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公开(公告)号：CN100347849C
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200410031911.7
申请日：2004-03-31
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H02M7/003 , H01L25/18 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , Y10T29/49002 , Y10T29/4902 , Y10T29/4913 , Y10T29/53178 , Y10T29/53183 , Y10T29/53261 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种逆变器及其制造方法，以及装有这种逆变器的电动汽车，其中逆变器包括多个半导体芯片，这些芯片并联且构成逆变器的一个臂；一个第一导体，在所述多个半导体芯片一侧上的表面与该导体相连；一个宽导体，在所述多个半导体芯片另一侧上的表面与该导体相连；一个与所述宽导体相连的第二导体；以及一个冷却器，所述第一导体和第二导体通过一个绝缘树脂层与该冷却器相连，由此，将在半导体芯片中产生的部分热损失热传递至第一导体，从而将这部分热损失热传递至冷却器，以此形成冷却，同时，将另一部分热损失热传递至宽导体，从而传递至第二导体，从而将其热传递至冷却器，以此形成冷却。
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公开(公告)号：CN110050341B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN201780075662.7
申请日：2017-11-30
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
IPC: H01L25/07 , H01L23/492 , H01L25/18 , H01L23/367
Abstract: 根据实施方式，半导体装置具备第1金属板、第2金属板和2个以上的半导体单元。上述2个以上的半导体单元配置在上述第1金属板上。上述2个以上的半导体单元分别包含第1金属部件、第2金属部件和半导体元件。上述第1金属部件包含与上述第1主面连接的第1连接面。上述第2金属部件包含与上述第2主面连接的第2连接面。上述半导体元件包含具有与上述第1连接面以及上述第2连接面分别对置的面的有源区域。上述第1连接面的面积大于与上述第1连接面对置的上述有源区域的面的面积。上述第2连接面的面积大于与上述第2连接面对置的上述有源区域的面的面积。
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公开(公告)号：CN1961474A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200580017922.2
申请日：2005-06-01
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H02M7/48
CPC classification number: H02M7/003 , H01L25/115 , H01L2224/49111 , H01L2924/13055 , H01L2924/30107 , H01L2924/00
Abstract: 提供进一步提高功率半导体器件的冷却效率，从而对应变换器装置的通电容量的提高/小型化，并且制造性良好的变换器装置。具备构成变换器的1个臂的半导体芯片，与该半导体芯片的正极侧接合的第1导体(33)，和与该半导体芯片的负极侧接合的第2导体(35)，以所述半导体芯片的正极侧电极与所述第1导体(33)的接合面以及所述半导体芯片的负极侧电极与所述第2导体(35)的接合面，相对于冷却所述半导体芯片的冷却器(22)的表面分别是非平行的方式，将所述第1导体(33)以及所述第2导体(35)配置在所述冷却器(22)的上方。
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公开(公告)号：CN1595644A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN200410031911.7
申请日：2004-03-31
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H02M7/003 , H01L25/18 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , Y10T29/49002 , Y10T29/4902 , Y10T29/4913 , Y10T29/53178 , Y10T29/53183 , Y10T29/53261 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种逆变器及其制造方法，以及装有这种逆变器的电动汽车，其中逆变器包括多个半导体芯片，这些芯片并联且构成逆变器的一个臂；一个第一导体，在所述多个半导体芯片一侧上的表面与该导体相连；一个宽导体，在所述多个半导体芯片另一侧上的表面与该导体相连；一个与所述宽导体相连的第二导体；以及一个冷却器，所述第一导体和第二导体通过一个绝缘树脂层与该冷却器相连，由此，将在半导体芯片中产生的部分热损失热传递至第一导体，从而将这部分热损失热传递至冷却器，以此形成冷却，同时，将另一部分热损失热传递至宽导体，从而传递至第二导体，从而将其热传递至冷却器，以此形成冷却。
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公开(公告)号：CN105742268B
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201510908670.8
申请日：2015-12-10
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/498 , H01L23/367
