公开(公告)号：CN106024619B

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201610061520.2

申请日：2016-01-28

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 大桥直史 ,  中山雅则 ,  须田敦彦 ,  丰田一行 ,  松井俊

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L22/20 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76819 ,  H01L22/12

Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法及衬底处理装置。可抑制半导体器件的特性偏差。具有下述工序：对具有实施了研磨的第一绝缘膜的衬底的第一绝缘膜的膜厚分布数据进行接收的工序；基于膜厚分布数据，运算使衬底的中心侧的膜厚与外周侧的膜厚之差减小的处理数据的工序；将衬底搬入处理室的工序；向衬底供给处理气体的工序；和基于处理数据，以使生成于衬底的中心侧的处理气体的活性种的浓度与生成于衬底的外周侧的处理气体的活性种的浓度不同的方式使处理气体活化，从而修正第一绝缘膜的膜厚分布的工序。

公开(公告)号：CN108447766A

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201710773155.2

申请日：2017-08-31

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 岛本聪 ,  芦原洋司 ,  丰田一行 ,  大桥直史

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C01B21/068 ,  C23C16/345 ,  C23C16/50 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/31111 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11582 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/67017

Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及存储介质。本发明的课题为在三维结构的FLASH存储器中也可形成良好特性的半导体器件。为了解决上述课题，本发明提供一种技术，该技术包括：在形成有绝缘膜的衬底被载置于处理室内的衬底载置部的状态下，向所述处理室供给处理气体；从等离子体生成部向所述处理室供给第一电力从而进行等离子体生成，并在所述绝缘膜上形成第一氮化硅层；以与所述等离子体生成并行的方式从离子控制部向所述处理室供给第二电力，从而在所述第一氮化硅层上形成比所述第一氮化硅层应力低的第二氮化硅层。

公开(公告)号：CN104517819B

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：CN201410468894.7

申请日：2014-09-15

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 山本哲夫 ,  盛满和广 ,  丰田一行 ,  大野健治 ,  高崎唯史 ,  广濑育男 ,  佐佐木隆史

IPC: H01L21/22

CPC classification number: C23C16/455 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32834 ,  H01J37/32862 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228

Abstract: 在使用了缓冲空间的单片式装置中，也能够抑制缓冲空间的副产物发生。为解决上述课题，提供一种半导体器件的制造方法，具有：将衬底送入处理室的工序；通过喷头的缓冲室将含第一元素气体供给到载置在所述处理室内的衬底的含第一元素气体供给工序；通过所述缓冲室将含第二元素气体供给到所述衬底的含第二元素气体供给工序；和在所述含第一元素气体供给工序和含第二元素气体供给工序之间进行的排气工序，所述排气工序具有：对所述缓冲室内的环境气体进行排气的缓冲室排气工序；和在所述缓冲室排气工序之后对所述处理室内的环境气体进行排气的处理室排气工序。

公开(公告)号：CN104821267A

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201410091655.4

申请日：2014-03-13

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 丰田一行 ,  高崎唯史 ,  芦原洋司 ,  佐野敦 ,  赤江尚德 ,  野内英博

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02263 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/4557 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32577

Abstract: 为解决在使用喷头的装置中也能维持高运转效率的课题，本发明提供一种衬底处理装置，具有：第一气体供给系统，具有与原料气体源连接并设有原料气体供给控制部的原料气体供给管；第二气体供给系统，具有与反应气体源连接并设有反应气体供给控制部的反应气体供给管；第三气体供给系统，具有与清洁气体源连接并设有清洁气体供给控制部的反应气体供给管；喷头部，具有与第一、第二、第三气体供给系统连接的缓冲室；处理室，设于喷头下方内有载置衬底的衬底载置部；等离子体生成区域切换部，对在缓冲室和处理室生成等离子体切换；等离子体生成部，具有等离子体生成区域切换部和电源；控制部，至少控制原料气体供给部、反应气体供给控制部和等离子体生成部。

公开(公告)号：CN102738261B

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201210104813.6

申请日：2012-04-06

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 西谷英辅 ,  国井泰夫 ,  丰田一行 ,  宫博信

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0322 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种衬底处理装置，所述衬底处理装置用于形成CIS类太阳能电池的光吸收层，进行硒化或硫化处理，其中，具有与石英制的腔室相比易于加工的炉体。另外，本发明提供了与石英制的腔室相比易于加工的腔室。所述衬底处理装置具有：处理室，容纳有多个衬底，所述衬底形成有由铜-铟、铜-镓或铜-铟-镓中的任一种形成的层合膜；反应管，以构成处理室的方式形成；气体供给管，向处理室中导入含硒元素气体或含硫元素气体；排气管，将处理室内的气体排出；及加热部，以包围反应管的方式设置，其中，反应管的基材由不锈钢等金属材料形成。

公开(公告)号：CN104517792A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201410066971.6

