公开(公告)号：CN1275801A

公开(公告)日：2000-12-06

申请号：CN00117939.X

申请日：2000-06-01

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 石塚典男 ,  三浦英生 ,  池田修二 ,  吉田安子 ,  铃木範夫 ,  渡部浩三 ,  金光賢司

IPC: H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76232 ,  H01L29/0657

Abstract: 在衬底上形成衬垫氧化膜和防氧化膜,除去部分防氧化膜和衬垫氧化膜露出衬底,后退衬垫氧化膜,刻蚀衬底露出面,形成规定深度沟槽,后退衬垫氧化膜,氧化沟槽部分,向其内部埋入埋入绝缘膜,除去防氧化膜上的埋入绝缘膜和防氧化膜, 除去衬垫氧化膜,在氧化沟槽部分前,各向同性刻蚀和后退衬垫氧化膜使沟槽上端部分圆角化具有曲率,使氧化工序仅仅进行1次,制造不会使沟槽上端部分的晶体管的电性不合格的半导体装置。

公开(公告)号：CN1145208C

公开(公告)日：2004-04-07

申请号：CN00117939.X

申请日：2000-06-01

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 石塚典男 ,  三浦英生 ,  池田修二 ,  吉田安子 ,  鈴木範夫 ,  渡部浩三 ,  金光賢司

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76232 ,  H01L29/0657

Abstract: 在衬底上形成衬垫氧化膜和防氧化膜，除去部分防氧化膜和衬垫氧化膜露出衬底，后退衬垫氧化膜，刻蚀衬底露出面，形成规定深度沟槽，后退衬垫氧化膜，氧化沟槽部分，向其内部埋入埋入绝缘膜，除去防氧化膜上的埋入绝缘膜和防氧化膜，除去衬垫氧化膜，在氧化沟槽部分前，各向同性刻蚀和后退衬垫氧化膜使沟槽上端部分圆角化具有曲率，使氧化工序仅仅进行1次，制造不会使沟槽上端部分的晶体管的电性不合格的半导体装置。