Patent search ap:("株式会社日立制作所" OR "日立超大规模集成电路系统株式会社") AND inv:"三浦英生" Page 4

31.

发明公开
半导体装置无效

公开(公告)号：CN101009255A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200710006748.2

申请日：1999-09-17

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 清水浩也 , 西村朝雄 , 宫本俊夫 , 田中英树 , 三浦英生

IPC: H01L23/485 , H01L23/50 , H01L23/552 , H01L23/64 , H01L23/66

CPC classification number: H01L24/10 , H01L23/50 , H01L23/5286 , H01L23/552 , H01L23/645 , H01L23/66 , H01L24/13 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05024 , H01L2224/05569 , H01L2224/05571 , H01L2224/05572 , H01L2224/13 , H01L2224/13099 , H01L2224/16 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01077 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2924/00012

Abstract: 提供可靠性高，能够以低噪声进行高速动作的半导体装置。在同一个面内形成电源布线1003a、接地布线1003b和电信号布线1003c，与信号布线至少一部分的两侧相邻地形成电源布线或者接地布线。

32.

发明公开
半导体器件及制造方法失效

公开(公告)号：CN1592969A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN02823476.6

申请日：2002-11-21

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 石塚典男 , 熊谷幸博 , 三浦英生 , 池田修二 , 竹田敏文 , 太田裕之

IPC: H01L27/08 , H01L27/092 , H01L21/762

CPC classification number: H01L29/7846 , H01L21/76224 , H01L21/823807 , H01L21/823878 , H01L29/7842

Abstract: 本发明的目的在于提供半导体器件及制造方法，半导体器件具有n沟道型场效应晶体管和p沟道型场效应晶体管，漏极电流特性优良、可靠性高。用于实现该目的的本发明的核心在于，在形成了n沟道型场效应晶体管的有源的槽侧壁上设置氮化硅膜，而且在p沟道型场效应晶体管的有源的槽侧壁上仅在与沟道方向垂直的方向上设置氮化硅膜。根据本发明，可以提供电流特性优良的具有n沟道型场效应晶体管和p沟道型场效应晶体管的半导体器件。

33.

发明授权
半导体器件的制造方法和封装装置失效

公开(公告)号：CN1170311C

公开(公告)日：2004-10-06

申请号：CN00129032.0

申请日：2000-09-27

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 河野竜治 , 清水浩也 , 金丸昌敏 , 细金敦 , 宫武俊雄 , 三浦英生 , 永田达也 , 远藤喜重 , 难波正昭 , 和田雄二

IPC: H01L21/66 , H01L21/68

CPC classification number: G01R1/0483 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

Abstract: 半导体器件的制造方法和封装装置，其上固定多个要在检测装置上检测的半导体器件，检测装置包括要与每个半导体器件的电极电连接的探针，封装装置包括多个孔，用于在其中分别可拆卸地容纳半导体器件，而半导体器件之间的相互位置关系和封装装置与每个半导体器件之间的相互位置关系是使半导体器件之间按垂直于半导体厚度方向的方向保持恒定的间距，和多个导电件，用于分别与半导体器件的电极电连接，并伸到封装装置外面，使探针与每个导电件连接。

34.

发明授权
半导体装置的制造方法和半导体装置失效转让

公开(公告)号：CN1145208C

公开(公告)日：2004-04-07

申请号：CN00117939.X

申请日：2000-06-01

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 石塚典男 , 三浦英生 , 池田修二 , 吉田安子 , 鈴木範夫 , 渡部浩三 , 金光賢司

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76232 , H01L29/0657

Abstract: 在衬底上形成衬垫氧化膜和防氧化膜，除去部分防氧化膜和衬垫氧化膜露出衬底，后退衬垫氧化膜，刻蚀衬底露出面，形成规定深度沟槽，后退衬垫氧化膜，氧化沟槽部分，向其内部埋入埋入绝缘膜，除去防氧化膜上的埋入绝缘膜和防氧化膜，除去衬垫氧化膜，在氧化沟槽部分前，各向同性刻蚀和后退衬垫氧化膜使沟槽上端部分圆角化具有曲率，使氧化工序仅仅进行1次，制造不会使沟槽上端部分的晶体管的电性不合格的半导体装置。

35.

