公开(公告)号：CN1489152A

公开(公告)日：2004-04-14

申请号：CN03155426.1

申请日：2003-09-05

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 甲斐正 ,  高桥茂树 ,  上田知正 ,  岸达也 ,  齐藤好昭

IPC: G11C11/15 ,  H01L43/08

CPC classification number: G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  Y10T428/24917

Abstract: 提供一种磁电阻效应元件和磁存储器，具有热稳定的磁性结构、同时能降低写入信息时所必要的切换磁场。该磁电阻效应元件包括：磁化方向被固定的第一基准层；以及磁化方向随着外部磁场的变化而变化的存储层，该存储层有易磁化轴方向比难磁化轴方向长的本体部、和沿该本体部的中央部的难磁化轴方向设置的突出部。

公开(公告)号：CN1433021A

公开(公告)日：2003-07-30

申请号：CN03102768.7

申请日：2003-01-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 斉藤好昭 ,  西山勝哉 ,  高桥茂树 ,  天野実 ,  上田知正 ,  与田博明 ,  浅尾吉昭 ,  岩田佳久 ,  岸逹也

IPC: G11C11/02 ,  H01L43/08

CPC classification number: G11C11/16

Abstract: 提供一种磁存储器。其中备有：具有磁记录层的磁阻效应元件(C)；以及在上述磁阻效应元件的上面或下面沿第一方向延伸的第一布线(BL、WL)，利用使电流流过上述第一布线而形成的磁场，使上述磁记录层的磁化沿规定的方向变化来记录信息，该磁存储器的特征在于：上述第一布线在其两个侧面的至少任意的一个侧面上有由磁性体构成的覆盖层(SM)，上述覆盖层沿着上述第一布线的纵向有容易磁化的单轴各向异性(M)。

公开(公告)号：CN104465698A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410421515.9

申请日：2014-08-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 坂野龙则 ,  三浦健太郎 ,  上田知正 ,  齐藤信美 ,  中野慎太郎 ,  前田雄也 ,  山口一

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L51/0024 ,  H01L51/003

Abstract: 根据一个实施例，公开了一种用于制造显示设备的方法。该方法可包括在衬底上形成第一树脂层。该方法可包括在第一树脂层上形成显示层。显示层包括在与第一树脂层和显示层的层叠方向垂直的方向中布置的多个像素。每个像素包括设置在第一树脂层上的第一电极、设置在第一电极上的有机发光层、以及设置在有机发光层上的第二电极。方法可包括将第二树脂层经由接合层接合到显示层上。该方法可包括移除衬底。该方法可包括增加接合层的密度。

公开(公告)号：CN104037362A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201410074883.0

申请日：2014-03-03

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 三浦健太郎 ,  坂野龙则 ,  上田知正 ,  齐藤信美 ,  中野慎太郎 ,  前田雄也 ,  山口一

IPC: H01L51/56 ,  H01L51/52 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L27/3246 ,  H01L51/003 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/566

Abstract: 本发明根据一个实施例，公开了一种用于制造显示元件的方法。所述方法可以包括形成剥离层、形成树脂层、形成阻挡层、形成互连层、形成显示层以及去除。剥离层形成在基体的主表面上。主表面具有第一、第二和第三区域。剥离层包括第一、第二和第三剥离部分。树脂层形成在剥离层上。树脂层包括第一和第二树脂部分。阻挡层形成在第一、第二和第三剥离部分上。互连层形成在阻挡层上。显示层形成在互连层上。从第一树脂部分去除第一剥离部分，从第二树脂部分去除第二剥离部分。

公开(公告)号：CN103681689A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310082176.1

申请日：2013-03-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 齐藤信美 ,  上田知正 ,  米原健矢 ,  山口一 ,  三浦健太郎 ,  中野慎太郎 ,  坂野龙则

IPC: H01L27/12 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L33/0041 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/7869 ,  H01L51/5265

Abstract: 根据一个实施例，显示设备包括：第一绝缘层、第二绝缘层、像素电极、发光层、相对电极、和像素电路。在该第一绝缘层上设置该第二绝缘层。在该第二绝缘层上设置该像素电极，且该像素电极是透光的。该发光层设置在该像素电极上。相对电极设置在发光层上。电路被设置在该第一绝缘层和该第二绝缘层之间，该电路包括被提供有驱动电流的互连，且该电路被配置为向像素电极提供驱动电流。该电路连接至像素电极。当被投影到与第一绝缘层平行的平面上时，该互连具有覆盖该像素电极的第一区。该互连在该第一区内具有开口。

公开(公告)号：CN103426898A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201310052204.5

申请日：2013-02-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 齐藤信美 ,  三浦健太郎 ,  中野慎太郎 ,  坂野龙则 ,  上田知正 ,  山口一