Abstract: 一种布线基板，具备：由氮化硅形成的、包含厚度为0.2mm以上且1mm以下的传热区域部分在内的绝缘基板部；以及层叠在传热区域部分上的、包含厚度1.5mm以上的由金属材料形成的焊盘部在内的布线层部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105990284A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510096743.8
申请日：2015-03-04
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H05K7/1432 , H01L2224/40225
Abstract: 本发明的实施方式提供一种抑制了寄生在内部布线的电感的半导体装置。实施方式的半导体装置包括底板、半导体芯片、及第一～四端子板。半导体芯片设置在底板具有的支撑面上，且包含具有第一电极及第二电极的开关元件。第一端子板具有第一主体部且与第一电极电连接。第二端子板具有第二主体部，且与第二电极电连接。第三端子板具有第三主体部，且电连接在第一电极与第一端子板之间。第四端子板具有第四主体部，且电连接在第二电极与第二端子板之间。第三、四主体部的厚度分别比第一、二主体部的厚度薄。
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公开(公告)号：CN1961474B
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200580017922.2
申请日：2005-06-01
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H02M7/003 , H01L25/115 , H01L2224/49111 , H01L2924/13055 , H01L2924/30107 , H01L2924/00
Abstract: 提供进一步提高功率半导体器件的冷却效率，从而对应变换器装置的通电容量的提高/小型化，并且制造性良好的变换器装置。具备构成变换器的1个臂的半导体芯片，与该半导体芯片的正极侧接合的第1导体(33)，和与该半导体芯片的负极侧接合的第2导体(35)，以所述半导体芯片的正极例电极与所述第1导体(33)的接合面以及所述半导体芯片的负极侧电极与所述第2导体(35)的接合面，相对于冷却所述半导体芯片的冷却器(22)的表面分别是非平行的方式，将所述第1导体(33)以及所述第2导体(35)配置在所述冷却器(22)的上方。
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公开(公告)号：CN101438403A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200780016707.X
申请日：2007-02-01
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L25/071 , H01L23/3735 , H01L24/48 , H01L25/115 , H01L25/50 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2924/00014 , H01L2924/0102 , H01L2924/01078 , H01L2924/12041 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19107 , H01L2924/30107 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 半导体装置具备：半导体元件(106)，其具有正极侧的面和负极侧的面；多个导体(13～15)，该多个导体分别被接合于半导体元件的正极侧的面与负极侧的面；放热板(11)，其被配置成与接合面交叉，放出半导体元件的热，其中，上述接合面是半导体元件与多个导体之间的接合面；以及绝缘体(12)，其将放热板与多个导体接合，其中，绝缘体由被配置在与多个导体的全体相对的部分的内侧的热传导性绝缘体(16)、与被配置于上述热传导性绝缘体以外的部分的柔性绝缘体(17)构成。
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公开(公告)号：CN110050341A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201780075662.7
申请日：2017-11-30
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
Abstract: 根据实施方式，半导体装置具备第1金属板、第2金属板和2个以上的半导体单元。上述2个以上的半导体单元配置在上述第1金属板上。上述2个以上的半导体单元分别包含第1金属部件、第2金属部件和半导体元件。上述第1金属部件包含与上述第1主面连接的第1连接面。上述第2金属部件包含与上述第2主面连接的第2连接面。上述半导体元件包含具有与上述第1连接面以及上述第2连接面分别对置的面的有源区域。上述第1连接面的面积大于与上述第1连接面对置的上述有源区域的面的面积。上述第2连接面的面积大于与上述第2连接面对置的上述有源区域的面的面积。
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公开(公告)号：CN105742268A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201510908670.8
申请日：2015-12-10
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/498 , H01L23/367
CPC classification number: H01L23/367 , H01L23/3114 , H01L23/3731 , H01L23/473 , H01L23/49811 , H01L2924/0002 , H05K1/0306 , H05K1/09 , H05K2201/10166 , H01L2924/00 , H01L23/49866
Abstract: 一种布线基板，具备：由氮化硅形成的、包含厚度为0.2mm以上且1mm以下的传热区域部分在内的绝缘基板部；以及层叠在传热区域部分上的、包含厚度1.5mm以上的由金属材料形成的焊盘部在内的布线层部。
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