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公开(公告)号：CN1252832C
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN03148711.4
申请日：2003-06-24
Applicant: 株式会社日立制作所 , 联晶半导体股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L27/115 , H01L21/8247 , G11C16/02
CPC classification number: H01L27/11526 , H01L21/28123 , H01L21/76224 , H01L21/823481 , H01L27/105 , H01L27/11546
Abstract: 本发明的目的在于提供可以有效地抑制在衬底上产生的晶体缺陷，性能良好的半导体器件和制造方法。其特征在于包括：半导体衬底，具有上述半导体衬底上形成的沟和埋入到上述沟内的埋入绝缘膜的元件隔离区，和与上述元件隔离区相邻接且形成有栅极绝缘膜和栅极绝缘膜上边的栅极电极的有源区域，上述栅极电极的至少一部分位于上述元件隔离区上边，且存在有上述栅极电极的第1元件隔离区的上述埋入绝缘膜的上侧的第1端面，位于比不存在上述栅极电极膜的第2元件隔离区的上述埋入绝缘膜的第2端面更往上边的区域。
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公开(公告)号：CN1471173A
公开(公告)日：2004-01-28
申请号：CN03148711.4
申请日：2003-06-24
Applicant: 株式会社日立制作所 , 联晶半导体股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L27/115 , H01L21/8247 , G11C16/02
CPC classification number: H01L27/11526 , H01L21/28123 , H01L21/76224 , H01L21/823481 , H01L27/105 , H01L27/11546
Abstract: 本发明的目的在于提供可以有效地抑制在衬底上产生的晶体缺陷，性能良好的半导体器件和制造方法。其特征在于包括：半导体衬底，具有上述半导体衬底上形成的沟和埋入到上述沟内的埋入绝缘膜的元件隔离区，和与上述元件隔离区相邻接且形成有栅极绝缘膜和栅极绝缘膜上边的栅极电极的有源区域，上述栅极电极的至少一部分位于上述元件隔离区上边，且存在有上述栅极电极的第1元件隔离区的上述埋入绝缘膜的上侧的第1端面，位于比不存在上述栅极电极膜的第2元件隔离区的上述埋入绝缘膜的第2端面更往上边的区域。
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公开(公告)号：CN101150128A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200610059879.2
申请日：2003-06-24
IPC: H01L27/04 , H01L27/115 , H01L29/78
Abstract: 一种半导体器件，其特征在于具有：半导体衬底；含形成在所述衬底中的沟槽和埋入在沟槽内的绝缘膜的元件隔离区；形成在所述衬底中的有源区，该有源区包括其上形成有栅绝缘膜的阱区，该栅绝缘膜上形成有栅电极，阱区包括与栅电极相对应地设置的源和漏扩散区，其中，沟槽中的埋入绝缘膜具有平面延伸到衬底中的底表面，且该埋入绝缘膜包围着有源区，该底表面延伸的深度比扩散区深；埋入绝缘膜有至少包围源和漏扩散区的凹陷的上部平表面，以防止元件隔离区所引起的晶体缺陷，所述凹陷的上部平表面的深度从衬底的平表面算起大于等于所述源和漏扩散区的杂质分布的峰值浓度的深度；沿沟槽中的埋入绝缘膜的侧面和底面形成有氮氧化物膜，该氮氧化物膜与衬底相接触。
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公开(公告)号：CN1881556A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200610094395.1
申请日：1998-02-18
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立超大规模集成电路系统株式会社
IPC: H01L21/762
Abstract: 借助于降低半导体衬底上元件隔离沟槽的沟槽上边沿周围应力的产生，制造了一种具有高度可靠沟槽隔离结构的半导体器件，此沟槽隔离结构在沟槽上边沿处具有所需的曲率半径而不形成任何台阶，从而优化了元件隔离沟槽的形状，并使器件更精细，且改善了器件的电学特性。
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公开(公告)号：CN1284224C
公开(公告)日：2006-11-08
申请号：CN02157188.0
申请日：1998-02-18
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立超大规模集成电路系统株式会社
IPC: H01L21/762
CPC classification number: H01L21/76232 , H01L21/76235 , H01L29/78
Abstract: 借助于降低半导体衬底上元件隔离沟槽的沟槽上边沿周围应力的产生，制造了一种具有高度可靠沟槽隔离结构的半导体器件，此沟槽隔离结构在沟槽上边沿处具有所需的曲率半径而不形成任何台阶，从而优化了元件隔离沟槽的形状，并使器件更精细，且改善了器件的电学特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1248346A
公开(公告)日：2000-03-22
申请号：CN98802666.X
申请日：1998-02-18
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立超大规模集成电路系统株式会社
IPC: H01L21/762
Abstract: 借助于降低半导体衬底上元件隔离沟槽的沟槽上边沿周围应力的产生,制造了一种具有高度可靠沟槽隔离结构的半导体器件,此沟槽隔离结构在沟槽上边沿处具有所需的曲率半径而不形成任何台阶,从而优化了元件隔离沟槽的形状,并使器件更精细,且改善了器件的电学特性。
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公开(公告)号：CN1238557A
公开(公告)日：1999-12-15
申请号：CN99104015.5
申请日：1999-03-16
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L27/11526 , H01L21/76229 , H01L21/76237 , H01L21/823892 , H01L27/0214 , H01L27/10894 , H01L27/10897 , H01L27/11546
Abstract: 在半导体衬底上形成使第一井形成区和第二井形成区露出的光致抗蚀剂图形，它被用作掩模，把杂质掺入半导体衬底，由此形成埋置n井，并进一步被用作掩模，把杂质掺入半导体衬底，由此以自对准方式在埋置n井上形成浅p井。接着，去除光致抗蚀剂图形。此后，在半导体衬底主表面上形成使第一井形成区的外围区和第三井形成区露出的光致抗蚀剂图形，并被用作掩模，把杂质掺入半导体衬底，由此形成浅p井。
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公开(公告)号：CN1139294A
公开(公告)日：1997-01-01
申请号：CN96103918.3
申请日：1996-03-07
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L21/316 , H01L21/324 , H01L29/78 , H01L27/105
CPC classification number: H01L21/28185 , H01L21/28202 , H01L21/28211 , H01L21/321 , H01L21/76202 , H01L29/518
Abstract: 通过在衬底上形成氧化膜，以800℃或以上的温度在惰性气氛中热处理氧化膜，接下来是形成晶体管的普通步骤，以此方法制作的半导体器件由于在氧化膜内或在衬底表面中产生的应力的减弱而在电学可靠性方而得到改善。
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公开(公告)号：CN1004777B
公开(公告)日：1989-07-12
申请号：CN85108671
申请日：1985-11-27
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L21/823807 , H01L27/088 , H01L27/0928 , H01L29/78 , H01L29/7838
Abstract: 在此公开的MOSFET具有一个与源区和漏区的导电类型相同的低杂质浓度的半导体区域，以及与栅极分离的高杂质浓度的源区和漏区，由此减小短沟道效应并提高漏结的击穿电压。
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公开(公告)号：CN100474558C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200610094395.1
申请日：1998-02-18
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立超大规模集成电路系统株式会社
IPC: H01L21/762
Abstract: 借助于降低半导体衬底上元件隔离沟槽的沟槽上边沿周围应力的产生，制造了一种具有高度可靠沟槽隔离结构的半导体器件，此沟槽隔离结构在沟槽上边沿处具有所需的曲率半径而不形成任何台阶，从而优化了元件隔离沟槽的形状，并使器件更精细，且改善了器件的电学特性。
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