发明公开
半导体器件及其制造方法失效

公开(公告)号：CN1471173A

公开(公告)日：2004-01-28

申请号：CN03148711.4

申请日：2003-06-24

Applicant: 株式会社日立制作所 , 联晶半导体股份有限公司

Inventor： 石塚典男 , 岩崎富生 , 太田裕之 , 三浦英生 , 高橋正人 , 鈴木範夫 , 池田修二 , 田中英樹 , 美馬宏行

IPC: H01L29/78 , H01L27/115 , H01L21/8247 , G11C16/02

CPC classification number: H01L27/11526 , H01L21/28123 , H01L21/76224 , H01L21/823481 , H01L27/105 , H01L27/11546

Abstract: 本发明的目的在于提供可以有效地抑制在衬底上产生的晶体缺陷，性能良好的半导体器件和制造方法。其特征在于包括：半导体衬底，具有上述半导体衬底上形成的沟和埋入到上述沟内的埋入绝缘膜的元件隔离区，和与上述元件隔离区相邻接且形成有栅极绝缘膜和栅极绝缘膜上边的栅极电极的有源区域，上述栅极电极的至少一部分位于上述元件隔离区上边，且存在有上述栅极电极的第1元件隔离区的上述埋入绝缘膜的上侧的第1端面，位于比不存在上述栅极电极膜的第2元件隔离区的上述埋入绝缘膜的第2端面更往上边的区域。

36.

发明公开
半导体器件及其制造方法失效

公开(公告)号：CN1248792A

公开(公告)日：2000-03-29

申请号：CN99120217.1

申请日：1999-09-17

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 河野龙治 , 有贺昭彦 , 三浦英生 , 太田裕之 , 远藤喜重 , 金丸昌敏 , 细金敦 , 田中伸司 , 伴直人 , 青木英之

IPC: H01L21/822 , H01L21/66 , H01L21/68

CPC classification number: H01L21/6836 , H01L22/20 , H01L2221/68327 , H01L2924/0002 , H01L2924/014 , H01L2924/00

Abstract: 半导体器件的制造方法、有效检查由切割分离的分立LSI芯片的半导体器件的检查方法以及在所述方法中使用的夹具。从半导体晶片上切割大量的LSI芯片之后,在检查步骤中,使用由热膨胀系数近似等于LSI芯片的材料形成的所述夹具重新排列和集成预定数量的芯片,在随后的检查步骤中,对集成的预定数量的芯片进行预定的检查工艺,由此可以提高检查效率并减少检查成本。

37.

发明公开
半导体元件及其制造方法失效

公开(公告)号：CN1230776A

公开(公告)日：1999-10-06

申请号：CN99104394.4

申请日：1999-03-26

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 石冢典男 , 三浦英生 , 池田修二 , 吉田安子

IPC: H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76232

Abstract: 在具有SGI构造的半导体元件中,在假定元件形成区域的宽度(有源区宽度)为D(微米),SGI的沟氧化量为T(微米)和沟的下端部分的曲率半径为R时,对D、T、R进行选择使得它们满足D

38.

发明公开
半导体集成电路器件及其制造方法失效转让

公开(公告)号：CN1161573A

公开(公告)日：1997-10-08

申请号：CN96123443.1

申请日：1996-11-14

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 轰原广见 , 三浦英生 , 铃树正恭 , 西原晋治 , 池田修二 , 佐原政司 , 石田进一 , 阿部宏美 , 荻岛淳史 , 内山博之 , 阿部园子

IPC: H01L27/108 , H01L23/52 , H01L21/768 , H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7845 , H01L23/485 , H01L23/5226 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件，具有硅基片、电布线用金属、开在形成于硅基片上的绝缘膜上并用于硅基片和电布线用金属连接的多个接触孔、形成于该接触孔内部的硅化钛膜，其特征是，硅化钛膜的膜厚为10nm-120nm，最好是20nm-84nm，通过该硅化钛膜连接半导体区域和电布线用金属。

39.

发明公开
半导体器件的制造方法失效

公开(公告)号：CN101908480A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN201010197514.2

申请日：2010-06-03

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 小藤直行 , 三浦英生

IPC: H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/31138 , H01L21/0273

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，具有对具备有机材料的掩模的试样进行等离子体处理的工序，其特征在于：上述等离子体处理包括利用含有氟、氧、氮中的任意一种或全部的气体进行等离子体处理的第一工序；和利用不含有氟、氧、氮中任何一种而含有稀有气体的气体进行上述等离子体处理的第二工序，反复进行上述第一工序和上述第二工序。利用本发明，能够解决由于等离子体处理而产生的抗蚀剂掩模倾斜的问题。