公开(公告)号：CN106206361A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201510420197.9

申请日：2015-07-16

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 大桥直史 ,  高野智 ,  菊池俊之

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/67098 ,  H01L21/28026 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795

Abstract: 本发明提供半导体器件的制造方法、衬底处理系统及衬底处理装置，抑制半导体器件的特性偏差。衬底处理装置，包括：接收部，接收衬底的膜厚分布数据，所述衬底形成有：沟道区域；形成于所述沟道区域上的绝缘膜；在所述绝缘膜上形成有构成为含硅膜的一部分的第一含硅层；衬底载置部，其载置所述衬底；以及气体供给部，在所述第一含硅层上，以与所述膜厚分布数据的膜厚分布不同的膜厚分布，形成构成为所述含硅膜的一部分的第二含硅层，修正所述含硅膜的膜厚。

公开(公告)号：CN108695193A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810152200.7

申请日：2018-02-14

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 大桥直史 ,  高野智 ,  丰田一行 ,  松井俊

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/22

CPC classification number: H01L21/67739 ,  F17D1/04 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68792 ,  H01L21/22

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法、记录介质和基板处理装置，是提高设备特性的均匀性的技术。本申请提供一种基板处理方法，其具有：将具有形成有图案的硬掩模的基板搬入处理室的工序，向所述处理室供给含金属气体来达到第一压力的第一浸透工序，以及在所述第一浸透工序之后，向所述处理室供给非活性气体来达到比所述第一压力低的第二压力的浓度分布调整工序。

公开(公告)号：CN105374662A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510412194.0

申请日：2015-07-14

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 稻田哲明 ,  和田优一 ,  石坂光范 ,  平野光浩 ,  堀井贞义 ,  板谷秀治 ,  高野智 ,  竹林基成

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45551 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/4584 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/67011

Abstract: 本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及衬底处理方法。本发明提供能对衬底均匀地供给高暴露量的气体、并且能以高生产量进行处理的技术。在处理室内被划分为形成第一处理气体气氛的第一处理区域和形成第二处理气体气氛的第二处理区域的衬底处理装置中，在其中的至少一个区域内，设置有：具有形成为管线状的开口部并向区域内进行气体供给的管线状气体供给部、和在开口部的周围从处理室的顶面朝向衬底侧突出的空隙保持部件。

公开(公告)号：CN107275182A

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201710123023.5

申请日：2017-03-03

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 八幡橘 ,  高野智 ,  丰田一行 ,  大桥直史 ,  高崎唯史

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及衬底处理装置及半导体器件的制造方法。对于对晶片进行加热处理的单片装置而言，能够提高晶片表面内的膜特性。根据本发明的一个方式，提供一种装置，具有对衬底进行处理的处理容器；衬底载置部，具有将衬底加热至第一温度的第一加热部、且具有载置衬底的载置面；加热气体供给系统，具有加热非活性气体的第二加热部，对所述处理容器供给加热过的所述非活性气体；和控制部，其以使所述衬底的表面和背面成为规定的温度范围的方式，控制所述第一加热部和所述第二加热部。

公开(公告)号：CN106449468A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201510543352.6

申请日：2015-08-28

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 大桥直史 ,  高野智 ,  菊池俊之

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L21/67253 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20

Abstract: 本发明涉及衬底处理装置、衬底处理系统及半导体器件的制造方法。本发明的课题在于抑制半导体器件的特性的不均。为了解决上述课题，本发明提供如下结构，其具有：接收部，接收形成于衬底上的含硅膜的膜厚分布数据；衬底载置部，载置有衬底；和气体供给部，以在含硅膜上以与所述膜厚分布数据的膜厚分布不同的膜厚分布形成硬掩膜、并使衬底面内的硬掩膜的高度分布在规定范围内的方式，供给气体。

公开(公告)号：CN106024659A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610066236.4

申请日：2016-01-29

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 大桥直史 ,  高野智

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/76816 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76879 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L21/67242

Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理系统及衬底处理装置。可抑制半导体器件的特性的偏差。具有下述工序：对在衬底上形成有多个电路结构的衬底，形成作为层合绝缘膜的一部分的第一绝缘膜的工序；对所述第一绝缘膜进行研磨的工序；对所述第一绝缘膜的膜厚分布进行测定的工序；和在研磨后的所述第一绝缘膜上形成作为所述层合绝缘膜的一部分、且与所述膜厚分布不同的膜厚分布的第二绝缘膜，对所述层合绝缘膜的膜厚进行修正的工序。

公开(公告)号：CN107240562A

公开(公告)日：2017-10-10

申请号：CN201610487644.7

申请日：2016-06-28

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 八幡橘 ,  高野智 ,  丰田一行 ,  松井俊

IPC: H01L21/67

Abstract: 一种伴随着衬底处理温度的高温化提高工艺的再现性和稳定性的衬底处理装置及半导体装置的制造方法。衬底处理装置具有：处理室，其用于处理衬底；第1加热部，其设置于载置衬底的衬底载置台，用于对处理室和衬底进行加热；移载室，其设置有用于将衬底移载至处理室的衬底载置台；分隔部，其用于将处理室和移载室分隔开；第2加热部，其设置在比移载室的分隔部靠下方侧的位置；处理气体供给部，其用于向处理室供给处理气体；第1清洁气体供给部，其用于向处理室供给清洁气体；第2清洁气体供给部，其用于向移载室供给清洁气体；控制部，其控制第1加热部、第2加热部、第1清洁气体供给部以及第2清洁气体供给部。

公开(公告)号：CN105374662B

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201510412194.0

申请日：2015-07-14

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 稻田哲明 ,  和田优一 ,  石坂光范 ,  平野光浩 ,  堀井贞义 ,  板谷秀治 ,  高野智 ,  竹林基成

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45551 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/4584 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/32051

Abstract: 本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及衬底处理方法。本发明提供能对衬底均匀地供给高暴露量的气体、并且能以高生产量进行处理的技术。在处理室内被划分为形成第一处理气体气氛的第一处理区域和形成第二处理气体气氛的第二处理区域的衬底处理装置中，在其中的至少一个区域内，设置有：具有形成为管线状的开口部并向区域内进行气体供给的管线状气体供给部、和在开口部的周围从处理室的顶面朝向衬底侧突出的空隙保持部件。

公开(公告)号：CN106558517A

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201610079287.0

申请日：2016-02-04

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 高野智

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67196 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68792 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67703

Abstract: 目的在于提供一种即使在高温的衬底处理中也能维持高产能的衬底处理装置及半导体器件的制造方法。包括：机械装置，其具有：支承衬底的末端执行器；第一连杆构造，其由前端固定有末端执行器的固定部、支承固定部的支承部和设于支承部的第一孔构成；设有第二孔的第二连杆构造；以及轴，通过插入于第一孔及第二孔而将第一连杆构造及第二连杆构造连接，轴的上端位于与载置在末端执行器的衬底的高度相同或比其低；真空搬送室，在内侧具有所述机械装置；组件，具有多个腔室，所述腔室与所述真空搬送室相邻，对通过机械装置从真空搬送室搬送的衬底进行加热处理；以及冷却机构，设于第一连杆构造或轴的上方，对第一连杆构造或轴进行冷却。

公开(公告)号：CN106206419A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610099796.X

申请日：2016-02-23

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 大桥直史 ,  高野智

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76819 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/52 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76807 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L21/7684

Abstract: 一种半导体器件的制造方法、衬底处理系统及衬底处理装置。可抑制半导体器件的特性偏差。本发明提供一种技术，其具有下述工序：第一研磨工序，对衬底进行研磨，所述衬底在形成有多个布线用槽的第一绝缘膜上成膜有作为金属布线的第一层的金属膜；绝缘膜形成工序，在所述第一研磨工序之后，在所述衬底上形成构成为层合绝缘膜的一部分的第二绝缘膜；第二研磨工序，对所述第二绝缘膜进行研磨；测定工序，在所述第二研磨工序之后，测定所述第二绝缘膜的衬底面内的膜厚分布；和修正工序，在所述第二绝缘膜上，以与所述测定工序所测得的膜厚分布不同的膜厚分布形成构成为所述层合绝缘膜的一部分的第三绝缘膜，修正所述层合绝缘膜的膜厚分布。