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公开(公告)号：CN1789489A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510118668.7
申请日：2003-04-04
Applicant: 株式会社日立国际电气
IPC: C23C16/513 , C23C16/52
Abstract: 本发明涉及一种基板处理装置，其特征在于包括：收容多层配置的基板的反应室；多个缓冲室；将用于处理基板的气体分别输入上述多个缓冲室的多个气体导入部；上述多个缓冲室分别具有沿上述基板的多层配置方向设置的多个供气口；将由上述多个气体导入部分别输入的上述用于处理基板的气体从上述多个供气口分别提供给上述反应室，在上述多个缓冲室中的一个缓冲室内设置有活性化上述用于处理基板的气体的电极，而其它缓冲室不设置活性化上述用于处理基板的气体的电极。
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公开(公告)号：CN1455434A
公开(公告)日：2003-11-12
申请号：CN03109343.4
申请日：2003-04-04
Applicant: 株式会社日立国际电气
IPC: H01L21/00
CPC classification number: C23C16/45546 , C23C16/452 , C23C16/45542 , C23C16/45578 , C23C16/4583 , H01J37/3244
Abstract: 本发明涉及基板处理装置及反应容器，在反应管6内设置了缓冲室17，该缓冲室17拥有同一开口面积的缓冲室孔3；在其内部配置了气嘴2，该气嘴2拥有从气体的上游一侧到下游一侧开口面积逐渐变大的气嘴孔4；将由气嘴2喷出的气体暂时输入缓冲室17，使气体的流速均匀之后，由缓冲室孔3提供给晶片7。
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公开(公告)号：CN101985747A
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：CN201010243656.8
申请日：2003-04-04
Applicant: 株式会社日立国际电气
IPC: C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45546 , C23C16/452 , C23C16/45542 , C23C16/45578 , C23C16/4583 , H01J37/3244
Abstract: 本发明涉及一种基板处理装置，其特征在于包括：反应容器，其中容纳并叠层有多个基板；上述反应容器中设置有一对电极，上述电极沿上述多个基板的叠层方向延伸，和高频电源提供给上述电极；电极室，容纳上述电极，上述电极室设置在上述反应容器中；和供气件，将处理气体提供给上述电极室，上述供气件包括多个供气口，其中，利用两种以上的处理气体在基板上形成膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100459028C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN03109343.4
申请日：2003-04-04
Applicant: 株式会社日立国际电气
IPC: H01L21/00
CPC classification number: C23C16/45546 , C23C16/452 , C23C16/45542 , C23C16/45578 , C23C16/4583 , H01J37/3244
Abstract: 本发明涉及基板处理装置及反应容器，在反应管6内设置了缓冲室17，该缓冲室17拥有同一开口面积的缓冲室孔3；在其内部配置了气咀2，该气咀2拥有从气体的上游一侧到下游一侧开口面积逐渐变大的气咀孔4；将由气咀2喷出的气体暂时输入缓冲室17，使气体的流速均匀之后，由缓冲室孔3提供给晶片7。
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公开(公告)号：CN1789488A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510118667.2
申请日：2003-04-04
Applicant: 株式会社日立国际电气
IPC: C23C16/448 , C23C16/513 , H01L21/205
Abstract: 本发明涉及一种反应容器，其特征在于包括：收容多层配置基板的反应室；多个缓冲室；以及将用于处理基板的气体分别输入上述多个缓冲室的多个气体导入部，上述多个缓冲室各自具有沿上述基板多层配置方向设置的多个供气口，将从上述多个气体导入部分别输入的上述用于处理基板的气体由上述多个供气口分别提供给上述反应室，上述多个气体导入部中至少一个沿上述基板多层配置方向设置，上述多个气体导入部中沿上述基板多层配置方向设置的气体导入部，包括有沿上述基板多层配置方向设置多个气体输入口。
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公开(公告)号：CN101435074B
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN200810179581.4
申请日：2003-04-04
Applicant: 株式会社日立国际电气
IPC: C23C16/455 , C23C16/452 , C23C16/458 , H01J37/32
Abstract: 本发明涉及一种基板处理装置，其特征在于包括：一种基板处理装置，其特征在于包括：反应容器，包括处理室和电极室，所述电极室与所述处理室相分离，所述电极室容纳有一对电极，和多个待叠层的基板容纳在所述处理室中；和供气件，将处理气提供进所述电极室，所述供气件包括多个供气口，其中所述对电极沿所述多个基板的叠层方向延伸，所述电极设置在所述多个基板的一侧，高频电源被提供给所述电极。
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公开(公告)号：CN101435074A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200810179581.4
申请日：2003-04-04
Applicant: 株式会社日立国际电气
IPC: C23C16/455 , C23C16/452 , C23C16/458 , H01J37/32
Abstract: 本发明涉及一种基板处理装置，其特征在于包括：一种基板处理装置，其特征在于包括：反应容器，包括处理室和电极室，所述电极室与所述处理室相分离，所述电极室容纳有一对电极，和多个待叠层的基板容纳在所述处理室中；和供气件，将处理气提供进所述电极室，所述供气件包括多个供气口，其中所述对电极沿所述多个基板的叠层方向延伸，所述电极设置在所述多个基板的一侧，高频电源被提供给所述电极。
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公开(公告)号：CN100480421C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200510118667.2
申请日：2003-04-04
Applicant: 株式会社日立国际电气
IPC: C23C16/448 , C23C16/513 , H01L21/205
Abstract: 本发明涉及一种反应容器，其特征在于包括：收容多层配置基板的反应室；多个缓冲室；以及将用于处理基板的气体分别输入上述多个缓冲室的多个气体导入部，上述多个缓冲室各自具有沿上述基板多层配置方向设置的多个供气口，将从上述多个气体导入部分别输入的上述用于处理基板的气体由上述多个供气口分别提供给上述反应室，上述多个气体导入部中至少一个沿上述基板多层配置方向设置，上述多个气体导入部中沿上述基板多层配置方向设置的气体导入部，包括有沿上述基板多层配置方向设置多个气体输入口。
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