公开(公告)号：CN104067378A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201280067091.X

申请日：2012-11-30

Applicant: 株式会社日立国际电气 ,  东海高热工业株式会社

Inventor： 西谷英辅 ,  国井泰夫 ,  丰田一行 ,  吉田秀成 ,  石坂光范 ,  村上克己 ,  小谷津胜好 ,  本田真

IPC: H01L21/365 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L21/67017 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/67326 ,  H01L21/67754

Abstract: 一种衬底处理装置，具备：处理室，收纳形成有层叠膜的多个玻璃衬底，所述层叠膜由铜-铟、铜-镓、或铜-铟-镓中的任一种构成；反应管，以构成处理室的方式形成；保持盒，构成为自由地搬入处理室内，使多个玻璃衬底排列成彼此的主面保持规定的间隔并分别相对，并且设置一对侧壁，所述一对侧壁分别覆盖排列的多个玻璃衬底中的、两端的玻璃衬底的外侧的主面；气体供给管，向处理室内导入含硒元素气体或含硫元素气体；排气管，排出处理室内的气氛；加热部，以包围反应管的方式设置；以及风扇，在多个玻璃衬底的各个主面，使处理室内的气氛在多个玻璃衬底的短边方向强制对流。

公开(公告)号：CN106449469A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610602519.6

申请日：2016-07-27

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 西堂周平 ,  吉田秀成 ,  山口天和 ,  中田高行 ,  谷山智志

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/46 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/68792 ,  H01L21/67098

Abstract: 本发明提供一种能够缩短处理室内的升温时间的衬底处理装置以及半导体器件的制造方法。衬底处理装置具备：处理室，其对衬底进行处理；衬底保持件，其在处理室内保持衬底；处理气体供给部，其向处理室内供给处理气体；第1加热器，其设置于处理室外，对处理室内进行加热；隔热部，其设置于衬底保持件的下方；第2加热器，其设置于隔热部内，对处理室内进行加热；以及吹扫气体供给部，其向隔热部内供给吹扫气体，对隔热部内进行吹扫。

公开(公告)号：CN105914163A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201610084003.7

申请日：2016-02-06

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 村田等 ,  和田优一 ,  八幡橘 ,  吉田秀成 ,  西堂周平

IPC: H01L21/67

Abstract: 一种衬底处理装置，其能够缩短处理炉内的温度稳定时间。该衬底处理装置具有：保持多张衬底的衬底保持件；设在衬底保持件的下方的隔热部；收纳衬底保持件并处理衬底的处理室；设在处理室的周围并对处理室内从侧部加热的第1加热部；处于处理室内并设在衬底保持件与隔热部之间的第2加热部，第2加热部具有：大致环状的发热部；和从发热部向下方延伸的下垂部，发热部收在直径比衬底小的环状区域内。

公开(公告)号：CN107924841A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201680050773.8

申请日：2016-09-15

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 佐佐木隆史 ,  上村大义 ,  吉田秀成

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45559 ,  C23C16/345 ,  C23C16/455 ,  C23C16/4583 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31

Abstract: 本发明提高对在纵向上排列的衬底供给的处理气体的浓度均匀性。构成具有气体供给部，气体供给部具备从各自的上端供给相同种类且相同质量流量的处理气体的第一气体供给管和第二气体供给管，气体供给部经由第一气体供给管及第二气体供给管，向收容在纵向上排列的多个衬底的处理室中，供给用于处理衬底的处理气体，其中，当将与配置衬底的衬底配置区域相对的第一气体供给管的长度设为L1、将第一气体供给管的流路截面积设为S1、将与衬底配置区域相对的第二气体供给管的长度设为L2、将第二气体供给管的流路截面积设为S2时，构成为L1比L2长、并且S1比S2小。

公开(公告)号：CN104160480A

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201280065144.4

申请日：2012-12-26

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 吉田秀成 ,  国井泰夫 ,  西谷英辅 ,  平野光浩 ,  谷山智志

