公开(公告)号：CN101908480A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN201010197514.2

申请日：2010-06-03

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 小藤直行 ,  三浦英生

IPC: H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01L21/0273

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，具有对具备有机材料的掩模的试样进行等离子体处理的工序，其特征在于：上述等离子体处理包括利用含有氟、氧、氮中的任意一种或全部的气体进行等离子体处理的第一工序；和利用不含有氟、氧、氮中任何一种而含有稀有气体的气体进行上述等离子体处理的第二工序，反复进行上述第一工序和上述第二工序。利用本发明，能够解决由于等离子体处理而产生的抗蚀剂掩模倾斜的问题。

公开(公告)号：CN1132407A

公开(公告)日：1996-10-02

申请号：CN95118750.3

申请日：1995-11-03

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 小藤直行 ,  新井真 ,  辻本和典 ,  水谷巽 ,  铃木敬三 ,  水石贤一

IPC: H01J37/305 ,  H01L21/3065 ,  C30B33/12

CPC classification number: H01J37/32623 ,  H01J37/32706

Abstract: 为了抑制由于电子遮蔽现象而引起的开槽、电荷聚集损伤、副沟和弯弓形，提供一种占空比等于或低于5％和重复频率等于或高于400KHz脉冲电压。因此，在衬底偏置中出现一个用于加速电子的周期，从而使电子遮蔽现象不出现。

公开(公告)号：CN101908480B

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN201010197514.2

申请日：2010-06-03

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 小藤直行 ,  三浦英生

IPC: H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01L21/0273

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，具有对具备有机材料的掩模的试样进行等离子体处理的工序，其特征在于：上述等离子体处理包括利用含有氟、氧、氮中的任意一种或全部的气体进行等离子体处理的第一工序；和利用不含有氟、氧、氮中任何一种而含有稀有气体的气体进行上述等离子体处理的第二工序，反复进行上述第一工序和上述第二工序。利用本发明，能够解决由于等离子体处理而产生的抗蚀剂掩模倾斜的问题。

公开(公告)号：CN1069439C

公开(公告)日：2001-08-08

申请号：CN95118750.3

申请日：1995-11-03

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 小藤直行 ,  新井真 ,  辻本和典 ,  水谷巽 ,  铃木敬三 ,  水石贤一

IPC: H01J37/305 ,  H01L21/3065 ,  C30B33/12

CPC classification number: H01J37/32623 ,  H01J37/32706

Abstract: 为了抑制由于电子遮蔽现象而引起的开槽、电荷聚集损伤、副沟和弯弓形，提供一种占空比等于或低于5%和重复频率等于或高于400KHz脉冲电压。因此，在衬底偏置中出现一个用于加速电子的周期，从而使电子遮蔽现象不出现。