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公开(公告)号：CN1069142A
公开(公告)日：1993-02-17
申请号：CN92105967.1
申请日：1992-06-20
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C22C1/04 , C22C9/00 , H01H1/0206 , Y10T428/12028
Abstract: 一种真空断路器用的电触头材料及生产这种材料的方法，电触头材料有铜、铬、铋成分，其多相结构为具有铜和铋成分的第一相中插入含有铬成分的第二相，两相之间的界面在合金的断面金相结构图中呈现为基本光滑的界面线，当用界面线上直线距离10μm的任两点确定一段界面线时，这段界面线的长度与直线距离10μm之比在大约1.0至1.4范围内。另外，界面线的形状与圆接近，以致界面线的长度与面积与其相等的理想圆的圆周长度之比在大约1.0至1.3范围内。
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公开(公告)号：CN1062811A
公开(公告)日：1992-07-15
申请号：CN91111927.2
申请日：1991-11-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01H1/0203 , H01H1/0233 , H01H33/664
Abstract: 一种用于真空断路器的触头材料包括：(a)从包括Ag，Ca及其结合的一组成分中选出的一种高导电成分，占体积的25％—70％，以及(b)占体积的75％—30％的一种耐弧成分，其中包括由Ti，Zr，Hf，V，Nb，Ta，Cr，Mo，W及其结合构成的族中选出的一种元素的碳化物。其中上述耐弧成分的平均颗粒尺寸为0.3至3微米，该耐弧成分的平均颗粒距离在0.1至1微米的范围内。构成真空断路器触头的触头材料具有改进的耐磨性，大电流遮断特性，断路特性以及低温升特性。
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公开(公告)号：CN105742268A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201510908670.8
申请日：2015-12-10
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/498 , H01L23/367
CPC classification number: H01L23/367 , H01L23/3114 , H01L23/3731 , H01L23/473 , H01L23/49811 , H01L2924/0002 , H05K1/0306 , H05K1/09 , H05K2201/10166 , H01L2924/00 , H01L23/49866
Abstract: 一种布线基板，具备：由氮化硅形成的、包含厚度为0.2mm以上且1mm以下的传热区域部分在内的绝缘基板部；以及层叠在传热区域部分上的、包含厚度1.5mm以上的由金属材料形成的焊盘部在内的布线层部。
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公开(公告)号：CN104465579A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410061293.4
申请日：2014-02-24
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/488 , H01L21/60 , B23K35/24
CPC classification number: H01L23/481 , H01L24/04 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L2224/04026 , H01L2224/05655 , H01L2224/26152 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29118 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/3201 , H01L2224/32058 , H01L2224/32227 , H01L2224/32505 , H01L2224/82101 , H01L2224/83192 , H01L2224/83206 , H01L2224/83207 , H01L2224/83447 , H01L2224/83815 , H01L2924/01322 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体装置，包含半导体元件、布线层以及接合层。所述布线层包含Cu。所述接合层包含第一合金，该第一合金以实质上均匀的组分在所述半导体元件与所述布线层之间设置，是Cu与Cu以外的第一金属的合金。所述第一合金的熔点比所述第一金属的熔点高。
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公开(公告)号：CN1160752C
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN98106642.9
申请日：1998-03-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01H1/0203 , B22F1/0003 , H01H1/0206
Abstract: 本发明的目的在于提供一种耐电压性能高的、以同相绕结法制的真空电子管用接点材料。根据本发明的一种真空电子管用接点材料，它是通过混合耐弧成分粉末和导电成分粉末的混合工序、使混合后的上述耐弧成分粉末和导电成分粉末形成成型体的成形工序、使上述成型体在导电成分的融点下烧结的烧结工序制成的，其特征在于，真空电子管用接点材料含有单晶体的耐弧成分。
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公开(公告)号：CN1485870A
公开(公告)日：2004-03-31
申请号：CN03153054.0
申请日：2003-08-08
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01H33/664 , H01H1/02
Abstract: 本发明通过使Cu－W合金或Cu－WC合金的冶金的各条件达到最适化，提供了断路特性和再起弧特性优异的真空断路器。该断路器的触点由含有10～50重量％的Cu形成的导电性成分相和50～90重量％的W(或WC)形成的耐弧性成分的触点材料构成，升温过程中触点材料中的Cu形成的导电性成分相以摄氏测定的熔融起始温度T1和在至少1200℃下加热后的冷却过程中的Cu形成的导电性成分相以摄氏测定的凝固起始温度T2之差(T1－T2)值与熔融起始温度T1的比率，即[(T1－T2)×100/(T1)]在2.8％以下。由此，可兼得断路特性和再起弧特性。
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公开(公告)号：CN1132212C
公开(公告)日：2003-12-24
申请号：CN98105126.X
申请日：1998-01-13
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明的真空开关的触点材料是由74～88%(重量)的平均粒径0.4～6μm的W、0.001～5%(重量)的平均粒径0.4～4μm的Mo、余量为Cu组成的合金，以W、Mo一体化、其平均粒径处于0.4～10μm的范围作为构成。通过达到如以上那样，提高再点弧性能和耐电弧消耗性能。
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公开(公告)号：CN1071925C
公开(公告)日：2001-09-26
申请号：CN98107837.0
申请日：1998-03-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C22C29/08 , H01H1/0203
Abstract: 本发明的触点材料，由含有55～70重量%的平均粒径为0.1～6μm的碳化钨(WC)的银-碳化钨(Ag-WC)合金构成，包含0.005～0.2重量%的其当量球径为0.01～5μm并且处于非固溶状态或非化合物形成状态下的碳(C)。通过本发明，能够提高触点材料的断路特性。
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公开(公告)号：CN1245963A
公开(公告)日：2000-03-01
申请号：CN99118067.4
申请日：1999-08-23
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01H1/0203
Abstract: 本发明的真空管用接点材料由导电成分、耐弧成形与Cr或Zr构成,所说的导电成分含量为50～70重量%,其主成分为Cu;所说的耐弧成分由TiC和VC二者中的至少一方构成,其平均粒径在8μm以下,其含量为30—50重量%;所说Cr含量相当于Cr和Cu总量的0.2～2.0重量%,或者,所说Zr含量相当于Zr和Cu总量的0.2—2.0重量%。材料中的氢含量规定为0.2～50ppm。
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公开(公告)号：CN1222741A
公开(公告)日：1999-07-14
申请号：CN99100918.5
申请日：1999-01-06
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01B1/02
CPC classification number: H01H1/0203 , Y10S428/926 , Y10S428/929 , Y10T428/12014 , Y10T428/1216 , Y10T428/12167 , Y10T428/12458 , Y10T428/12903 , Y10T428/12993
Abstract: 公开了一种触点材料,其中含有平均粒径为0.1～9μm且含量为30～70容积%的TiC、V和VC中至少一种物质组成的耐弧成分,相对于耐弧成分含量为0.005～0.5重量%、换算成球形的直径为0.01～5μm并以非固溶态或非化合态存在的C,以及余量Cu组成的导电成分。
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