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/22 ,  H01L21/324 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/0322 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/67754 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 提高衬底的加热效率而谋求衬底的升温时间的缩短。衬底处理装置包括：由筒状的反应管(100)和密封盖(110)气密地构成的处理室(30)；设于反应管(100)周围的作为加热器的炉体加热部(200)；配置在处理室(30)内，且收纳多个玻璃衬底(20)的晶片盒(410)；设于反应管(100)内部的被封闭的一侧部的电动风扇(500)；以及圆筒形的整流板(430)，其在处理室(30)内将在晶片盒(410)上竖立配置的多个玻璃衬底(20)中的配置在最外部位置的玻璃衬底(20)的表面覆盖，且控制成使得朝向电动风扇(500)的扇叶部(510)的气流(Q)沿着反应管(100)的内周面(100a)流动。

公开(公告)号：CN102738262A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210104814.0

申请日：2012-04-06

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 西谷英辅 ,  国井泰夫 ,  丰田一行 ,  吉田秀成 ,  石坂光范

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/18 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67754 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/03923 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种衬底处理装置及搬运装置。本发明提供一种衬底处理装置，所述衬底处理装置用于形成CIS类太阳能电池的光吸收层，进行硒化或硫化处理，能够应对玻璃衬底的大型化。所述衬底处理装置具有：处理室，容纳多个衬底，所述衬底形成有由铜-铟、铜-镓、或铜-铟-镓中的任一种形成的层合膜；反应管，以构成处理室的方式形成；气体供给管，向处理室中含硒元素气体或含硫元素气体；排气管，将处理室内的气体排出；加热部，以包围反应管的方式设置；及风扇，在多个玻璃衬底的表面上，使上述处理室内的气体在多个玻璃衬底的短边方向上强制对流。

公开(公告)号：CN107851578A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201580081860.5

申请日：2015-09-04

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 吉田秀成 ,  谷山智志 ,  中田高行

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/44 ,  H01L21/318

CPC classification number: C23C16/45578 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45574 ,  H01L21/31

Abstract: 提供一种能够吹扫隔热区域，而不对处理区域产生不良影响的技术。在内部具有处理室，所述处理室包括处理衬底的处理区域和位于所述处理区域的下方的位置的隔热区域，具有第一排气部，其将所述处理区域的气氛排气；和第二排气部，其形成于在高度方向上与隔热区域重合的位置、将所述隔热区域的气氛排气。

公开(公告)号：CN107078052A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580048932.6

申请日：2015-09-16

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 小前泰彰 ,  野上孝志 ,  吉田秀成 ,  谷山智志 ,  小竹繁

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45557 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02271

Abstract: 本发明的课题在于提供一种能够高效率地进行处理室内的排气的技术。本发明的解决手段为，衬底处理装置具有：处理室，对衬底进行处理；处理气体供给系统，向处理室内供给处理气体；第一排气系统，与第一泵和类型不同于第一泵的第二泵连接，且对处理室内进行排气；第二排气系统，与第二泵连接且对处理室内进行排气；以及控制部，以对第一排气系统及第二排气系统进行如下控制的方式构成：在将供给至处理室内的处理气体从处理室内排出时，优先从第二排气系统对处理室内进行排气，当处理室内的压力达到规定压力后，将排气路径从第二排气系统切换成第一排气系统，并从第一排气系统对处理室内进行排气。

公开(公告)号：CN304872940S

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201830264294.8

申请日：2018-05-30

Applicant: 株式会社日立国际电气

Designer： 冈岛优作 ,  西堂周平 ,  吉田秀成

Abstract: 1．本外观设计产品的名称：密封盖外罩。
2．本外观设计产品的用途：本产品为一种密封盖，其用于覆盖在封闭半导体制造装置处理容器开口的密封盖（盖体）上，使其可以从处理气体中保护密封盖。
3．本外观设计产品的设计要点：本外观设计产品的形状。
4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图1。

公开(公告)号：CN304835015S

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201830148403.X

申请日：2018-04-12

Applicant: 株式会社日立国际电气

Designer： 吉田秀成 ,  冈岛优作

Abstract: 1．本外观设计产品的名称：基板处理装置用舟皿。
2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品为在基板处理装置的纵型反应室内用于将数个基板保持水平的舟皿，在其形成于左右及后方的柱上的针状凸起上可以承载基板。
3．本外观设计产品的设计要点：本外观设计产品的形状。
4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图。
5．省略视图：右视图与左视图对称，省略右视图。