ,  吉田秀成 ,  石坂光范 ,  村上克己 ,  小谷津胜好 ,  本田真

IPC: H01L21/365 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L21/67017 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/67326 ,  H01L21/67754

Abstract: 一种衬底处理装置，具备：处理室，收纳形成有层叠膜的多个玻璃衬底，所述层叠膜由铜-铟、铜-镓、或铜-铟-镓中的任一种构成；反应管，以构成处理室的方式形成；保持盒，构成为自由地搬入处理室内，使多个玻璃衬底排列成彼此的主面保持规定的间隔并分别相对，并且设置一对侧壁，所述一对侧壁分别覆盖排列的多个玻璃衬底中的、两端的玻璃衬底的外侧的主面；气体供给管，向处理室内导入含硒元素气体或含硫元素气体；排气管，排出处理室内的气氛；加热部，以包围反应管的方式设置；以及风扇，在多个玻璃衬底的各个主面，使处理室内的气氛在多个玻璃衬底的短边方向强制对流。

公开(公告)号：CN103329633A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201280005221.7

申请日：2012-01-12

Applicant: 国际电气高丽株式会社 ,  株式会社日立国际电气

Inventor： 朴用城 ,  李成光 ,  金东烈 ,  丰田一行 ,  笠原修 ,  稻田哲明

IPC: H05H1/34 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/203 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/50 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32633 ,  H01J37/32733 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明涉及一种等离子体处理装置，其包括：处理室，在其中容纳有多个基板并且在其中执行等离子体处理过程；支撑件，其安装在处理室中，以至于将多个基板放置在与支撑件相同的平面上；喷射件，其与支撑件相对布置，并且其具有多个独立的挡板，用于从与放置在支撑件上的多个基板中的每个相应的位置独立地喷射至少一种反应气体和净化气体；以及驱动件，其构造为使支撑件或喷射件旋转，使得喷射件的挡板顺序环绕在放置于支撑件上的多个基板中的每一个的周围及上方。喷射件包括等离子体发生器，其安装在多个挡板中的喷射反应气体的至少一个挡板上，以便从喷射到基板上的反应气体产生等离子体。

公开(公告)号：CN102738262A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210104814.0

申请日：2012-04-06

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 西谷英辅 ,  国井泰夫 ,  丰田一行 ,  吉田秀成 ,  石坂光范

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/18 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67754 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/03923 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种衬底处理装置及搬运装置。本发明提供一种衬底处理装置，所述衬底处理装置用于形成CIS类太阳能电池的光吸收层，进行硒化或硫化处理，能够应对玻璃衬底的大型化。所述衬底处理装置具有：处理室，容纳多个衬底，所述衬底形成有由铜-铟、铜-镓、或铜-铟-镓中的任一种形成的层合膜；反应管，以构成处理室的方式形成；气体供给管，向处理室中含硒元素气体或含硫元素气体；排气管，将处理室内的气体排出；加热部，以包围反应管的方式设置；及风扇，在多个玻璃衬底的表面上，使上述处理室内的气体在多个玻璃衬底的短边方向上强制对流。

公开(公告)号：CN102738261A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210104813.6

申请日：2012-04-06

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 西谷英辅 ,  国井泰夫 ,  丰田一行 ,  宫博信

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0322 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种衬底处理装置，所述衬底处理装置用于形成CIS类太阳能电池的光吸收层，进行硒化或硫化处理，其中，具有与石英制的腔室相比易于加工的炉体。另外，本发明提供了与石英制的腔室相比易于加工的腔室。所述衬底处理装置具有：处理室，容纳有多个衬底，所述衬底形成有由铜-铟、铜-镓或铜-铟-镓中的任一种形成的层合膜；反应管，以构成处理室的方式形成；气体供给管，向处理室中导入含硒元素气体或含硫元素气体；排气管，将处理室内的气体排出；及加热部，以包围反应管的方式设置，其中，反应管的基材由不锈钢等金属材料形成。

公开(公告)号：CN101985747A

公开(公告)日：2011-03-16

申请号：CN201010243656.8

申请日：2003-04-04

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 绀谷忠司 ,  丰田一行 ,  佐藤武敏 ,  加贺谷徹 ,  嶋信人 ,  石丸信雄 ,  境正宪 ,  奥田和幸 ,  八木泰志 ,  渡边诚治 ,  国井泰夫

IPC: C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45546 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/4583 ,  H01J37/3244

Abstract: 本发明涉及一种基板处理装置，其特征在于包括：反应容器，其中容纳并叠层有多个基板；上述反应容器中设置有一对电极，上述电极沿上述多个基板的叠层方向延伸，和高频电源提供给上述电极；电极室，容纳上述电极，上述电极室设置在上述反应容器中；和供气件，将处理气体提供给上述电极室，上述供气件包括多个供气口，其中，利用两种以上的处理气体在基板上形成膜。

公开(公告)号：CN100459028C

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN03109343.4

申请日：2003-04-04

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 绀谷忠司 ,  丰田一行 ,  佐藤武敏 ,  加贺谷徹 ,  嶋信人 ,  石丸信雄 ,  境正宪 ,  奥田和幸 ,  八木泰志 ,  渡边诚治 ,  国井泰夫

IPC: H01L21/00

CPC classification number: C23C16/45546 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/4583 ,  H01J37/3244

Abstract: 本发明涉及基板处理装置及反应容器，在反应管6内设置了缓冲室17，该缓冲室17拥有同一开口面积的缓冲室孔3；在其内部配置了气咀2，该气咀2拥有从气体的上游一侧到下游一侧开口面积逐渐变大的气咀孔4；将由气咀2喷出的气体暂时输入缓冲室17，使气体的流速均匀之后，由缓冲室孔3提供给晶片7。