申请日：2014-02-26

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 广地志有 ,  丰田一行 ,  盛满和广 ,  佐藤武敏 ,  山本哲夫

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/02274 ,  C23C16/405 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45542 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02263 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67017

Abstract: 一种基板处理装置，向处理容器交替地供给第1处理气体和等离子化的第2处理气体来处理基板，该基板处理装置具有：供给上述第1处理气体的第1气体供给系统；供给上述第2处理气体的第2气体供给系统；配置在上述处理容器的上游且至少使上述第2处理气体等离子化的等离子体单元；和控制部，该控制部以交替地供给上述第1处理气体和上述第2处理气体的方式控制上述第1气体供给系统和上述第2气体供给系统，并且，以在开始供给上述第2处理气体之前执行上述第2处理气体的等离子化所需要的电力施加的方式控制上述等离子体单元。

公开(公告)号：CN101527263B

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN200910128305.X

申请日：2006-02-15

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 宫博信 ,  丰田一行 ,  水野谦和 ,  佐藤武敏 ,  境正宪 ,  浅井优幸 ,  奥田和幸 ,  堀田英树

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3105 ,  C23C16/44 ,  C23C16/56

CPC classification number: C23C16/403 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/509 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3162 ,  H01L21/3185

Abstract: 本发明公开一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：第1步骤，对收容于处理室内的衬底供给第1反应物质，使存在于上述衬底的表面的作为反应点的配位基与该第1反应物质的配位基发生配位基交换反应；第2步骤，从上述处理室除去剩余的上述第1反应物质；第3步骤，对上述衬底供给第2反应物质，使由上述第1步骤交换后的配位基对反应点发生配位基交换反应；第4步骤，从上述处理室除去剩余的上述第2反应物质；第5步骤，对上述衬底供给由等离子所激励的第3反应物质，使在上述第3步骤中未对反应点进行交换反应的配位基对反应点发生配位基交换反应，反复进行上述第1～第5步骤预定次数，直到在上述衬底的表面形成所希望厚度的膜。

公开(公告)号：CN106024658B

公开(公告)日：2018-11-20

申请号：CN201510981900.3

申请日：2015-12-23

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 须田敦彦 ,  丰田一行 ,  菊池俊之

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L22/12 ,  C23C16/24 ,  C23C16/56 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32139 ,  H01L22/20

Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法及衬底处理装置。抑制半导体器件的特性偏差。具有下述工序：对在凸结构上具有实施了研磨后的第一含硅层的衬底的所述第一含硅层的膜厚分布数据进行接收的工序；基于膜厚分布数据，运算使衬底的中央面侧的膜厚与外周面侧的膜厚之差减小的处理数据的工序；将衬底搬入处理室的工序；向衬底供给处理气体的工序；和基于处理数据，在衬底上形成规定磁力的磁场、使处理气体活化，从而修正所述第一含硅层的膜厚分布的工序。

公开(公告)号：CN105374704B

公开(公告)日：2018-07-20

申请号：CN201410504987.0

申请日：2014-09-26

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 丰田一行 ,  松井俊

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/0262 ,  C23C16/345 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/507 ,  C23C16/52 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32697 ,  H01J37/32926 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68792

Abstract: 本发明的课题在于使形成在衬底上的膜厚和膜的特性在衬底面内不同，并使生产能力提高。本发明涉及衬底处理装置及半导体器件的制造方法，衬底处理装置具有：收纳衬底的处理室；从衬底上方供给第一处理气体的第一处理气体供给部；从衬底上方供给第一反应气体的第一反应气体供给部；从衬底侧方供给第二处理气体的第二处理气体供给部；从衬底侧方供给第二反应气体的第二反应气体供给部；和控制部，其以如下方式控制：在处理气体供给工序和反应气体供给工序中的任一工序或者两个工序中，使向衬底中心侧供给的处理气体供给量与向衬底外周侧供给的处理气体供给量不同、或者使向衬底中心侧供给的反应气体供给量与向衬底外周侧供给的反应气体供给量不同。

公开(公告)号：CN107492491A

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：CN201610818466.1

申请日：2016-09-12

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 大桥直史 ,  丰田一行 ,  岛本聪 ,  菊池俊之

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/764 ,  H01J37/32

Abstract: 提供一种对于形成了气隙的半导体装置而言，可实现良好的成品率的半导体装置的制造方法及衬底处理装置。包括：在形成有第一层间绝缘膜和布线层的衬底中，接收所述布线层的膜厚信息的工序，其中，所述布线层形成在所述第一层间绝缘膜上，具有埋入用作布线的多个含铜膜的槽、和设置在所述槽之间且将所述含铜膜之间绝缘的布线间绝缘膜；将所述衬底载置在设置在处理室的内侧的衬底载置部的工序；基于与所述布线层的膜厚信息相应的蚀刻控制值，将所述布线层蚀刻的工序。