IPC: H01L27/32 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L51/5203 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/7869

Abstract: 根据一个实施例，一种显示装置包括衬底、薄膜晶体管、钝化膜、氢阻挡膜、像素电极、有机发光层、相对电极和密封膜。在所述衬底的主表面上设置所述薄膜晶体管。所述薄膜晶体管包括栅电极、栅极绝缘膜、半导体膜、第一导电部分和第二导电部分。在所述薄膜晶体管上设置所述钝化膜。在所述钝化膜上设置所述氢阻挡膜。所述像素电极电连接至所述第一导电部分和所述第二导电部分之一。所述有机发光层设置在所述像素电极上。所述相对电极设置在所述有机发光层上。在所述氢阻挡膜和所述相对电极上设置所述密封膜。

公开(公告)号：CN103377608A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201310052585.7

申请日：2013-02-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 齐藤信美 ,  上田知正 ,  山口一 ,  三浦健太郎 ,  中野慎太郎 ,  坂野龙则

IPC: G09G3/00

CPC classification number: H01L51/52 ,  H01L27/3227 ,  H01L27/326

Abstract: 本发明涉及显示面板和显示装置。根据一个实施例，一种显示面板包括衬底、开关元件、像素电极、有机发光层、相对电极、检测电极和绝缘层。所述衬底具有主表面。在所述主表面上设置所述开关元件。该开关元件包括半导体层。在所述主表面上设置所述像素电极。该像素电极电连接于所述开关元件。所述有机发光层设置在所述像素电极上。所述相对电极设置在所述有机发光层上。在所述衬底和所述像素电极的至少一部分之间设置所述检测电极。所述检测电极包括包含在所述半导体层中的至少一个元件。在所述像素电极和所述检测电极之间设置所述绝缘层。

公开(公告)号：CN103021938A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210177907.6

申请日：2012-05-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 坂野龙则 ,  三浦健太郎 ,  齐藤信美 ,  中野慎太郎 ,  上田知正 ,  山口一

IPC: H01L21/77 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/32

CPC classification number: H05K3/10 ,  G02F1/133305 ,  G02F1/1362 ,  H01L27/1266 ,  H01L2227/326

Abstract: 根据一个实施例，公开了用于制造显示设备的方法。在支承衬底上形成膜材料层。在第一温度执行膜材料层的第一加热过程从而形成膜层，并在高于所述第一温度的第二温度执行围绕着第一区域的第二区域的第二加热过程。所述第一区域被设置在所述膜层的中央部分中。在第一区域中形成显示层且在第二区域的至少一部分中形成外围电路部分。在高于所述第二温度的第三温度为所述膜层的至少一部分执行第三处理过程。另外，膜层被从支承衬底剥离。

公开(公告)号：CN102655173A

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN201110287707.1

申请日：2011-09-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 上田知正 ,  中野慎太郎 ,  齐藤信美 ,  三浦健太郎 ,  原雄二郎 ,  山口一

IPC: H01L29/786 ,  H01L23/29 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 根据一个实施例，薄膜晶体管包括：基板；半导体层；第一和第二绝缘膜；以及栅、源和漏电极。半导体层被设置在基板上。半导体层由具有铟的氧化物构成。半导体层具有第一和第二区域以及其他区域。第一绝缘膜覆盖其他区域的顶面。第二绝缘膜覆盖至少半导体层的一对侧面。第二绝缘膜在与用于第一绝缘膜的条件不同的条件下被形成。栅电极被设置在第一和第二绝缘膜上，或者被设置在半导体层的下面。源和漏电极分别被设置在第一和第二区域上。漏电极和源电极将半导体层的一对侧面夹在当中。

公开(公告)号：CN100592544C

公开(公告)日：2010-02-24

申请号：CN200810008901.X

申请日：2008-01-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 上田知正 ,  相川尚德 ,  吉川将寿 ,  下村尚治 ,  中山昌彦 ,  池川纯夫 ,  细谷启司 ,  长嶺真

IPC: H01L43/08 ,  H01L27/22 ,  H01F10/32 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16

CPC classification number: G11C11/15 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

Abstract: 一种磁电阻元件，包括：具有第一平面和位于与第一平面相反一侧上的第二平面，并且具有可变磁化方向的磁化自由层；提供在磁化自由层的第一平面侧上并且具有被钉扎磁化方向的磁化受钉扎层；提供在磁化自由层与磁化受钉扎层之间的第一隧道势垒层；提供在磁化自由层的第二平面上的第二隧道势垒层；以及提供在第二隧道势垒层的与磁化自由层相反一侧上的平面上的非磁性层。磁化自由层的磁化方向通过在磁化受钉扎层与非磁性层之间施加电流而可变，并且第一隧道势垒层与第二隧道势垒层之间的电阻比在1∶0.25至1∶4的范围内。