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公开(公告)号：CN1197990A
公开(公告)日：1998-11-04
申请号：CN98107837.0
申请日：1998-03-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C22C29/08 , H01H1/0203
Abstract: 本发明的触点材料,由含有55～70重量%的平均粒径为0.1～6μm的碳化钨(WC)的银－碳化钨合金构成,包含0.005～0.2重量%的其等价直径为0.01～5μm并且处于非固溶状态或非化合物形成状态下的碳C。通过本发明,能够提高触点材料的断路特性。
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公开(公告)号：CN1024860C
公开(公告)日：1994-06-01
申请号：CN91104551.1
申请日：1991-06-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01H11/048 , H01H1/0206
Abstract: 本发明涉及一种真空断路器的触头成形材料，其特征是：其中含有重量百分比20%-60%的Cr，占Cu和Bi总重量的0.05%-1.0%的Bi元素，其余部分实质上为Cu，并形成一个触头形状，然后将所加工的材料进行真空热处理，这种真空断路器的触头不仅具有优良的耐熔焊特性，而且具有优良的耐压特性。本发明还涉及该材料的制造方法。
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公开(公告)号：CN1068597A
公开(公告)日：1993-02-03
申请号：CN92105508.0
申请日：1992-07-04
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B22F1/0088 , C22C1/04 , H01H1/0206
Abstract: 一种合金制备方法，合金含有铬组分和基本组分，基本组分含至少一种选自铜和银组成的元素组的元素。该方法包括下列工序：将铬材料与碳材料一起进行热处理；再用热处理工序处理过的铬材料和基本组分的材料制造合金材料。在热处理工序中铬材料与50百万分率至5,000百万分率的碳材料混合，然后在非氧化气氛下加热至800℃至1,400℃温度范围。按照该制造方法，合金材料中氧含量降低到不高于200百万分率。得出的合金材料可用作真空断路器的触头材料。
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公开(公告)号：CN1003330B
公开(公告)日：1989-02-15
申请号：CN87100389
申请日：1987-01-20
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C22C1/0475 , H01H1/0206
Abstract: 一种能在真空阀中用作接点的合金材料及其制造方法，该材料由(1)由Cu或/及Ag组成的导电材料和(2)由Cr、Ti及Zr中的至少一种金属、或这些金属和其他金属的合金组成的耐弧材料所组成，其中在导电材料基体中所存在的耐弧材料的量为0.35重量％以下。其制造工序包括形成耐弧材料粉末，将成形体烧结成骨架，在骨架空隙中熔浸导电材料及对经熔浸处理的材料进行冷却，本材料的优点是接触电阻特性或温度上升特性稳定。
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公开(公告)号：CN1132212C
公开(公告)日：2003-12-24
申请号：CN98105126.X
申请日：1998-01-13
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明的真空开关的触点材料是由74～88%(重量)的平均粒径0.4～6μm的W、0.001～5%(重量)的平均粒径0.4～4μm的Mo、余量为Cu组成的合金，以W、Mo一体化、其平均粒径处于0.4～10μm的范围作为构成。通过达到如以上那样，提高再点弧性能和耐电弧消耗性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1071925C
公开(公告)日：2001-09-26
申请号：CN98107837.0
申请日：1998-03-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C22C29/08 , H01H1/0203
Abstract: 本发明的触点材料，由含有55～70重量%的平均粒径为0.1～6μm的碳化钨(WC)的银-碳化钨(Ag-WC)合金构成，包含0.005～0.2重量%的其当量球径为0.01～5μm并且处于非固溶状态或非化合物形成状态下的碳(C)。通过本发明，能够提高触点材料的断路特性。
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公开(公告)号：CN1192573A
公开(公告)日：1998-09-09
申请号：CN98105126.X
申请日：1998-01-13
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明的真空开关的触点材料是由74～88%(重量)的平均粒径0.4～6μm的W、0.001～5%(重量)的平均粒径0.4～4μm的Mo、余量为Cu组成的合金,以W、Mo一体化、其平均粒径处于0.4～10μm的范围作为构成。通过达到如以上那样,提高再点弧性能和耐电弧消耗性能。
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公开(公告)号：CN1058116A
公开(公告)日：1992-01-22
申请号：CN91104551.1
申请日：1991-06-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01H11/048 , H01H1/0206
Abstract: 本发明涉及一种由触头成型材料加工而得的真空断路器触头，其特征是：其中含有重量百分比为20％-60％的Cr，占Cu和Bi总重量的0.05％-1.0％的Bi元素，其余部分实质上为Cu，并形成一个触头形状，然后将所加工的材料进行真空热处理，这种真空断路器的触头不仅具有优良的耐熔焊特性，而且具有优良的耐压特性。
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公开(公告)号：CN1034087C
公开(公告)日：1997-02-19
申请号：CN92105508.0
申请日：1992-07-04
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B22F1/0088 , C22C1/04 , H01H1/0206
Abstract: 一种合金制备方法，合金含有铬组分和基本组分，基本组分含至少一种选自铜和银组成的元素组的元素。该方法包括下列工序；将铬材料与碳材料一起进行热处理；再用热处理工序处理过的铬材料和基本组分的材料制造合金材料。在热处理工序中铬材料与50百万分率至5,000百万分率的碳材料混合，然后在非氧化气氛下加热至800℃至1,400℃温度范围。按照该制造方法，合金材料中氧含量降低到不高于200百万分率。得出的合金材料可用作真空断路器的触头材料。
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